显示面板和电子终端制造技术

本发明专利技术提供了显示面板和电子终端，包括基板、位于基板上的像素层和辅助电极层，像素层包括间隔设置的多个子像素，子像素包括阳极部、位于阳极部上的发光部、位于发光部上的阴极部，多个阴极部电性连接以形成阴极层，辅助电极层包括与多个子像素一一对应的多个辅助电极，辅助电极位于相邻两阳极部之间，辅助电极包括第一底切开口和第二底切开口，阴极部包括与对应的阳极部相对设置的、延伸至搭接于对应的第一底切开口以并联的第一阴极部，其中，本发明专利技术将阴极部设置分别并联于辅助电极的不同位置以形成两次搭接的第一阴极部和第二阴极部，以增加搭接位置和面积，进一步改善了阴极层不同位置压降差异导致的显示不均的现象。极层不同位置压降差异导致的显示不均的现象。极层不同位置压降差异导致的显示不均的现象。

【技术实现步骤摘要】
显示面板和电子终端


[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及显示器件的制造，具体涉及显示面板和电子终端。

技术介绍

[0002]OLED(Organic Light
‑
Emitting Diode，有机发光半导体)显示面板是通过载流子的注入和复合而致发光，具有轻薄、亮度高、功耗低、响应快、清晰度高等优点。
[0003]目前，对于大尺寸OLED显示面板而言，面积较大且厚度较小的阴极导致的压降问题，使得OLED显示面板的中心区域和边缘区域的亮度差异较大，通常采用在阴极和辅助电极之间设置倒梯形的隔离柱以搭接阴极和辅助电极，但考虑到体积占比大的隔离柱影响显示面板的开口率和封装，阴极和辅助电极的搭接位置设置的较少，导致阴极和辅助电极的搭接面积和搭接成功的概率均较低，无法较好地解决阴极压降导致的显示不均的问题。
[0004]因此，现有的大尺寸OLED显示面板中阴极和辅助电极的搭接位置较少造成阴极压降导致的显示不均现象无法较好地缓解，急需改进。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供显示面板和电子终端，以解决现有的大尺寸OLED显示面板中因阴极和辅助电极的搭接位置较少造成的显示不均现象仍较为严重的技术问题。
[0006]本专利技术实施例提供显示面板，包括：
[0007]基板；
[0008]像素层，位于所述基板上，包括间隔设置的多个子像素，所述子像素包括阳极部、位于所述阳极部上的发光部和位于所述发光部上的阴极部，多个所述阴极部电性连接以形成阴极层；
[0009]辅助电极层，位于所述基板上，包括与多个所述子像素一一对应的多个辅助电极，所述辅助电极位于相邻两所述阳极部之间，所述辅助电极包括第一底切开口、位于所述第一底切开口远离对应的所述阳极部的一侧的第二底切开口；
[0010]其中，所述阴极部包括：
[0011]第一阴极部，与对应的所述阳极部相对设置，且延伸至搭接于对应的所述第一底切开口以并联于第一底切开口的侧部；
[0012]第二阴极部，与所述第一阴极部间隔设置且电性连接，且搭接于对应的所述第二底切开口以并联于第二底切开口的侧部。
[0013]在一实施例中，还包括：
[0014]电路层，位于所述基板上；
[0015]钝化层，位于所述电路层和所述像素层之间；
[0016]其中，所述辅助电极至少位于所述钝化层和所述阴极层之间，所述第二阴极部位于所述辅助电极上以并联于所述辅助电极。
[0017]在一实施例中，所述辅助电极包括：
[0018]第一子辅助电极，位于所述钝化层和所述阴极层之间，所述第一子辅助电极设有所述第一底切开口；
[0019]第二子辅助电极，位于所述第一子辅助电极之下，所述第一子辅助电极靠近所述第二子辅助电极的一侧与所述第二子辅助电极电性连接，且形成所述第二底切开口以裸露出所述第二子辅助电极；
[0020]其中，所述第二子辅助电极04的组成材料包括金属。
[0021]在一实施例中，所述电路层包括多个晶体管，所述晶体管包括：
[0022]有源层；
[0023]源漏极层，位于所述有源层上，包括电性连接于所述有源层的一侧的源极、电性连接于所述有源层的另一侧的漏极，所述源极或者所述漏极电性连接至对应的所述阳极部；
[0024]栅极层，位于所述有源层靠近或者远离所述源漏极层的一侧；
[0025]其中，所述第二子辅助电极与所述源漏极层同层设置。
[0026]在一实施例中，还包括：
[0027]平坦层，位于所述钝化层上，设有位于相邻两所述阳极部之间的开口；
[0028]其中，所述第一子辅助电极自所述平坦层上经由所述开口的侧部延伸至所述钝化层上，所述第二阴极部自所述第一子辅助电极上延伸至搭接于所述第二子辅助电极上。
[0029]在一实施例中，所述第一子辅助电极包括：
[0030]第一子层，所述第一子层的组成材料包括钼、钛、镍合金；
[0031]第二子层，位于所述第一子层上，所述第二子层的组成材料包括铝、镍、铜、铼合金；
[0032]第三子层，位于所述第二子层上，所述第三子层的组成材料包括掺锡氧化铟；
[0033]其中，所述第二子层凹陷于所述第一子层和所述第三子层，以形成所述第一底切开口。
[0034]在一实施例中，所述第一子辅助电极和所述阳极部同层设置。
[0035]在一实施例中，具有相邻设置的显示区和非显示区，还包括：
[0036]绑定层，位于所述基板和所述像素层之间，且位于所述非显示区，多个所述子像素位于所述显示区；
[0037]绑定保护层，位于所述绑定层上；
[0038]其中，所述绑定保护层和所述第一子辅助电极同层设置。
[0039]在一实施例中，所述发光部包括：
[0040]第一发光部，位于对应的所述第一阴极部和对应的所述阳极部之间；
[0041]第二发光部，位于对应的所述第二阴极部和对应的所述辅助电极之间，且于所述第一底切开口处与所述第一发光部间隔设置。
[0042]本专利技术实施例还提供电子终端，包括如上文任一所述的显示面板。
[0043]本专利技术提供了显示面板和电子终端，包括：基板；像素层，位于所述基板上，包括间隔设置的多个子像素，所述子像素包括阳极部、位于所述阳极部上的发光部和位于所述发光部上的阴极部，多个所述阴极部电性连接以形成阴极层；辅助电极层，位于所述基板上，包括与多个所述子像素一一对应的多个辅助电极，所述辅助电极位于相邻两所述阳极部之
间，所述辅助电极包括第一底切开口、位于所述第一底切开口远离对应的所述阳极部的一侧的第二底切开口；其中，所述阴极部包括：第一阴极部，与对应的所述阳极部相对设置，且延伸至搭接于对应的所述第一底切开口以并联于第一底切开口的侧部；第二阴极部，与所述第一阴极部间隔设置且电性连接，且搭接于对应的所述第二底切开口以并联于第二底切开口的侧部。其中，本专利技术中的第一阴极部和第二阴极部分别并联于辅助电极的不同位置以形成两次搭接，增加了阴极层和辅助电极的搭接位置的数量以提高并联的可靠性，并且增加了阴极层和辅助电极的搭接面积，以降低了整体的阻抗，均可以进一步改善阴极层不同位置压降差异导致的显示不均的现象。
附图说明
[0044]下面通过附图来对本专利技术进行进一步说明。需要说明的是，下面描述中的附图仅仅是用于解释说明本专利技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0045]图1为本专利技术实施例提供的显示面板的截面示意图；
[0046]图2(a)和图2(b)为本专利技术实施例提供的显示面板的制作方法的场景示意图。
具体实施方式
[0047]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述。显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：基板；像素层，位于所述基板上，包括间隔设置的多个子像素，所述子像素包括阳极部、位于所述阳极部上的发光部和位于所述发光部上的阴极部，多个所述阴极部电性连接以形成阴极层；辅助电极层，位于所述基板上，包括与多个所述子像素一一对应的多个辅助电极，所述辅助电极位于相邻两所述阳极部之间，所述辅助电极包括第一底切开口、位于所述第一底切开口远离对应的所述阳极部的一侧的第二底切开口；其中，所述阴极部包括：第一阴极部，与对应的所述阳极部相对设置，且延伸至搭接于对应的所述第一底切开口以并联于第一底切开口的侧部；第二阴极部，与所述第一阴极部间隔设置且电性连接，且搭接于对应的所述第二底切开口以并联于第二底切开口的侧部。2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括：电路层，位于所述基板上；钝化层，位于所述电路层和所述像素层之间；其中，所述辅助电极至少位于所述钝化层和所述阴极层之间，所述第二阴极部位于所述辅助电极上以并联于所述辅助电极。3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述辅助电极包括：第一子辅助电极，位于所述钝化层和所述阴极层之间，所述第一子辅助电极设有所述第一底切开口；第二子辅助电极，位于所述第一子辅助电极之下，所述第一子辅助电极靠近所述第二子辅助电极的一侧与所述第二子辅助电极电性连接，且形成所述第二底切开口以裸露出所述第二子辅助电极；其中，所述第二子辅助电极04的组成材料包括金属。4.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述电路层包括多个晶体管，所述晶体管包括：有源层；源漏极层，位于所述有源层上，包括电性连接于所述有源层的一侧的源极、电性连接于所述有源层的另一侧的漏极，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：武凡靖，胡靖源，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：