垂直型GaN基同质外延结构及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种垂直型GaN基同质外延结构及其制备方法，包括：第一载流子浓度的n型GaN自支撑衬底；第二载流子浓度的n+型GaN缓冲层，位于n型GaN自支撑衬底上；第三载流子浓度的n

【技术实现步骤摘要】
流子浓度数量级，所述第三载流子浓度比所述第一载流子浓度或/及第二载流子浓度低至少一 个载流子浓度数量级。
[0009]可选地，所述的n
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型GaN漂移层包括非故意掺杂GaN外延层和硅轻掺杂GaN外延层的 一种，所述n
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型GaN漂移层的厚度为1～40微米，所述n
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型GaN漂移层的载流子浓度为 1E15～2E16cm
‑3。
[0010]可选地，所述n
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型GaN漂移层包括硅轻掺杂GaN外延层与非故意掺杂GaN外延层交替 层叠的叠层结构，所述叠层结构的交替周期为1～100，每层所述硅轻掺GaN外延层的厚度为 0.2～40微米，每层所述非故意掺杂GaN外延层的厚度为0.2～40微米，所述硅轻掺杂GaN外 延层的载流子浓度为1E16～1E17cm
‑3，所述非故意掺杂GaN外延层的载流子浓度为 1E15～1E16cm
‑3。
[0011]可选地，所述n+型GaN缓冲层为硅重掺杂GaN外延层，所述n+型GaN缓冲层的厚度 为10～1000纳米，载流子浓度为1E18～4E18本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种垂直型GaN基同质外延结构，其特征在于，所述垂直型GaN基同质外延结构包括：第一载流子浓度的n型GaN自支撑衬底；第二载流子浓度的n+型GaN缓冲层，位于所述n型GaN自支撑衬底上；第三载流子浓度的n
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型GaN漂移层，位于n+型GaN缓冲层上，其中，所述第一载流子浓度与所述第二载流子浓度具有相同的载流子浓度数量级，所述第三载流子浓度比所述第一载流子浓度或/及第二载流子浓度低至少一个载流子浓度数量级。2.根据权利要求1所述的垂直型GaN基同质外延结构，其特征在于：所述的n
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型GaN漂移层包括非故意掺杂GaN外延层和硅轻掺杂GaN外延层的一种，所述n
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型GaN漂移层的厚度为1～40微米，所述n
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型GaN漂移层的载流子浓度为1E15～2E16cm
‑3。3.根据权利要求1所述的垂直型GaN基同质外延结构，其特征在于：所述n
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型GaN漂移层包括硅轻掺杂GaN外延层与非故意掺杂GaN外延层交替层叠的叠层结构，所述叠层结构的交替周期为1～100，每层所述硅轻掺GaN外延层的厚度为0.2～40微米，每层所述非故意掺杂GaN外延层的厚度为0.2～40微米，所述硅轻掺杂GaN外延层的载流子浓度为1E16～1E17cm
‑3，所述非故意掺杂GaN外延层的载流子浓度为1E15～1E16cm
‑3。4.根据权利要求1所述的垂直型GaN基同质外延结构，其特征在于：所述n+型GaN缓冲层为硅重掺杂GaN外延层，所述n+型GaN缓冲层的厚度为10～1000纳米，载流子浓度为1E18～4E18cm
‑3。5.根据权利要求1所述的垂直型GaN基同质外延结构，其特征在于：所述n型GaN自支撑衬底的厚度为400～800微米，载流子浓度为1E18
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2E18cm
‑3。6.一种垂直型GaN基半导体器件，其特征在于，所述垂直型GaN基半导体器件基于权利要求1～5任意一项所述的垂直型GaN基同质外延结构制备。7.一种垂直型GaN基同质外延结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供第一载流子浓度的n型GaN自支撑衬底；于所述n型GaN自支撑衬底上外延生长第二载流子浓度的n+型GaN缓冲层；于所述n+型GaN缓冲层上外延生长第三载流子浓度的n
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型GaN漂移层，其中，所述第一载流子浓度与所述第二载流子浓度具有相同的载流子浓度数量级，所述第三载流子浓度比所述第一载流子浓度或...

【专利技术属性】
技术研发人员：王瑞，庄文荣，孙明，颜建峰，敖辉，
申请(专利权)人：东莞市中镓半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：