半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

[课题]提供一种半导体装置及其制造方法，能够在半导体装置的多个部件配置在基板之间时在基板之间适当地填充填料。[解决方案]该半导体装置包括：第一基板；多个突起，从第一基板的第一表面突出；至少设置在第一基板的第一表面上的突起之间的多种类型的绝缘膜；第二基板，以面向第一基板的第一表面的方式设置；以及填料，设置在第一基板和第二基板之间以接触多种类型的绝缘膜。多种类型的绝缘膜。多种类型的绝缘膜。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置及其制造方法


[0001]本公开涉及半导体装置及其制造方法。

技术介绍

[0002]当制造诸如发光装置等的半导体装置时，可想到将半导体装置的多个组成部件(例如，多个发光元件或多个连接部)设置在两个基板之间，并且用称为底部填充材料的填充材料填充在这些基板之间。这使得这些组成部件能够被保护免受异物的影响，并且能够在结构上加强这些组成部件。然而，存在如下可能性：在由于基板之间的填充材料的诸如填充速度慢等原因，在基板之间难以填充填充材料的情况下，在基板之间可能形成诸如空隙的填充缺陷。
[0003][引用列表][0004][专利文献][0005][PTL 1][0006]JP 2011
‑
171426 A
[0007][PTL 2][0008]JP 2008
‑
4674 A
[0009][PTL 3][0010]JP 2016
‑
48752 A

技术实现思路

[0011][技术问题][0012]可以想到，在在基板之间用填充材料填充之前，在其中一个基板中形成凹部或通孔，以抑制诸如空隙的填充缺陷。然而，在这种情况下，存在以下问题：仅在凹部或通孔附近解决填充材料的填充困难。
[0013]在用填充材料填充在两个基板之间的情况下，还可以想到将这些基板相对于填充材料的润湿性设置为高。然而，在将半导体装置的多个组成部件设置在基板之间的情况下，如何设定这些组成部件与填充材料之间的关系在这种情况下成为问题。
[0014]因此，本公开提供了一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置在将半导体装置的多个组成部件设置在基板之间的情况下，填充材料能够适当地填充在基板之间。
[0015][问题的解决方案][0016]根据本公开的第一方面的半导体装置，包括：第一基板；多个突出部，相对于第一基板的第一面突出；至少在第一基板的第一面上的突出部之间设置有多种类型的绝缘膜；第二基板，被设置成面向所述第一基板的所述第一面；以及填充材料，设置在第一基板与第二基板之间，以与多种类型的绝缘膜接触。因此，例如，通过这些绝缘膜促进填充材料的填充能够使填充材料适当地填充在第一基板与第二基板之间。
[0017]而且，在该第一方面中，所述多种类型的绝缘膜相对于所述填充材料的润湿性可
彼此不同。因此，例如，利用这些绝缘膜的润湿性的差异使得填充材料能够适当地填充在第一基板与第二基板之间。
[0018]另外，在上述第一方面中，多种类型的绝缘膜可以包括第一绝缘膜和与第一绝缘膜类型不同的第二绝缘膜。因此，例如，通过第一绝缘膜和第二绝缘膜促进填充材料的填充使得填充材料能够适当地填充在第一基板和第二基板之间。
[0019]此外，在该第一方面中，第二绝缘膜可以隔着第一绝缘膜设置在第一基板的第一面上。因此，例如，利用第一绝缘膜和第二绝缘膜的润湿性的差异使得填充材料能够适当地填充在第一基板和第二基板之间。
[0020]此外，在该第一方面中，第二绝缘膜对于填充材料的润湿性可高于第一绝缘膜对于填充材料的润湿性。因此，例如，在不容易填充填充材料的位置处设置第二绝缘膜能够使填充材料适当地填充在第一基板与第二基板之间。
[0021]此外，在该第一方面中，第一基板的第一面可以包括第一区域和第二区域，在第二区域中突出部的密度低于第一区域中的突出部的密度，并且在第二区域中由第二绝缘膜覆盖的面积与第一面的面积的比例可以高于在第一区域中由第二绝缘膜覆盖的面积与第一面的面积的比例。因此，例如，在不容易填充填充材料的第二区域高密度地设置第二绝缘膜，能够使填充材料适当地填充在第一基板与第二基板之间。
[0022]另外，在上述第一方面中，第一绝缘膜可包含Si(硅)和N(氮)，第二绝缘膜可包含Si(硅)和O(氧)。因此，例如，可以使第二绝缘膜的润湿性高于第一绝缘膜的润湿性。
[0023]另外，在上述第一方面中，突出部可具有从第一基板的第一面向第二面发光的发光元件。因此，例如，在半导体装置是发光装置的情况下，填充材料能够适当地填充在第一基板和第二基板之间。
[0024]此外，在该第一方面中，突出部可以包括电连接第一基板侧和第二基板侧的连接部。因此，例如，在第一基板侧和第二基板侧通过连接部电连接的情况下，填充材料能够适当地填充在第一基板与第二基板之间。
[0025]而且，在该第一方面中，连接部可包括凸块或焊料。因此，例如，在第一基板侧和第二基板侧将被凸块连接或焊料连接的情况下，填充材料能够适当地填充在第一基板与第二基板之间。
[0026]而且，在该第一方面中，多个突出部可以不均匀地布置在第一基板的第一面上。因此，例如，即使在这些突出部不均匀地布置的情况下，通过绝缘膜促进填充材料的填充也能够适当地将填充材料填充在第一基板与第二基板之间。
[0027]而且，在该第一方面中，填充材料可以是树脂。因此，例如，填充材料可以容易地填充在第一基板与第二基板之间。
[0028]另外，在上述第一方面中，也可以在第一基板和第二基板之间设置填充材料，使填充材料与多种类型的绝缘膜和第二基板接触。因此，例如，第一基板与第二基板之间的空间可全部填充有填充材料。
[0029]此外，在该第一方面中，第一基板可以是包括镓(Ga)和砷(As)的半导体基板。因此，例如，在使用GaAs基板来制造发光装置的情况下，可以在第一基板与第二基板之间适当地填充填充材料。
[0030]另外，在上述第一方面中，第二绝缘膜可隔着第一绝缘膜设置于第一基板的第一
面和突出部的表面。因此，例如，可以改善第二绝缘膜的布局的自由度。
[0031]另外，在第一方面中，第二绝缘膜可以分割成与填充材料接触的多个部分。因此，例如，可以改善第二绝缘膜的布局的自由度。
[0032]此外，在该第一方面中，多个突出部可布置在第一基板的第一面上以便不形成规则的栅格。因此，例如，即使在存在由于这种非均匀性而不容易用填充材料填充的位置的情况下，填充材料也可以适当地填充在第一基板与第二基板之间。
[0033]此外，根据该第一方面的半导体装置可以进一步包括设置在第一基板的第二面上的多个透镜，作为第一基板的一部分。因此，例如，即使在第一基板是用于透镜的基板的情况下，填充材料也可适当地填充在第一基板与第二基板之间。
[0034]此外，在该第一方面中，第一基板可包括多个芯片区域和切割区域，并且第二绝缘膜可至少设置在切割区域中。因此，例如，即使在切割区域及其附近不容易被填充材料填充的情况下，填充材料也可以适当地填充在第一基板和第二基板之间。
[0035]根据本公开的第二方面的半导体装置的制造方法，包括：形成相对于第一基板的第一面突出的多个突出部；至少在第一基板的第一面上的突出部之间形成多种类型的绝缘膜；将第二基板布置为面对第一基板的第一面；以及在第一基板和第二基板之间形成填充材料，以与多种类型的绝缘膜接触。因此，例如，通过这些绝缘膜促进填充材料的填充能够使填充材料适当地填充在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，包括：第一基板；多个突出部，相对于所述第一基板的第一面突出；多种类型的绝缘膜，至少设置在所述第一基板的所述第一面上的所述突出部之间；第二基板，设置成面向所述第一基板的所述第一面；以及填充材料，设置为在所述第一基板与所述第二基板之间，与所述多种类型的绝缘膜接触。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多种类型的绝缘膜对于所述填充材料的润湿性彼此不同。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多种类型的绝缘膜包括第一绝缘膜以及与所述第一绝缘膜不同类型的第二绝缘膜。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述第二绝缘膜隔着所述第一绝缘膜设置在所述第一基板的所述第一面上。5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述第二绝缘膜对于所述填充材料的润湿性高于所述第一绝缘膜对于所述填充材料的润湿性。6.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述第一基板的所述第一面包括第一区域和第二区域，在所述第二区域中，所述突出部的密度低于所述第一区域中的密度，并且所述第二区域中由所述第二绝缘膜覆盖的所述第一面的面积的的面积比例高于所述第一区域中由所述第二绝缘膜覆盖的所述第一面的面积的面积比例。7.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述第一绝缘膜包括Si(硅)和N(氮)，并且所述第二绝缘膜包括Si(硅)和O(氧)。8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述突出部包括从所述第一基板的所述第一面向第二面发射光的发光元件。9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述突出部包括将第一基板侧与第二基板侧电连接的连接部。10.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：星光成，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：