一种制备高比容腐蚀箔的前处理方法及其应用技术

本发明专利技术提供了一种制备高比容腐蚀箔的前处理方法及其应用。所述前处理方法将铝箔放入前处理液中进行浸泡，并施加第一微波能量，所述第一微波能量密度为20～50W/m3，控制所述前处理液的温度为315～335K。可以有效提升前处理液体系中分子振动的频率和振幅，增加分子的内能，促进腐蚀位点形成和均匀性分布，可以使腐蚀箔的发孔数量明显增加；在第二电解腐蚀中引入第二微波能量，有助于孔洞的深入和孔径增长，可以使腐蚀箔经40μm抛光后孔洞保持率提升，且静电容量进一步提升。且静电容量进一步提升。且静电容量进一步提升。

【技术实现步骤摘要】
一种制备高比容腐蚀箔的前处理方法及其应用


[0001]本专利技术属于腐蚀箔
，具体涉及一种制备高比容腐蚀箔的前处理方法及其应用。

技术介绍

[0002]铝点解电容器具有容量大和耐电压等优点，是电子工程中极为重要的一种基础元器件。电极箔是铝电解电容器的关键性原材料，其制造技术很大程度上决定了铝电解电容器的技术水平。为了满足电子产品日益小型化和集成化的要求，需要实现铝电解电容器用电极箔的高比容化。其中，腐蚀箔比容是铝电极箔比容的基础。
[0003]现有技术中，腐蚀箔的制备过程为：前处理
‑
第一级发孔腐蚀
‑
第二级扩孔腐蚀
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后处理制得。为提高腐蚀箔的比容，通常采用改变处理温度、电流密度或者反应物浓度等来进行优化，但是仅通过参数优化腐蚀箔性能已经无法突破腐蚀箔比容的瓶颈。因此，为了进一步提高腐蚀箔的比容，需要开发一种更好的制备高比容腐蚀箔的前处理方法。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于克服现有技术不足，提供了一种制备高比容腐蚀箔的前处理方法，所述前处理方法施加微波能量，可以改善后续腐蚀工艺中腐蚀位点数量少，密度低的问题，同时可以有效提高腐蚀箔的折弯强度和静电容量。
[0005]为实现上述目的，本专利技术通过以下技术方案来实现的：
[0006]将铝箔放入前处理液中进行浸泡，并施加第一微波能量，所述第一微波能量密度为20～50W/m3，控制所述前处理液的温度为315～335K。
[0007]上述方案中，采用施加微波能量，可以有效提升前处理液体系中分子振动的频率和振幅，增加分子的内能，促进反应体系中粒子之间有效碰撞，促进腐蚀位点形成和分布均匀性，再经腐蚀发孔扩孔后，可以使得腐蚀箔形成大量的腐蚀孔洞，腐蚀箔的发孔数量明显增加，且静电容量和折曲强度有明显提升。
[0008]优选地，所述第一微波能量密度为40～50W/m3。
[0009]优选地，所述将铝箔放入前处理液中进行浸泡，包括如下步骤：先将铝箔在第一前处理液浸泡，再在第二前处理液浸泡。
[0010]具体地，所述第一前处理液为含有0.2～0.3mol/L氢氧化钠的溶液；所述第二前处理液为含有0.8～1.2mol/L盐酸和3.0～4.0mol/L硫酸的混合溶液。
[0011]优选地，所述第一前处理液的浸泡时间为110～130s。
[0012]优选地，所述第二前处理液的浸泡时间为110～130s。
[0013]本专利技术的另一目的在于提供一种前处理铝箔。
[0014]本专利技术的另一目的在于提供一种高比容腐蚀箔的制备方法。
[0015]一种高比容腐蚀箔的制备方法，包括以下步骤：将上述方法制得的前处理铝箔依次进行加电腐蚀腐蚀、后处理、烘干处理。
[0016]具体地，所述高比容腐蚀箔的制备方法包括以下步骤：
[0017]S1.应用所述前处理方法对铝箔进行前处理得到前处理铝箔；
[0018]S2.将所述前处理铝箔放入第一电解槽液中加电腐蚀，清洗，得到第一电解腐蚀箔；
[0019]S3.将步骤S2.中第一电解腐蚀箔放入第二电解槽液中加电腐蚀，清洗，得到第二电解腐蚀箔；
[0020]S4.将步骤S3.中第二电解腐蚀箔放入硝酸溶液处理，清洗，烘干。
[0021]本专利技术中，可以参考现有技术中腐蚀箔制备方法选用常用的第一电解槽液。优选地，步骤S2.中，所述第一电解槽液为盐酸和硫酸的混合溶液，盐酸浓度为0.8～1.2mol/L，硫酸浓度为3.0～4.0mol/L。
[0022]本专利技术中，可以参考现有技术中腐蚀箔制备方法选用常用的第一电解槽液温度范围。优选地，步骤S2.中，所述第一电解槽液温度为320～360K。
[0023]优选地，步骤S2.中，所述加电腐蚀的电流密度为0.2～0.4A/cm2。
[0024]优选地，步骤S2.中，所述加电腐蚀的时间为120～180s。
[0025]为进一步促进腐蚀箔的孔洞深入和孔径增长.在步骤S3.中，还施加第二微波能量，所述第二微波能量密度为20～50W/m3。
[0026]优选地，步骤S3.中，所述第二电解槽液为0.3～0.7mol/L硝酸。
[0027]优选地，步骤S3.中，所述第二电解槽液温度为320～360K。
[0028]优选地，步骤S3.中，所述加电腐蚀的电流密度为0.2～0.4A/cm2。
[0029]优选地，步骤S3.中，所述加电腐蚀的时间为250～320s。
[0030]优选地，步骤S4.中，所述硝酸溶液的质量分数为3～8％。
[0031]优选地，步骤S4.中，所述硝酸溶液的温度为60～70℃。
[0032]一种高比容腐蚀箔，采用上述方法制得。
[0033]本专利技术的另一目的在于提供一种高比容化成箔的制备方法。
[0034]与现有技术相比，本专利技术具有如下有益效果：
[0035]本专利技术提供一种制备高比容腐蚀箔的前处理方法，本专利技术采用在前处理中引入微波能量，并控制微波能量密度，可以有效提升前处理液体系中分子振动的频率和振幅，增加分子的内能，促进腐蚀位点形成和均匀性分布，可以使腐蚀箔的发孔数量明显增加；在第二电解腐蚀中引入微波能量，有助于孔洞的深入和孔径增长，可以使腐蚀箔经40μm抛光后孔洞保持率提升，且静电容量进一步提升。
附图说明
[0036]图1为实施例1前处理方法后制备的腐蚀箔抛光10μm后的表面形貌图；
[0037]图2为实施例4前处理方法后制备的腐蚀箔抛光10μm后的表面形貌图；
[0038]图3为对比例1前处理方法后制备的腐蚀箔抛光10μm后的表面形貌图；
[0039]图4为对比例2前处理方法后制备的腐蚀箔抛光10μm后的表面形貌图；
[0040]图5为实施例4前处理方法后制备的腐蚀箔抛光40μm后的表面形貌图；
[0041]图6为实施例6制备的腐蚀箔抛光40μm后的表面形貌图；
[0042]图7为实施例9制备的腐蚀箔抛光40μm后的表面形貌图。
具体实施方式
[0043]下面结合具体实施例对本专利技术做出进一步地详细阐述，所述实施例只用于解释本专利技术，并非用于限定本专利技术的范围。下述实施例中所使用的试验方法如无特殊说明，均为常规方法；所使用的材料、试剂等，如无特殊说明，为可从商业途径得到的试剂和材料。
[0044]实施例中所用的铝箔：厚度为130μm，纯度为99.99％，立方织构度大于95％的铝箔，购自乳源东阳光优艾杰精箔有限公司；所用盐酸、硫酸、硝酸均为市售分析纯。
[0045]实施例和对比例中前处理方法均在可控温的槽体中进行。
[0046]实施例1
[0047]一种制备高比容腐蚀箔的前处理方法，其特征在于，包括如下步骤：
[0048]将铝箔放在第一前处理液中浸泡120s，再放入第二前处理液中浸泡120s，并在浸泡第一前处理液和第二前处理液本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制备高比容腐蚀箔的前处理方法，其特征在于，包括如下步骤：将铝箔放入前处理液中进行浸泡，并施加第一微波能量，所述第一微波能量密度为20～50W/m3，控制所述前处理液的温度为315～335K。2.根据权利要求1所述的前处理方法，其特征在于，所述第一微波能量密度为40～50W/m3。3.根据权利要求1所述的前处理方法，其特征在于，所述将铝箔放入前处理液中进行浸泡，包括如下步骤：先将铝箔在第一前处理液浸泡，再在第二前处理液浸泡。4.根据权利要求3所述的前处理方法，其特征在于，所述第一前处理液为含有0.2～0.3mol/L氢氧化钠的溶液；所述第二前处理液为含有0.8～1.2mol/L盐酸和3.0～4.0mol/L硫酸的混合溶液。5.一种前处理铝箔，其特征在于，采用权利要求1～4任一项所述前处理方法制得。6.一种高比容腐蚀...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡三元，陈锦雄，汪启桥，江国东，闫小宇，罗向军，吕根品，李洪伟，
申请(专利权)人：韶关东阳光科技研发有限公司，
类型：发明
国别省市：