显示面板及其制作方法、移动终端技术

本申请提供一种显示面板及其制作方法、移动终端，该显示面板包括层叠设置的基底、第一栅极、第一绝缘层、有源层、第二绝缘层以及第二栅极；有源层包括层叠设置于第一绝缘层上的第一金属氧化物半导体层和第二金属氧化物半导体层；本申请实施例通过设置第一金属氧化物半导体层的含氧量大于第二金属氧化物半导体层的含氧量，第一金属氧化物半导体层包括第一导体部、第二导体部以及位于第一导体部和第二导体部之间的有源段，在垂直于基底的方向上，第二金属氧化物半导体层的正投影至少覆盖有源段的正投影，从而避免现有技术中，有源层与绝缘层接触时会在接触界面处产生缺陷，提升有源层的载流子迁移率，并且提升显示面板的稳定性。性。性。

【技术实现步骤摘要】
显示面板及其制作方法、移动终端


[0001]本申请涉及显示领域，特别涉及一种显示面板及其制作方法、移动终端。

技术介绍

[0002]采用氧化铟镓锌(IndiumGalliumZincOxide,IGZO)为代表的非晶金属氧化物的薄膜晶体管，因超高分辨率、大尺寸、高帧率处理和可见光范围内穿透率高等显著优点在主动矩阵有机发光二极体面板(ActiveMatrix/OrganicLightEmittingDiode，AMOLED)中具有广阔的应用前景。
[0003]现有的薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)具体包括依次叠设的栅极、绝缘层、有源层、栅极绝缘层、源极和漏极，位于源极和漏极之间的有源区即为沟道区；相对于传统的非晶硅(a
‑
si)有源层，现有的金属氧化物薄膜晶体管一般采用物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition，PVD)工艺制作氧化铟镓锌作为有源层，由于有源层与栅极绝缘层在接触时会在界面处产生缺陷，这些缺陷会捕获有源层中的载流子，导致载流子在缺陷处累积且降低有源层中载流子的浓度和迁移率，进而导致器件的光照稳定性和可靠性较差，容易使得显示装置出现显示不良。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供一种显示面板及其制作方法、移动终端，用以缓解相关技术中的不足。
[0005]为实现上述功能，本申请实施例提供的技术方案如下：
[0006]本申请实施例提供一种显示面板，包括基底、以及层叠设置于所述基底上的第一栅极、第一绝缘层、有源层、第二绝缘层和第二栅极；
[0007]所述有源层包括层叠设置于所述第一绝缘层上的第一金属氧化物半导体层和第二金属氧化物半导体层；
[0008]其中，所述第一金属氧化物半导体层的含氧量大于所述第二金属氧化物半导体层的含氧量，所述第一金属氧化物半导体层包括第一导体部、第二导体部以及位于所述第一导体部和所述第二导体部之间的有源段，在垂直于所述基底的方向上，所述第二金属氧化物半导体层的正投影至少覆盖所述有源段的正投影。
[0009]在本申请实施例所提供的显示面板中，所述显示面板包括位于所述基底和第一绝缘层之间的第一金属层，所述第一金属层包括间隔设置的第一电极、所述第一栅极以及第二电极，其中，所述第一电极与所述第一导体部连接，所述第二电极与所述第二导体部连接。
[0010]在本申请实施例所提供的显示面板中，所述第一导体部与所述第二金属氧化物半导体层的上表面及所述第二金属氧化物半导体层靠近所述第一导体部的一侧接触，所述第二导体部与所述第二金属氧化物半导体层的上表面及所述第二金属氧化物半导体层靠近所述第一导体部的一侧接触；其中，所述第二绝缘层位于所述第一导体部和所述第二导体
部之间。
[0011]在本申请实施例所提供的显示面板中，所述第一栅极和所述第二栅极分别被配置为大小相等的负极性扫描电压。
[0012]在本申请实施例所提供的显示面板中，所述第二金属氧化物半导体层中的载流子浓度大于所述第一金属氧化物半导体层中的载流子浓度。
[0013]在本申请实施例所提供的显示面板中，在垂直于所述基底的方向上，所述第一金属氧化物半导体层的厚度范围为300～800埃，第二金属氧化物半导体层的厚度范围为300～500埃。
[0014]在本申请实施例所提供的显示面板中，所述第一金属氧化物半导体层的材料为铟锌氧化物，所述第二金属氧化物半导体的材料为铟镓锌氧化物。
[0015]本申请实施例提供一种显示面板的制作方法，包括以下步骤：
[0016]提供一基底；
[0017]在所述基底上依次形成第一栅极、第一绝缘层、有源层、第二绝缘层和第二栅极，其中，所述第一金属氧化物半导体层的含氧量大于所述第二金属氧化物半导体层的含氧量，所述第一金属氧化物半导体层包括第一导体部、第二导体部以及位于所述第一导体部和所述第二导体部之间的有源段，在垂直于所述基底的方向上，所述第二金属氧化物半导体层的正投影至少覆盖所述有源段的正投影。
[0018]在本申请实施例所提供的制作方法中，所述在所述基底上形成有源层的步骤包括：
[0019]在所述第一绝缘层远离所述第一栅极的一侧依次形成第一金属氧化物半导体材料层和第二金属氧化物半导体材料层，
[0020]对所述第一金属氧化物半导体材料层和所述第二金属氧化物半导体材料层进行图案化操作，形成第一金属氧化物半导体子层和所述第二金属氧化物半导体层；
[0021]在所述第二金属氧化物半导体层远离所述第一金属氧化物半导体子层的一侧形成第三金属氧化物半导体材料层；
[0022]对所述第三金属氧化物半导体材料层进行图案化操作，形成第二金属氧化物半导体子层，其中，所述第一金属氧化物半导体子层包括所述有源段，所述第二金属氧化物半导体子层包括所述第一导体部和所述第二导体部。
[0023]本申请实施例提供一种移动终端，包括终端主体和上述任一所述的显示面板，所述终端主体与所述显示面板组合为一体。
[0024]本申请实施例的有益效果：本申请实施例提供一种显示面板及其制作方法、移动终端，所述显示面板包括层叠设置的基底、第一栅极、第一绝缘层、有源层、第二绝缘层以及第二栅极；所述有源层包括层叠设置于所述第一绝缘层上的第一金属氧化物半导体层和第二金属氧化物半导体层；本申请实施例通过设置所述第一金属氧化物半导体层的含氧量大于所述第二金属氧化物半导体层的含氧量，所述第一金属氧化物半导体层包括第一导体部、第二导体部以及位于所述第一导体部和所述第二导体部之间的有源段，在垂直于所述基底的方向上，所述第二金属氧化物半导体层的正投影至少覆盖所述有源段的正投影，从而避免现有技术中，所述有源层与绝缘层接触时会在接触界面处产生缺陷，提升所述有源层的载流子迁移率，并且提升所述显示面板的稳定性。
附图说明
[0025]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0026]图1为现有显示面板的截面示意图；
[0027]图2为本申请实施例所提供的显示面板的截面示意图；
[0028]图3为本申请实施例所提供的所述薄膜晶体管的有源层载流子累积示意图；
[0029]图4为本申请实施例所提供显示面板的制作方法的流程图；
[0030]图5A～图5G为图1中显示面板制作的结构工艺流程图。
具体实施方式
[0031]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括基底、及层叠设置于所述基底上的第一栅极、第一绝缘层、有源层、第二绝缘层和第二栅极；所述有源层包括层叠设置于所述第一绝缘层上的第一金属氧化物半导体层和第二金属氧化物半导体层；其中，所述第一金属氧化物半导体层的含氧量大于所述第二金属氧化物半导体层的含氧量，所述第一金属氧化物半导体层包括第一导体部、第二导体部以及位于所述第一导体部和所述第二导体部之间的有源段，在垂直于所述基底的方向上，所述第二金属氧化物半导体层的正投影至少覆盖所述有源段的正投影。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括位于所述基底和第一绝缘层之间的第一金属层，所述第一金属层包括间隔设置的第一电极、所述第一栅极以及第二电极，其中，所述第一电极与所述第一导体部连接，所述第二电极与所述第二导体部连接。3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一导体部与所述第二金属氧化物半导体层的上表面及所述第二金属氧化物半导体层靠近所述第一导体部的一侧接触，所述第二导体部与所述第二金属氧化物半导体层的上表面及所述第二金属氧化物半导体层靠近所述第一导体部的一侧接触；其中，所述第二绝缘层位于所述第一导体部和所述第二导体部之间。4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一栅极和所述第二栅极分别被配置为大小相等的负极性扫描电压。5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二金属氧化物半导体层中的载流子浓度大于所述第一金属氧化物半导体层中的载流子浓度。6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，在垂直于所述基底的方向上，所述第一金属氧化物半导体层的厚度范围为300～80...

【专利技术属性】
技术研发人员：李才文，覃事建，袁夏梁，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：