温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请提供一种氮化物光电器件的外延层结构、生长方法及芯片。该外延层结构，其包括：依次层叠的衬底、P型区域层、量子调制层、发光有源区及N型区域层。该外延层结构采用P型倒置的氮化物光电器件，可以获得高质量P型区域，可以高温生长而获得高的晶体质量...
该专利属于江苏第三代半导体研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏第三代半导体研究院有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。