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本发明提供一种垂直型GaN基同质外延结构及其制备方法，包括：第一载流子浓度的n型GaN自支撑衬底；第二载流子浓度的n+型GaN缓冲层，位于n型GaN自支撑衬底上；第三载流子浓度的n
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该专利属于东莞市中镓半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东莞市中镓半导体科技有限公司授权不得商用。

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