本实用新型专利技术涉及电机驱动领域，具体为一种基于无刷电机方向信号和驱动信号无需MCU的位置控制电路，包括驱动信号截至刹车电路以及方向信号反转刹车电路，本实用新型专利技术通过驱动信号截至后刹车时驱动信号截至刹车电路通过将方向信号和上下限位开关常闭变常开的信号变化，形成互锁电路，只有当方向信号和对应的限位开关常开信号对应正常时允许驱动信号通过否则截至，实现了能停在限位开关处的功能，当已经停止在限位开关后，如果外部方向信号产生变化，则方向信号和对应的限位开关常开信号又会处于对应正常的状态，驱动信号再次驱动电机反向运转解决上述两个问题。向运转解决上述两个问题。向运转解决上述两个问题。
【技术实现步骤摘要】
一种基于无刷电机方向信号和驱动信号无需MCU的位置控制电路
[0001]本技术涉及电机驱动领域，具体为一种基于无刷电机方向信号和驱动信号无需MCU的位置控制电路。
技术介绍
[0002]从无刷电机诞生以来，因为它的无电刷、低噪音、寿命长意味着从趋势上论，无刷电机可能取代有刷电机，因为它的重要性所以人们投入越来越多的成本去研发无刷的相关控制。
[0003]在某一些推杆结构的设备中，会在推杆的顶部和底部放置限位开关来作为行程的标定，传统的控制方式中当推杆碰到上限位开关或者下限位开关，触碰信号传递给单片机再由单片机控制无刷电机驱动信号停止来使无刷电机停在限位开关处，当需要推杆反向运动时，首先单片机检测外部方向信号，再驱动电机反向运行，碰到相对的限位开关后，再检测限位开关的信号由单片机控制无刷电机驱动信号停止来使无刷电机停在限位开关处。
[0004]因此，第一点增加了单片机资源的消耗；第二点无刷电机的某些驱动信号的改变不能直接由外部变化信号影响，而是要经过单片机中转，增加了不可靠性。
技术实现思路
[0005](一)解决的技术问题
[0006]针对现有技术的不足，本技术提供了一种基于无刷电机方向信号和驱动信号无需MCU的位置控制电路。
[0007](二)技术方案
[0008]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种基于无刷电机方向信号和驱动信号无需MCU的位置控制电路，包括驱动信号截至刹车电路以及方向信号反转刹车电路，所述驱动信号截止刹车电路包括限位开关、Q1三极管、J4座、电机驱动芯片、电阻R11、Q2三极管、电阻R16、电阻R19以及Q3三极管，所述电机驱动芯片与Q1三极管的上三极管电性连接，所述电机驱动芯片的FR方向通过Q1三极管的上三极管与J4座连通，所述J4座通过电阻R11与Q2三极管的下三极管以及Q2三极管的上三极管导通，所述Q2三极管的下三极管通过电阻R16以及电阻R19与Q3三极管的上三极管导通，所述Q3三极管的上三极管与限位开关的常开点导通，所述Q2三极管的上三极管的基极连接限位开关的公共端，所述方向信号反转刹车电路包括外部方向信号Q4三极管、Q7三极管、Q5三极管、Q6三极管以及电容C12，所述外部方向信号通过Q4三极管与电机驱动芯片的FR方向连通，所述外部信号通过电阻与Q7三极管以及Q5三极管导通，所述Q5三极管导通Q6三极管，所述电容C12设置在Q5三极管与Q6三极管之间，所述Q6三极管和Q7三极管导通限位开关。
[0009]进一步的，本技术改进有，所述电机驱动芯片为高电平时，所述Q1三极管的上三极管导通，所述J4座到电机驱动芯片的FR方向为低电平，所述电阻R11电位为低电平，所
述Q2三极管的下三极管不导通。
[0010]进一步的，本技术改进有，当电机驱动芯片由高电平变成低电平时，所述电阻R11电位为高电平，所述Q2三极管的下三极管导通，所述电阻R16和电阻R19之间电位低于Q3三极管的上三极管的导通电压。
[0011]进一步的，本技术改进有，所述外部方向信号为高电平的时，所述Q4三极管长导通，所述Q7三极管基极电压大于导通电压，所述Q5三极管的上三极管不导通，所述Q6三极管的下三极管导通。
[0012]进一步的，本技术改进有，所述外部方向信号为低电平的时，所述Q4三极管长导通，所述Q6下三极管基极电压低于导通电压，所述Q7三极管导通。
[0013](三)有益效果
[0014]与现有技术相比，本技术提供了一种基于无刷电机方向信号和驱动信号无需MCU的位置控制电路，具备以下有益效果：
[0015]本技术通过驱动信号截至后刹车时驱动信号截至刹车电路通过将方向信号和上下限位开关常闭变常开的信号变化，形成互锁电路，只有当方向信号和对应的限位开关常开信号对应正常时允许驱动信号通过否则截至，实现了能停在限位开关处的功能。当已经停止在限位开关后，如果外部方向信号产生变化，则方向信号和对应的限位开关常开信号又会处于对应正常的状态，驱动信号再次驱动电机反向运转解决上述两个问题。
附图说明
[0016]图1为本技术驱动信号截至刹车逻辑电路图；
[0017]图2为本技术驱动信号截至刹车电路限位开关接线图；
[0018]图3为本技术方向信号反转刹车逻辑电路图；
[0019]图4为本技术方向信号反转刹车电路限位开关接线图；
具体实施方式
[0020]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0021]请参阅图1
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4，本技术为一种基于无刷电机方向信号和驱动信号无需MCU的位置控制电路，包括驱动信号截至刹车电路以及方向信号反转刹车电路，所述驱动信号截止刹车电路包括限位开关、Q1三极管、J4座、电机驱动芯片、电阻R11、Q2三极管、电阻R16、电阻R19以及Q3三极管，所述电机驱动芯片与Q1三极管的上三极管电性连接，所述电机驱动芯片的FR方向通过Q1三极管的上三极管与J4座连通，所述J4座通过电阻R11与Q2三极管的下三极管以及Q2三极管的上三极管导通，所述Q2三极管的下三极管通过电阻R16以及电阻R19与Q3三极管的上三极管导通，所述Q3三极管的上三极管与限位开关的常开点导通，所述Q2三极管的上三极管的基极连接限位开关的公共端，所述方向信号反转刹车电路包括外部方向信号Q4三极管、Q7三极管、Q5三极管、Q6三极管以及电容C12，所述外部方向信号通过Q4三极管与电机驱动芯片的FR方向连通，所述外部信号通过电阻与Q7三极管以及Q5三极管导通，
所述Q5三极管导通Q6三极管，所述电容C12设置在Q5三极管与Q6三极管之间，所述Q6三极管和Q7三极管导通限位开关。
[0022]本实施例中，所述电机驱动芯片为高电平时，所述Q1三极管的上三极管导通，所述J4座到电机驱动芯片的FR方向为低电平，所述电阻R11电位为低电平，所述Q2三极管的下三极管不导通。
[0023]本实施例中，当电机驱动芯片由高电平变成低电平时，所述电阻R11电位为高电平，所述Q2三极管的下三极管导通，所述电阻R16和电阻R19之间电位低于Q3三极管的上三极管的导通电压。
[0024]本实施例中，所述外部方向信号为高电平的时，所述Q4三极管长导通，所述Q7三极管基极电压大于导通电压，所述Q5三极管的上三极管不导通，所述Q6三极管的下三极管导通。
[0025]本实施例中，所述外部方向信号为低电平的时，所述Q4三极管长导通，所述Q6下三极管基极电压低于导通电压，所述Q7三极管导通。
[0026]综上所述，该基于无刷电机方向信号和驱动信号无需MCU的位置控制电路，本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基于无刷电机方向信号和驱动信号无需MCU的位置控制电路，其特征在于，包括驱动信号截至刹车电路以及方向信号反转刹车电路，所述驱动信号截止刹车电路包括限位开关、Q1三极管、J4座、电机驱动芯片、电阻R11、Q2三极管、电阻R16、电阻R19以及Q3三极管，所述电机驱动芯片与Q1三极管的上三极管电性连接，所述电机驱动芯片的FR方向通过Q1三极管的上三极管与J4座连通，所述J4座通过电阻R11与Q2三极管的下三极管以及Q2三极管的上三极管导通，所述Q2三极管的下三极管通过电阻R16以及电阻R19与Q3三极管的上三极管导通，所述Q3三极管的上三极管与限位开关的常开点导通，所述Q2三极管的上三极管的基极连接限位开关的公共端，所述方向信号反转刹车电路包括外部方向信号Q4三极管、Q7三极管、Q5三极管、Q6三极管以及电容C12，所述外部方向信号通过Q4三极管与电机驱动芯片的FR方向连通，所述外部方向信号通过电阻与Q7三极管以及Q5三极管导通，所述Q5三极管导通Q6三极管，所述电容C12设置在Q5三极管与Q6三极管之间，所述Q6三极管和Q7三极管导通限位开关。2.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：田川川，于廷华，方建超，王保智，
申请(专利权)人：青岛豪江智能科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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