半导体元件制造技术

本发明专利技术公开一种半导体元件，其包含︰一半导体叠层，其包含一第一反射结构、一第二反射结构以及一位于第一反射结构以及第二反射结构之间的共振腔区域，其中共振腔区域包含一第一表面、一于第一表面的第二表面以及一位于第一表面以及第二表面的侧壁，相较于第二反射结构，第一表面较接近第一反射结构；一与第一反射结构电连接的第一电极；以及一与第二反射结构电连接的第二电极，其中第二电极包含一电极垫部位以及一自电极垫部位延伸的侧部位；其中第一电极以及第二电极的电极垫部位位于第一表面上，且第二电极的侧部位覆盖共振腔区域的侧壁。侧壁。侧壁。

【技术实现步骤摘要】
半导体元件
[0001]本申请是中国专利技术专利申请(申请号：201810436344.5，申请日：2018年05月09日，专利技术名称：半导体元件)的分案申请。


[0002]本专利技术涉及一种半导体元件，尤其是涉及一种包含共振腔区域的半导体元件。

技术介绍

[0003]垂直腔面发射激光器(vertical cavity surface emitting laser，VCSEL)可以发出一方向垂直于活性区域的光。VCSEL包含一结构，其包含一对反射镜叠层，以及位于一对反射镜叠层之间的一活性区域。一第一电极以及一第二电极分别设置于一对反射镜叠层的上侧和下侧。电流通过第一电极以及第二电极注入活性区域以使活性区域发光，且光是自上述结构发射出。

技术实现思路

[0004]本
技术实现思路
提供一种半导体元件，其包含︰一半导体叠层，其包含一第一反射结构、一第二反射结构以及一位于第一反射结构以及第二反射结构之间的共振腔区域，其中共振腔区域包含一第一表面、一于第一表面的第二表面以及一位于第一表面以及第二表面的侧壁，相较于第二反射结构，第一表面较接近第一反射结构；一与第一反射结构电连接的第一电极；以及一与第二反射结构电连接的第二电极，其中第二电极包含一电极垫部位以及一自电极垫部位延伸的侧部位；其中第一电极以及第二电极的电极垫部位位于第一表面上，且第二电极的侧部位覆盖共振腔区域的侧壁。
[0005]本
技术实现思路
又提供一种半导体元件，其包含︰一半导体叠层，其包含一第一反射结构、一第二反射结构以及一位于第一反射结构以及第二反射结构之间的共振腔区域，其中共振腔区域包含一第一表面、一于第一表面的第二表面以及一位于第一表面以及第二表面的侧壁，相较于第二反射结构，第一表面较接近第一反射结构；一与第一反射结构电连接的第一电极；一与第二反射结构电连接的第二电极；以及一第一导电层位于共振腔区域的第二表面上，第一电极与第二电极位于第一导电层的同一侧。
附图说明
[0006]图1为本
技术实现思路
的第一实施例的半导体元件的俯视图；
[0007]图2为本
技术实现思路
的第一实施例的半导体元件沿着如图1的A
‑
A
’
线的剖视图；
[0008]图3A至图3F为制造如图1以及图2所示的半导体元件的方法的示意图；
[0009]图4A为本
技术实现思路
的第二实施例的半导体元件的剖视图；
[0010]图4B为本
技术实现思路
的制造第二实施例的半导体元件的方法中，形成第一导电层之后的俯视图；
[0011]图5为本
技术实现思路
的第三实施例的半导体元件的剖视图；
[0012]图6A至图6F为制造如图5所示的半导体元件的方法的示意图；
[0013]图7为本
技术实现思路
的第四实施例的半导体元件的剖视图；
[0014]图8A至图8I为制造如图7所示的第四实施例的半导体元件的方法的示意图；
[0015]图9为本
技术实现思路
的第五实施例的半导体元件的剖视图；
[0016]图10为本
技术实现思路
的第六实施例的半导体元件的剖视图；
[0017]图11A为本
技术实现思路
的第七实施例的半导体元件的剖视图；
[0018]图11B为本
技术实现思路
的第八实施例的半导体元件的剖视图；
[0019]图11C为本
技术实现思路
的第九实施例的半导体元件的剖视图；
[0020]图12A为本
技术实现思路
的第十实施例的半导体元件的剖视图；
[0021]图12B为本
技术实现思路
的第十一实施例的半导体元件的剖视图；
[0022]图12C为本
技术实现思路
的第十二实施例的半导体元件的剖视图；
[0023]图13A为本
技术实现思路
的第十三实施例的半导体元件的剖视图；
[0024]图13B为本
技术实现思路
的第十四实施例的半导体元件的剖视图；
[0025]图13C为本
技术实现思路
的第十五实施例的半导体元件的剖视图；
[0026]图14为本
技术实现思路
的第十六实施例的半导体元件的剖视图；以及
[0027]图15为本
技术实现思路
的第十七实施例的半导体元件的剖视图。
[0028]符号说明
[0029]10：半导体叠层
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101：第一反射结构
[0030]102：第二反射结构
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103：共振腔区域
[0031]104：第一半导体接触层
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105：第二半导体接触层
[0032]106：蚀刻阻挡层
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107：导电区域
[0033]108：柱状结构
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1031：第一表面
[0034]1032：第二表面
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1033：侧壁
[0035]20：第一电极
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21：第一外表面
[0036]30：第二电极
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31：电极垫部位
[0037]32：侧部位
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33：第二外表面
[0038]40：基板
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41：顶表面
[0039]42：第一面
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43：第二面
[0040]44：第三面
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45：第四面
[0041]46：第一侧
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47：第二侧
[0042]50：第一导电层
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51：孔洞
[0043]60：粘结层
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70：第二导电层
[0044]80：第一绝缘层
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801：第一区域
[0045]802：第二区域
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90：金属接触层
[0046]100：成长基板
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110：绝缘区域
[0047]120：凹槽
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1201：第三半导体层
[0048]130：第二绝缘层
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1301：第三区域
[0049]1302：第四区域
[0050]1303：开孔
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140：电流限制层
[0051]1401：导电部位
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1402：绝缘部位
[0052]150：光学结构
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1501：凸部
[0053]1502：凹部
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，包含︰基板；半导体叠层，位于该基板上且包含第一反射结构、第二反射结构以及位于该第一反射结构以及该第二反射结构之间的共振腔区域，其中该半导体叠层包含第一表面以及相对于该第一表面的第二表面；第一电极，位于该第一表面且与该第一反射结构电连接；第二电极，位于该第一表面且与该第二反射结构电连接；以及导电层，位于该第二表面且位于该基板及该半导体叠层之间；其中，该共振腔区域可发射一辐射，且该辐射可穿透该导电层且从该...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐子杰，黄意雯，陈守龙，陈新纲，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：