陶瓷基板的制备方法、陶瓷基板、芯片封装方法及结构技术

本发明专利技术提供一种陶瓷基板的制备方法、陶瓷基板、芯片封装方法及结构。该制备方法包括：在M个生瓷片中每个生瓷片上的第一预设位置制备多个散热通孔；M为正整数；通过金属填充物对每个生瓷片上的每个散热通孔进行填充，得到M个生瓷基板；将M个生瓷基板叠加放置，并将叠加放置后的M个生瓷基板在预设温度环境中进行烧结，得到陶瓷基板。通过本发明专利技术提供的陶瓷基板的制备方法制备得到的陶瓷基板能够有效实现大尺寸芯片的散热。大尺寸芯片的散热。大尺寸芯片的散热。

【技术实现步骤摘要】
陶瓷基板的制备方法、陶瓷基板、芯片封装方法及结构


[0001]本专利技术涉及芯片散热
，尤其涉及一种陶瓷基板的制备方法、陶瓷基板、芯片封装方法及结构。

技术介绍

[0002]随着大规模和超大规模集成电路芯片的工艺集成度越来越高，以及芯片制程工艺的不断提高(例如从130nm、65nm、28nm提高到14nm)，导致芯片上的热源越来越集中，热流密度也不断提高，如何实现芯片的散热一直为行业的热门研究课题。
[0003]目前，对于采用陶瓷封装体的芯片的散热，通常是通过在粘芯片区域用热导率更高的金属热沉块进行散热。然而，随着芯片面积的增加，对于较大尺寸芯片的封装，例如50mm*50mm以上的芯片封装，对应的金属热沉块也需要设计成对应的大尺寸(例如50mm*50mm以上)。但是大尺寸量级别的金属热沉块与共烧陶瓷通过高温焊接后，存在热匹配失效的风险；甚至对于更大尺寸的芯片，还存在无法直接在粘芯片区域贴金属热沉块的问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供了一种陶瓷基板的制备方法、陶瓷基板、芯片封装方法及结构，以解决现本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种陶瓷基板的制备方法，其特征在于，包括：在M个生瓷片中每个生瓷片上的第一预设位置制备多个散热通孔；M为正整数；通过金属填充物对每个生瓷片上的每个散热通孔进行填充，得到M个生瓷基板；将M个生瓷基板叠加放置，并将叠加放置后的M个生瓷基板在预设温度环境中进行烧结，得到所述陶瓷基板。2.根据权利要求1所述的陶瓷基板的制备方法，其特征在于，所述第一预设位置包括第一子区域和第二子区域；所述第一子区域为根据目标芯片的热流分布区域中的热流集中区域确定的位置，所述第二子区域为根据所述热流分布区域中的热流分散区域确定的位置，且所述第一子区域中的散热通孔的密度大于所述第二子区域中的散热通孔的密度。3.根据权利要求1所述的陶瓷基板的制备方法，其特征在于，在通过金属填充物对每个生瓷片上的每个散热通孔进行填充，得到M个生瓷基板之后，还包括：在M个生瓷基板中的至少一个生瓷基板的一侧设置金属层，得到至少一个金属瓷板；所述将M个生瓷基板叠加放置，并将叠加放置后的M个生瓷基板在预设温度环境中进行烧结，得到所述陶瓷基板，包括：将所述至少一个金属瓷板与剩余所述生瓷基板叠加放置，并将叠加放置后的所述至少一个金属瓷板与剩余所述生瓷基板在预设温度环境中进行烧结，得到所述陶瓷基板。4.根据权利要求1所述的陶瓷基板的制备方法，其特征在于，所述散热通孔的直径小于0.20mm，相邻两个所述散热通孔之间的孔间距在0.50mm
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2.00mm之间。5.根据权利要求1所述的陶瓷基板的制备方法，其特征在于，所述金属填充物的材质包括钨或者钼。6.根据权利要求1所述的陶瓷基板的制备方法，其特征在于，所述预设温...

【专利技术属性】
技术研发人员：李航舟，杨振涛，陈江涛，刘林杰，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：