异质结电池硅片的镀膜方法、镀膜设备及电池生产系统技术方案

本发明专利技术涉及电池生产技术领域，提供一种异质结电池硅片的镀膜方法、镀膜设备及电池生产系统，其中，异质结电池硅片的镀膜方法包括采用等离子体增强化学的气相沉积工艺分别在晶体硅基板相对的两面镀本征硅基薄膜；采用热丝化学气相沉积工艺分别在晶体硅基板相对的两面的本征硅基薄膜上镀N型掺杂硅基薄膜和P型掺杂硅基薄膜。如此设置，解决了现有技术中在生产HJT电池的过程中存在的本征非晶硅和掺杂非晶硅的产能不匹配的问题。非晶硅的产能不匹配的问题。非晶硅的产能不匹配的问题。

【技术实现步骤摘要】
异质结电池硅片的镀膜方法、镀膜设备及电池生产系统


[0001]本专利技术涉及电池生产
，尤其涉及一种异质结电池硅片的镀膜方法、镀膜设备及电池生产系统。

技术介绍

[0002]随着光伏技术的快速发展，对电池转换效率以及对太阳能电池的降本提效的要求越来越高。非晶硅薄膜异质结电池(称为HJT电池)由于具备制作工艺流程短、转换效率高、双面率高、低温系数和无光致衰减等优点，具有广阔前景，是新一代电池技术的发展方向。
[0003]HJT电池为在本征非晶硅的两侧分别沉积P型氢化非晶硅和N型氢化非晶硅的电池。现有技术中一般通过等离子体增强化学的气相沉积法(称为PECVD)进行沉积。在利用PECVD方式成膜本征非晶硅和掺杂非晶硅时，本征非晶硅和掺杂非晶硅的成膜速率具有较大差异，造成产能不匹配，从而限制HJT电池的生产效率。
[0004]因此，如何解决现有技术中在生产HJT电池的过程中存在的本征非晶硅和掺杂非晶硅的产能不匹配的问题，成为本领域技术人员所要解决的重要技术问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供一种异质结电池硅片的镀膜方法、镀膜设备及电池生产系统，用以解决现有技术中在生产HJT电池的过程中存在的本征非晶硅和掺杂非晶硅的产能不匹配的缺陷。
[0006]本专利技术提供一种异质结电池硅片的镀膜方法，包括：
[0007]采用等离子体增强化学的气相沉积工艺分别在晶体硅基板相对的两面镀本征硅基薄膜；
[0008]采用热丝化学气相沉积工艺分别在所述晶体硅基板相对的两面的所述本征硅基薄膜上镀N型掺杂硅基薄膜和P型掺杂硅基薄膜。
[0009]根据本专利技术提供的一种异质结电池硅片的镀膜方法，所述采用等离子体增强化学的气相沉积工艺分别在晶体硅基板相对的两面镀本征硅基薄膜，包括：
[0010]将所述晶体硅基板的第一面面向电极部；
[0011]采用等离子体增强化学的气相沉积工艺在所述晶体硅基板的第一面镀所述本征硅基薄膜；
[0012]使所述晶体硅基板的第二面面向电极部；
[0013]采用等离子体增强化学的气相沉积工艺在所述晶体硅基板的第二面镀所述本征硅基薄膜。
[0014]根据本专利技术提供的一种异质结电池硅片的镀膜方法，所述采用热丝化学气相沉积工艺分别在所述晶体硅基板相对的两面的所述本征硅基薄膜上镀N型掺杂硅基薄膜和P型掺杂硅基薄膜，包括：
[0015]将所述晶体硅基板第二面的所述本征硅基薄膜面向热丝部；
[0016]采用热丝化学气相沉积工艺在所述晶体硅基板第二面的所述本征硅基薄膜上镀N型掺杂硅基薄膜；
[0017]将所述晶体硅基板第一面的所述本征硅基薄膜面向热丝部；
[0018]采用热丝化学气相沉积工艺在所述晶体硅基板第一面的所述本征硅基薄膜上镀P型掺杂硅基薄膜。
[0019]根据本专利技术提供的一种异质结电池硅片的镀膜方法，所述使所述晶体硅基板的第二面面向电极部，和，所述将所述晶体硅基板第一面的所述本征硅基薄膜面向热丝部，均包括：
[0020]对所述晶体硅基板进行翻面操作。
[0021]根据本专利技术提供的一种异质结电池硅片的镀膜方法，利用载板仅对所述晶体硅基板的边缘进行支撑，所述使所述晶体硅基板的第二面面向电极部，包括：
[0022]调整所述载板与所述电极部的相对位置；
[0023]所述将所述晶体硅基板第一面的所述本征硅基薄膜面向热丝部，包括：
[0024]调整所述载板与所述热丝部的相对位置。
[0025]根据本专利技术提供的一种异质结电池硅片的镀膜方法，在所述热丝化学气相沉积工艺中，控制反应气体的流量、沉积时间和热丝部的温度，以使所述N型掺杂硅基薄膜为N型掺杂微晶硅基薄膜，和/或，使所述P型掺杂硅基薄膜为P型掺杂微晶硅基薄膜。
[0026]根据本专利技术提供的一种异质结电池硅片的镀膜方法，还包括：
[0027]对所述晶体硅基板进行加热处理；
[0028]对所述晶体硅基板所处环境进行抽真空处理。
[0029]本专利技术还提供一种异质结电池硅片的镀膜设备，包括：
[0030]基于等离子体增强化学的气相沉积工艺的第一镀膜腔和第二镀膜腔，配置为在晶体硅基板相对的两面镀本征硅基薄膜；
[0031]基于热丝化学气相沉积工艺的第三镀膜腔和第四镀膜腔，配置为在所述晶体硅基板相对的两面的所述本征硅基薄膜上镀N型掺杂硅基薄膜和P型掺杂硅基薄膜，所述第一镀膜腔、所述第二镀膜腔、所述第三镀膜腔和所述第四镀膜腔顺序布置；
[0032]输送装置，用于驱使所述晶体硅基板按序通过所述第一镀膜腔、所述第二镀膜腔、第三镀膜腔和所述第四镀膜腔。
[0033]根据本专利技术提供的一种异质结电池硅片的镀膜设备，还包括：
[0034]第一翻面机构，设置在所述第一镀膜腔与所述第二镀膜腔之间，所述第一翻面机构设置为能够对所述晶体硅基板进行翻面操作；
[0035]第二翻面机构，设置在所述第三镀膜腔与所述第四镀膜腔之间，所述第二翻面机构设置为能够对所述晶体硅基板进行翻面操作。
[0036]本专利技术还提供一种电池生产系统，包括上述的异质结电池硅片的镀膜设备。
[0037]本专利技术提供的异质结电池硅片的镀膜方法中，先采用等离子体增强化学的气相沉积工艺在晶体硅基板相对的两面镀本征硅基薄膜，然后再采用热丝化学气相沉积工艺分别在晶体硅基板相对的两面的本征硅基薄膜上镀N型掺杂硅基薄膜和P型掺杂硅基薄膜。由于热丝化学气相沉积工艺具有较高的沉积速率，提高了N型掺杂硅基薄膜和P型掺杂硅基薄膜的成膜速率，降低了本征硅基薄膜的成膜速率与N型掺杂硅基薄膜和P型掺杂硅基薄膜的成
膜速率之间的差距，使产能相匹配，在保证本征硅基薄膜的成膜速率的同时，提高了N型掺杂硅基薄膜和P型掺杂硅基薄膜的成膜速率，从而提高了HJT电池的生产效率。
附图说明
[0038]为了更清楚地说明本专利技术或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0039]图1是本专利技术提供的异质结电池硅片的镀膜方法的流程图；
[0040]图2是本专利技术中的异质结电池硅片的结构示意图；
[0041]图3是本专利技术提供的异质结电池硅片的镀膜设备的结构示意图一；
[0042]图4是本专利技术提供的异质结电池硅片的镀膜设备的结构示意图二；
[0043]图5是本专利技术提供的输送装置的部分结构示意图。
[0044]附图标记：
[0045]1：晶体硅基板；2：本征硅基薄膜；3：N型掺杂硅基薄膜；4：P型掺杂硅基薄膜；5：透明导电薄膜；6：第一镀膜腔；7：第二镀膜腔；8：第三镀膜腔；9：第四镀膜腔；10：第一翻面机构；11：第二翻面机构；12：载板；13：第一电极部；14：第二电极部；15：第一热丝部；16：第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种异质结电池硅片的镀膜方法，其特征在于，包括：采用等离子体增强化学的气相沉积工艺分别在晶体硅基板相对的两面镀本征硅基薄膜；采用热丝化学气相沉积工艺分别在所述晶体硅基板相对的两面的所述本征硅基薄膜上镀N型掺杂硅基薄膜和P型掺杂硅基薄膜。2.根据权利要求1所述的异质结电池硅片的镀膜方法，其特征在于，所述采用等离子体增强化学的气相沉积工艺分别在晶体硅基板相对的两面镀本征硅基薄膜，包括：将所述晶体硅基板的第一面面向电极部；采用等离子体增强化学的气相沉积工艺在所述晶体硅基板的第一面镀所述本征硅基薄膜；使所述晶体硅基板的第二面面向电极部；采用等离子体增强化学的气相沉积工艺在所述晶体硅基板的第二面镀所述本征硅基薄膜。3.根据权利要求2所述的异质结电池硅片的镀膜方法，其特征在于，所述采用热丝化学气相沉积工艺分别在所述晶体硅基板相对的两面的所述本征硅基薄膜上镀N型掺杂硅基薄膜和P型掺杂硅基薄膜，包括：将所述晶体硅基板第二面的所述本征硅基薄膜面向热丝部；采用热丝化学气相沉积工艺在所述晶体硅基板第二面的所述本征硅基薄膜上镀N型掺杂硅基薄膜；将所述晶体硅基板第一面的所述本征硅基薄膜面向热丝部；采用热丝化学气相沉积工艺在所述晶体硅基板第一面的所述本征硅基薄膜上镀P型掺杂硅基薄膜。4.根据权利要求3所述的异质结电池硅片的镀膜方法，其特征在于，所述使所述晶体硅基板的第二面面向电极部，和，所述将所述晶体硅基板第一面的所述本征硅基薄膜面向热丝部，均包括：对所述晶体硅基板进行翻面操作。5.根据权利要求3所述的异质结电池硅片的镀膜方法，其特征在于，利用载板仅对所述晶体硅基板的边缘进行支撑，所述使所述晶体硅基板的第二面面...

【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ七四专利代理机构，
申请(专利权)人：三一集团有限公司，
类型：发明
国别省市：