闪存芯片的擦除电压配置方法、装置、设备及存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术涉及存储器技术领域，具体公开了一种闪存芯片的擦除电压配置方法、装置、设备及存储介质，其中，方法包括以下步骤：获取待擦除的目标存储区域的Cycle次数；根据Cycle次数从预设的擦除电压组库中调用擦除电压组，擦除电压组包括擦除电压值和弱编程电压值，擦除电压组库包括多个与不同Cycle次数区间配对的擦除电压组；该方法获取的目标存储区域的Cycle次数能表征该目标存储区域的使用程度，基于该Cycle次数对应的Cycle次数区间从预设的擦除电压组库中调用擦除电压组能快速确定与当前目标存储区域特性匹配的擦除电压值和弱编程电压值，可确保闪存芯片在整个生命周期内均能高效、高质、顺利地完成擦除操作。顺利地完成擦除操作。顺利地完成擦除操作。

【技术实现步骤摘要】
闪存芯片的擦除电压配置方法、装置、设备及存储介质


[0001]本申请涉及存储器
，具体而言，涉及一种闪存芯片的擦除电压配置方法、装置、设备及存储介质。

技术介绍

[0002]对于nor flash这类闪存芯片的操作来说，擦除操作普遍占据比较长的时间，而nor flash的擦除特性一般表现为随着Cycle次数越多越难擦除，尤其到了闪存芯片的生命周期的末期，基于出厂配置的擦除操作的相关电压难以擦除闪存芯片中的存储区域的数据，使得用户感觉到该闪存芯片用的时间越久便越慢。
[0003]针对上述问题，目前尚未有有效的技术解决方案。

技术实现思路

[0004]本申请的目的在于提供一种闪存芯片的擦除电压配置方法、装置、设备及存储介质，以根据闪存芯片的使用情况配置擦除操作的相关电压以确保闪存芯片在整个生命周期内均能高效地完成擦除操作。
[0005]第一方面，本申请提供了一种闪存芯片的擦除电压配置方法，用于配置闪存芯片执行擦除操作的相关电压，所述方法包括以下步骤：获取待擦除的目标存储区域的Cycle次数；根据所述Cycle次本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种闪存芯片的擦除电压配置方法，用于配置闪存芯片执行擦除操作的相关电压，其特征在于，所述方法包括以下步骤：获取待擦除的目标存储区域的Cycle次数；根据所述Cycle次数从预设的擦除电压组库中调用擦除电压组，所述擦除电压组包括擦除电压值和弱编程电压值，所述擦除电压组库包括多个与不同Cycle次数区间配对的擦除电压组。2.根据权利要求1所述的闪存芯片的擦除电压配置方法，其特征在于，所述擦除电压组库中的擦除电压组的擦除电压值与Cycle次数区间递增顺序正相关。3.根据权利要求1所述的闪存芯片的擦除电压配置方法，其特征在于，所述Cycle次数区间基于以下Cycle次数进行划分：0
‑
10000次、10001
‑
20000次、20001
‑
50000次、50001
‑
80000次及80000次以上。4.根据权利要求1所述的闪存芯片的擦除电压配置方法，其特征在于，所述目标存储区域为所述闪存芯片中的若干块或若干扇区。5.根据权利要求1所述的闪存芯片的擦除电压配置方法，其特征在于，所述Cycle次数基于非易失计数器计数存储。6.根据权利要求1所述的闪存芯片的擦除电压配置方法，其特征在于，所述根据所述Cycle次数从预设的擦除电压组库中调用擦除电压组的步骤包括：所述根据所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李文菊，黎永健，彭永林，饶锦航，
申请(专利权)人：芯天下技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：