一种化学镀镍金DPC陶瓷基板制备方法技术

本发明专利技术公开了一种化学镀镍金DPC陶瓷基板制备方法；本发明专利技术所达到的有益效果是：本发明专利技术重新设计了DCP化学镀镍金的工艺，避免了在蚀刻前需要对陶瓷基板镀保护锡导致工艺步骤延长，成本增加的缺点，且免去了退锡过程，有效减少了产品的外观不良率，有效提高了产品的表面形貌；且本发明专利技术还对DCP图案间距中所存在的铜层以及TiW底层的蚀刻进行了严格限定，严格规定了蚀刻液种类、工作温度与蚀刻时长，避免了蚀刻不良或过度蚀刻带来的不良影响，进一步提高了产品良率，降低生产成本与其表观性能，具有广阔的应用市场。有广阔的应用市场。有广阔的应用市场。

【技术实现步骤摘要】
一种化学镀镍金DPC陶瓷基板制备方法


[0001]本专利技术涉及DPC覆铜板
，具体为一种化学镀镍金DPC陶瓷基板制备方法。

技术介绍

[0002]DPC，即直接镀铜陶瓷基板技术，主要应用于半导体
，在半导体制冷器、光通信模块以及太阳能电池等封面具有的广泛的应用。现有DPC工艺主要是将陶瓷基板清洗后进行真空镀膜，并在其表面进行图形转移工艺，完成线路制作，再以电镀或化学镀的方式增加线路厚度，并最终完成陶瓷基板的金属化制作，但是现有工艺中，为了保证陶瓷基板产品良率，在蚀刻前往往需要在其表面镀锡层保护，时刻完成后再退锡，造成工艺流程延长、成本增加且易造成产品外观不良；其次因为DPC产品图形间距较小，蚀刻间距低铜时，间距底部铜层不易蚀刻干净，易导致化学镍金时渗金不良，但延长蚀刻时间又容易造成图形尺寸超差，造成产品良率下降。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种化学镀镍金DPC陶瓷基板制备方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0004]为了解决上述技术问题，本专利技术提供如下技术方案：一种化学镀镍本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种化学镀镍金DPC陶瓷基板制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.清洗陶瓷基板；S2.对陶瓷基板溅射TiW层作为底层，并在其上溅射Cu层；S3.溅射后清洗陶瓷基板表面，对其表面进行贴膜、曝光、显影，进行图形转移制作；S4.电镀铜增厚陶瓷基板；S5.去除镀铜液表面干膜并蚀刻显影后图形间距残余铜层，之后使用双氧水浸泡覆铜基版，腐蚀TiW层；S6.研磨覆铜板表层，去除氧化层并研磨至平整，喷砂处理，去除研磨痕迹；S7.镀铜板表面镀镍金，清理覆铜板表面，封孔，得到所述化学镀镍金DPC陶瓷基板。2.根据权利要求1所述的一种化学镀镍金DPC陶瓷基板制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：S1.清洗陶瓷基板并烘干；S2.陶瓷基板两侧表面磁控溅射TiW层作为底层，并在TiW层上溅射Cu层，并清洗陶瓷基板表面，烘干；S3.对陶瓷基板除油处理后，酸洗去除表面杂质，对其进行贴膜、曝光、显影，进行图形转移制作；S4.图形转移完成后，将陶瓷基板浸没在电镀液中，并对其显影区域电镀镀铜增厚；S5.使用NaOH溶液去除陶瓷基板表面干膜后，蚀刻液腐蚀显影图像间距残余铜层，暴露TiW层，清洗覆铜板并将其置于双氧水中，去除暴露TiW层；S6.研磨陶瓷基板表面，去除氧化区域与不平整区域，并对其表面采用水平湿喷砂工艺处理，去除表面研磨痕迹；S7.对陶瓷基板表面化学镀镍金，并使用去离子水清洗陶瓷基板表面，封孔，得到化学镀镍金DPC陶瓷基板。3.根据权利要求2所述的一种化学镀镍金DPC陶瓷基板制备方法，其特征在于：步骤S2中，所述TiW层厚度为0.1
‑
0.2μm；所述Cu层厚度为1.0
‑
2.0μm。4.根据权利要求2所述的一种化学镀镍金DPC陶瓷基板制备方法，其特征在于：步骤S4中，所述电镀液包括以下物质：铜离子浓度为15～25g/L，硫酸浓度范围为10～14％，氯离子浓度范围为40～80ppm，整平剂浓度为10～20ml/L，光泽剂浓度为0.1～0.3ml/L，余量为水；其中，所述电镀液工作温度为20
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【专利技术属性】
技术研发人员：余龙，贺贤汉，孔进进，李炎，王松，李辛未，
申请(专利权)人：江苏富乐华半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：