一种氮化物光电器件的外延层结构、生长方法及芯片技术

本申请提供一种氮化物光电器件的外延层结构、生长方法及芯片。该外延层结构，其包括：依次层叠的衬底、P型区域层、量子调制层、发光有源区及N型区域层。该外延层结构采用P型倒置的氮化物光电器件，可以获得高质量P型区域，可以高温生长而获得高的晶体质量和掺杂效果。同时简化了外延层结构。时简化了外延层结构。时简化了外延层结构。

【技术实现步骤摘要】
一种氮化物光电器件的外延层结构、生长方法及芯片


[0001]本专利技术属于半导体领域，具体涉及一种P型倒置的氮化物光电器件的外延层结构、生长方法及芯片。

技术介绍

[0002]以氮化镓为代表的氮化物是宽禁带、直接带隙半导体材料，是跨越带隙最宽的材料系，非常适合制作覆盖紫外到红外波段的光电器件。随着上世纪末P型氮化镓活化等关键材料问题的突破，以通用照明的LED应用广泛发展起来了。当前GaN基光电器件的结构为“衬底
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N型区域
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发光有源区
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P型区域”，沿用了传统的PN结结构。如图1所示，为现行的外延全结构“衬底
‑
N型区域
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应力释放层(SRL)
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发光有源区(MQWs)
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电子阻挡层(EBL)
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P型区域”。以蓝宝石衬底上GaN基LED为例，能带分析如图2所示，蓝宝石衬底上高温生长N型GaN区域后，发光有源区一般为InGaN/GaN多量子阱结构(MQWs)，为了提高其质量会在N型区域之后中温生长应力释本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氮化物光电器件的外延层结构，其特征在于，包括：衬底、P型区域层、量子调制层、发光有源区及N型区域层，其中，所述衬底上层叠P型区域层，所述P型区域层上层叠量子调制层，所述量子调制层上层叠发光有源区，所述发光有源区上层叠N型区域层。2.如权利要求1所述的氮化物光电器件的外延层结构，其特征在于，所述量子调制层包括：AlGaN与InGaN交替组合的循环结构。3.如权利要求1所述的氮化物光电器件的外延层结构，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底或硅衬底或碳化硅衬底。4.如权利要求1所述的氮化物光电器件的外延层结构，其特征在于，所述N型区域层键合到散热基板上。5.一种氮化物光电器件的外延层结构的生长方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：S1、在衬底上生长P型区域层，S2、在P型区域层上生长量子调制层，S3、在量子调制层上生长发光有源区，S4、在发光有源区上生长N型区域层。6.如权利要求5所...

【专利技术属性】
技术研发人员：王国斌，王建峰，毕文刚，刘宗亮，闫其昂，周溯源，徐科，
申请(专利权)人：江苏第三代半导体研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：