【技术实现步骤摘要】
无刷电机控制电路及控制设备
[0001]本专利技术涉及一种无刷电机
,尤其涉及一种无刷电机控制电路及控制设备。
技术介绍
[0002]无刷电机相较于有刷电机,在包含电机的电寿命相关的环境特征方面具有优势,比如更为节能、结构紧凑、重量轻、噪音低等,从而得到更为广泛的应用。但无刷电机的控制器尤为复杂,现有技术中的控制器包括开关模式电源、单片机电路等,成本高昂,且因受到开关模式电源工作参数的影响,难以适用于较大范围的直流电或交流电,导致需要将无刷电机的控制器适用于其他领域时,需要更换开关模式电源,大大增加了无刷系统的成本。
技术实现思路
[0003]有鉴于此,本专利技术提供了一种无刷电机控制电路及控制设备,用于解决现有技术中的无刷系统成本高昂的问题。为达上述之一或部分或全部目的或是其他目的,本专利技术提出一种无刷电机控制电路及控制设备,第一方面:
[0004]一种无刷电机控制电路,包括电源开关模块和控制模块;
[0005]所述电源开关模块包括开关电压输入端、开关驱动输入端和开关信号输出端;
[0006]接入电压与所述开关电压输入端连接,所述开关信号输出端与无刷电机的相信号输入端连接;所述电源开关模块用于控制所述无刷电机的输入相信号;
[0007]所述控制模块的控制电压输出端与所述开关驱动输入端连接;所述控制模块用于控制所述电源开关模块的开关状态。
[0008]优选地,所述电源开关模块包括调压子模块和半桥子模块;
[0009]所述调压子模块包括调压输入端和 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种无刷电机控制电路,其特征在于,包括电源开关模块和控制模块;所述电源开关模块包括开关电压输入端、开关驱动输入端和开关信号输出端;接入电压与所述开关电压输入端连接,所述开关信号输出端与无刷电机的相信号输入端连接;所述电源开关模块用于控制所述无刷电机的输入相信号;所述控制模块的控制电压输出端与所述开关驱动输入端连接;所述控制模块用于控制所述电源开关模块的开关状态。2.如权利要求1所述的无刷电机控制电路,其特征在于,所述电源开关模块包括调压子模块和半桥子模块;所述调压子模块包括调压输入端和调压输出端;所述半桥子模块包括半桥电压输入端、半桥驱动输入端和半桥信号输出端;所述调压输入端与所述开关电压输入端连接,所述调压输出端与所述半桥电压输入端连接;所述调压子模块用于调节所述接入电压并将调节后的所述接入电压传输给所述半桥子模块;所述半桥子模块的半桥驱动输入端与所述开关驱动输入端连接,半桥信号输出端与所述开关信号输出端连接;所述半桥子模块用于输出所述无刷电机的输入相信号。3.如权利要求2所述的无刷电机控制电路,其特征在于,所述半桥子模块包括并联的第一半桥单元、第二半桥单元和第三半桥单元;所述第一半桥单元包括第一晶体管Q1和第四晶体管Q4;所述第一晶体管Q1的栅极和所述第四晶体管Q4的栅极均与所述半桥驱动输入端连接,所述第一晶体管Q1的源极与所述半桥电压输入端连接,所述第一晶体管Q1的漏极、所述相信号输入端中的第一相信号输入端和所述第四晶体管Q4的漏极串联;所述第四晶体管Q4的源极接地;所述第二半桥单元包括第二晶体管Q2和第五晶体管Q5;所述第二晶体管Q2的栅极和所述第五晶体管Q5的栅极均与所述半桥驱动输入端连接,所述第二晶体管Q2的源极与所述半桥电压输入端连接,所述第二晶体管Q2的漏极、所述相信号输入端中的第二相信号输入端和所述第五晶体管Q5的漏极串联;所述第五晶体管Q5的源极接地;所述第三半桥单元包括第三晶体管Q3和第六晶体管Q6;所述第三晶体管Q3的栅极和所述第六晶体管Q6的栅极均与所述半桥驱动输入端连接,所述第三晶体管Q3的源极与所述半桥电压输入端连接,所述第三晶体管Q3的漏极、所述相信号输入端中的第三相信号输入端和所述第六晶体管Q6的漏极串联;所述第六晶体管Q6的源极接地。4.如权利要求3所述的无刷电机控制电路,其特征在于,所述第一半桥单元还包括第一电阻器R1、第二电阻器R2、第一二极管D1、第三电阻器R3、第四电阻器R4和第二二极管D2;所述第一电阻器R1的第一端与所述第一晶体管Q1的栅极连接,所述第一电阻器R1的第二端与所述第一晶体管Q1的源极连接;所述第二电阻器R2的第一端与所述第一晶体管Q1的栅极连接,所述第二电阻器R2的第二端与所述半桥驱动输入端连接;所述第一二极管D1的阳极与所述第一晶体管Q1的栅极连接,所述第一二极管D1的阴极与所述第一晶体管Q1的源极连接;所述第三电阻器R3的第一端与所述第四晶体管Q4的栅极连接,所述第三电阻器R3的第二端与所述第四晶体管Q4的源极连接;所述第四电阻器R4的第一端与所述第四晶体管Q4的栅极连接,所述第四电阻器R4的第二端与所述半桥驱动输入端连接;所述第二二极管D2的
阳极与所述第四晶体管Q4的源极连接,所述第二二极管D2的阴极与所述第四晶体管Q4的栅极连接;所述第二半桥单元还包括第五电阻器R5、第六电阻器R6、第三二极管D3、第七电阻器R7、第八电阻器R8和第四二极管D4;所述第五电阻器R5的第一端与所述第二晶体管Q2的栅极连接,所述第五电阻器R5的第二端与所述第二晶体管Q2的源极连接;所述第六电阻器R6的第一端与所述第二晶体管Q2的栅极连接,所述第六电阻器R6的第二端与所述半桥驱动输入端连接;所述第三二极管D3的阳极与所述第二晶体管Q2的栅极连接,所述第三二极管D3的阴极与所述第二晶体管Q2的源极连接;所述第七电阻器R7的第一端与所述第五晶体管Q5的栅极连接,所述第七电阻器R7的第二端与所述第五晶体管Q5的源极连接;所述第八电阻器R8的第一端与所述第五晶体管Q5的栅极连接,所述第八电阻器R8的第二端与所述半桥驱动输入端连接;所述第四二极管D4的阳极与所述第五晶体管Q5的源极连接,所述第四二极管D4的阴极与所述第五晶体管Q5的栅极连接;所述第三半桥单元还包括第九电阻器R9、第十电阻器R10、第...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。