一种提高硒化镉粉体流动性的方法技术

本发明专利技术公开了一种提高硒化镉粉体流动性的方法，属于粉体材料技术领域。本发明专利技术的一种提高硒化镉粉体流动性的方法，包括以下步骤：(1)将硒化镉锭块破碎处理，得硒化镉颗粒A；(2)将硒化镉颗粒A进行脱氧处理，得硒化镉颗粒B；(3)将硒化镉颗粒B滚磨处理，得所述硒化镉粉体。本发明专利技术通过硒化镉粉体间的自身的作用力来提高流速，不掺入其他提高流速的辅料，减少杂质的引入对硒化镉粉体的性能带来的影响；本发明专利技术提高硒化镉粉体流动性的方法制备工艺简单，对设备要求较低，成本较低，适用于产业化。适用于产业化。

【技术实现步骤摘要】
一种提高硒化镉粉体流动性的方法


[0001]本专利技术涉及一种提高硒化镉粉体流动性的方法，属于粉体材料


技术介绍

[0002]硒化镉(CdSe)是一种n型半导体材料,因其具有窄的直接跃迁带隙结构(1.76eV),可以有效吸收可见光的能量,已被广泛应用于光电化学太阳能电池、光电化学检测、光催化剂以及气敏传感器等领域。纳米半导体材料具有量子尺寸效应、表面效应和介电限域效应等，与有机或无机的其它材料相比有着独特的光学、电学、磁学热学等性能，这与纳米半导体晶粒的尺寸有着密不可分的关系。因此，通过控制合成条件可以不同程度地改变晶粒大小，材料的吸收和发光特性将随纳米晶粒的尺寸增大或减小发生相应红移或蓝移。CdSe材料作为直接带隙的
Ⅱ‑Ⅵ
族半导体材料，禁带宽度达到1.74eV，具有窄的发射光谱，通过改变纳米晶的尺寸可以调节其发射波长范围，因此，CdSe纳米晶可应用于生物标记和荧光显示领域，并在光电器件、生物传感、太阳能电池、发光二极管、压电材料和激光材料等方面也得到了广泛的应用。
[0003]粉体的流动性与粒子的形状、大小、表面状态、密度、空隙率等有关。对颗粒制备的重量差异以及正常的操作影响很大。粉体的流动包括重力流动、压缩流动、流态化流动等多种形式。粉体之所以流动，其本质是粉体中粒子受力的不平衡，对粒子受力分析可知，粒子的作用力有重力、颗粒间的黏附力、摩擦力、静电力等，对粉体流动影响最大的是重力和颗粒间的黏附力。影响粉体流动性的因素非常复杂，粒径分布和颗粒形状对粉体的流动性具有重要影响。此外，温度、含水量、静电电压、空隙率、堆密度、粘结指数、内部摩擦系数、空气中的湿度等因素也对粉体的流动性产生影响。粉体的流动性与粒子大小、粒度分布、粒子形态、表面状态、堆密度等有关，可用休止角[α]、内部摩擦角[θ]、剪切粘着力等评价。常用的方法是测休止角，一般认为休止角α＜30
°
时流动性很好，α＞45
°
时流动性差，但实际生产中α＜40
°
就可满足分剂量的生产要求，也可用霍尔流速来表示粉体的流动性。
[0004]在现实生产应用中，对粉体材料的流动性由很高的要求，现有技术中常通过在粉体材料中掺入其他辅料来提高其流动性，引入的杂质对粉体材料的应用会带来影响。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于克服现有技术的不足之处而提供一种提高硒化镉粉体流动性的方法。本专利技术的提高硒化镉粉体流动性的方法工艺简单，对设备要求较低，成本较低，适用于产业化。
[0006]为实现上述目的，本专利技术采取的技术方案为：一种提高硒化镉粉体流动性的方法，包括以下步骤：
[0007](1)将硒化镉锭块破碎处理，得硒化镉颗粒A；
[0008](2)将硒化镉颗粒A进行脱氧处理，得硒化镉颗粒B；
[0009](3)将硒化镉颗粒B滚磨处理，得所述硒化镉粉体。
[0010]硒化镉是一种n型半导体材料，被广泛应用于光电化学太阳能电池、光电化学检测、光催化剂以及气敏传感器等领域。在实际生产应用中，对硒化镉粉体的流动性有很高的要求，而现有技术中尚未有关于如何提高硒化镉粉体流动性的报道。本专利技术提供的提高硒化镉粉体流动性的方法，制备步骤简单，对设备要求较低，成本较低，制备得到的硒化镉粉体流动性高。
[0011]作为本专利技术所述的提高硒化镉粉体流动性的方法的优选实施方式，所述步骤(1)中的破碎处理为两次破碎处理。
[0012]作为本专利技术所述的提高硒化镉粉体流动性的方法的优选实施方式，所述两次破碎处理为：先将硒化镉锭块破碎成<10mm的颗粒，再经过研磨机破碎成<300μm的颗粒。本专利技术对硒化镉锭块进行两次破碎处理，使硒化镉锭块的颗粒更小，便于进行后续的制备以提高硒化镉粉体的流动性。
[0013]作为本专利技术所述的提高硒化镉粉体流动性的方法的优选实施方式，所述步骤(2)中的脱氧温度为700～1000℃。本申请专利技术人研究发现，硒化镉锭块直接破碎后，粉体表面会吸附很多细粉，细粉在硒化镉颗粒表面极易氧化，所以需要通过脱氧处理将颗粒表面的细粉去除，在此脱氧温度下，硒化镉颗粒表面的细粉能被去除干净而不会造成脱氧过度。
[0014]作为本专利技术所述的提高硒化镉粉体流动性的方法的优选实施方式，所述步骤(3)中滚磨处理的装料量为5～10kg。本申请专利技术人通过大量的实验发现，滚磨处理的装料量影响硒化镉粉体之间的相互作用，从而对硒化镉粉体的流动性有很大的影响，当滚磨处理的装料量为5～10kg时，制备得到的硒化镉粉体流动性更高。
[0015]作为本专利技术所述的提高硒化镉粉体流动性的方法的优选实施方式，所述步骤(3)中滚磨处理的滚磨机转速为50～100r/min。
[0016]作为本专利技术所述的提高硒化镉粉体流动性的方法的优选实施方式，所述步骤(3)中滚磨处理的滚磨时间为2～5.5h。本申请专利技术人通过大量的实验发现，滚磨处理的滚磨时间影响硒化镉粉体的流动性，滚磨时间为2～5.5h时，制备得到的硒化镉粉体流动性更高，且不会因为滚磨过度使粉体颗粒过小而使流动性变差。
[0017]本专利技术还提供一种硒化镉粉体，所述硒化镉粉体采用所述的提高硒化镉粉体流动性的方法制备得到。
[0018]与现有技术相比，本专利技术的有益效果为：本专利技术提供一种提高硒化镉粉体流动性的方法，通过滚磨的来提高的粉体的流动性；本专利技术通过硒化镉粉体间的自身的作用力来提高流速，不掺入其他提高流速的辅料，减少杂质的引入对硒化镉粉体的性能带来的影响；本专利技术提高硒化镉粉体流动性的方法制备工艺简单，对设备要求较低，成本较低，适用于产业化。
具体实施方式
[0019]为更好地说明本专利技术的目的、技术方案和优点，下面将结合具体实施例对本专利技术作进一步说明。
[0020]实施例1
[0021]本专利技术实施例的一种提高硒化镉粉体流动性的方法，包括以下步骤：
[0022](1)将合成的硒化镉锭块破碎成<10mm的颗粒后，再经过研磨机破碎成<300μm的颗
粒；
[0023](2)将研磨机处理过的硒化镉锭颗粒进行脱氧处理，脱氧温度700℃；
[0024](3)将脱氧后的硒化镉锭颗粒按装料量为6.5kg、滚磨机转速为90r/min滚磨2h，得硒化镉粉体。
[0025]实施例2
[0026]本专利技术实施例的一种提高硒化镉粉体流动性的方法，包括以下步骤：
[0027](1)将合成的硒化镉锭块破碎成<10mm的颗粒后，再经过研磨机破碎成<300μm的颗粒；
[0028](2)将研磨机处理过的硒化镉锭颗粒进行脱氧处理，脱氧温度1000℃；
[0029](3)将脱氧后的硒化镉锭颗粒按装料量为8.5kg、滚磨机转速为90r/min滚磨2h，得硒化镉粉体。
[0030]实施例3
[0031]本专利技术实施例的一种提高硒化镉粉体流动性的方法，包括以下本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高硒化镉粉体流动性的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将硒化镉锭块破碎处理，得硒化镉颗粒A；(2)将硒化镉颗粒A进行脱氧处理，得硒化镉颗粒B；(3)将硒化镉颗粒B滚磨处理，得所述硒化镉粉体。2.根据权利要求1所述的提高硒化镉粉体流动性的方法，其特征在于，所述步骤(1)中的破碎处理为两次破碎处理。3.根据权利要求2所述的提高硒化镉粉体流动性的方法，其特征在于，所述两次破碎处理为：先将硒化镉锭块破碎成<10mm的颗粒，再经过研磨机破碎成<300μm的颗粒。4.根据权利要求1所述的提高硒化镉粉体流动性的...

【专利技术属性】
技术研发人员：周荣艳，朱卓南，文崇斌，
申请(专利权)人：先导薄膜材料广东有限公司，
类型：发明
国别省市：