【技术实现步骤摘要】
一种紫外LED封装结构
[0001]本技术涉及LED封装结构
,具体涉及一种紫外LED封装结构。
技术介绍
[0002]LED(Light Emitting Diode,半导体发光二极管)是一种常用的发光器件,通过电子与空穴复合释放能量发光,它在照明领域应用广泛。LED封装是指发光芯片的封装,其的功能在于提供芯片足够的保护,防止芯片在空气中长期暴露或机械损伤而失效,以提高芯片的稳定性。
[0003]紫外LED是指采用LED发光原理的紫外半导体光源,包括200nm~400nm之间的所有电磁辐射波长,根据其发光波长可进一步区分为UVA(320nm~400nm,长波紫外线)、UVB(280nm~315nm,中波紫外线)和UVC(200nm~280nm,短波紫外线)波段。UVC波段可用于杀菌消毒,UVA可实现光触媒,UVB可实现植物生长和医疗使用。但是目前市场上的紫外LED封装通常只实现了单一波段,用途单一。
[0004]因此,实有必要提供一种新的紫外LED封装结构以解决上述技术问题。
技术实现思路
>[0005]针对现本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种紫外LED封装结构,其包括共同形成收容空间的基板、金属围坝边、玻璃,其特征在于,其还包括收容于所述收容空间的芯片组以及固定于所述基板且暴露于外的焊盘组,所述芯片组包括第一UVA芯片、第二UVA芯片、UVB芯片、UVC芯片,所述第一UVA芯片、第二UVA芯片串联连接后与所述UVB芯片、所述UVC芯片并联连接,所述焊盘组包括电连接所述第一UVA芯片、第二UVA芯片串联后的两极的第一焊盘、第二焊盘,所述焊盘组包括电连接所述UVB芯片的两极的第三焊盘、第四焊盘,所述焊盘组还包括电连接所述UVC芯片的两极的第五焊盘、第六焊盘。2.根据权利要求1所述的一种紫外LED封装结构,其特征在于,所述芯片组还包括与所述UVB芯片并联的第一齐纳二极管、与所述UVC芯片并联的第二齐纳二极管。3.根据权利要求2所述的一种紫外LED封装结构,其特征在于,所述基板包括第一表面、第二表面、贯穿所述基板的若干导电孔,所述第一表面包括与所述芯片组相对应且间隔设置的若干电极部。4.根据权利要求3所述的一种紫外LED封装结构,其特征在于,所述第二表面包括保护区、散热区、与所述若干电极部通过所述若干导电孔实现导通的若干导电部,所述焊盘组...
【专利技术属性】
技术研发人员:蔡俊,
申请(专利权)人:山西华微紫外半导体科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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