【技术实现步骤摘要】
一种SGT
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MOSFET半导体器件
[0001]本技术涉及半导体加工领域，具体涉及一种SGT
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MOSFET半导体器件。
技术介绍
[0002]为了提高功率MOSFET的性能，国内外提出了SJ(Super Junction，超结)
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MOSFET和SGT(Shielded Gate Transistor，屏蔽栅沟槽)
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MOSFET等新型结构。SJ
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MOSFET采用P柱与N柱互相间隔的超结结构，P柱与N柱能够完全耗尽，起到电荷补偿效应，通过这一结构，在高压功率器件领域中，导通电阻可以下降到“硅极限”以下。但是在制造低压超结MOSFET时无法避免N柱与P柱中掺杂杂质的互相扩散，导致N柱的电阻率上升，生产过程很难被控制，这一点在低压超结结构中是不能被接受的。而SGT
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MOSFET结构可利用其第一层多晶层作为“体内场板”来降低漂移区的电场，所以SGT
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MOSFET通常具有更低的导通电阻和更高的穿电压...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种SGT
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MOSFET半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底，位于所述半导体衬底第一表面的漂移区；位于所述漂移区内的第一栅结构和两个第二栅结构，所述第一栅结构位于两个第二栅结构之间；位于所述漂移区内且位于两个第二栅结构外侧的第一离子掺杂区和位于第一离子掺杂区表面的重掺杂源区；位于所述漂移区内且位于相邻的第一栅结构与第二栅结构之间的第二离子掺杂区，所述第一离子掺杂区和第二离子掺杂区的掺杂类型相同且与漂移区的掺杂类型相反；位于所述第二栅结构表面的栅极电极，位于所述重掺杂源区表面的源极电极，位于所述半导体衬底第二表面的漏极电极，位于所述第一栅结构和第二离子掺杂区表面的接地电极。2.根据权利要求1所述的一种SGT
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MOSFET半导体器件，其特征在于，所述漂移区内具有第一沟槽，所述第一栅结构包括位于第一沟槽内侧的第一绝缘介质层和位于第一绝缘介质层内侧的第一屏蔽栅。3.根据权利要求1所述的一种SGT
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MOSFET半导体器件，其特征在于，所述漂移区内具有第二沟槽，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘进，陈欣璐，曾聪智，汪剑华，隋金池，
申请(专利权)人：派恩杰半导体杭州有限公司，
类型：新型
国别省市：
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