一种封装方法以及封装体技术

本申请公开了一种封装方法以及封装体，该封装方法包括：获取到待处理板材，待处理板材包括封装基板以及设置于封装基板第一表面的第一芯片；其中，第一芯片通过第一连接件与封装基板键合；将第二芯片未设置有第二连接件的一侧表面贴装在第一芯片远离封装基板的一侧表面上；在封装基板的第一表面上贴装第一导电柱；获取到第一绝缘材料，将第一绝缘材料与封装基板的第一表面、第一芯片、第二芯片以及第一导电柱进行压合，以形成第一塑封体；在第一塑封体上沉积金属，以形成第一导体层；对第一导体层进行蚀刻，以形成第一导电线路；其中，第二芯片通过第二连接件与第一导电线路互连。本申请能够使堆叠芯片不受尺寸的限制，实现异向堆叠。堆叠。堆叠。

【技术实现步骤摘要】
一种封装方法以及封装体


[0001]本申请涉及线路板加工
，特别是涉及一种封装方法以及封装体。

技术介绍

[0002]随着5G技术发展，电子产品的功能越来越全面，体积也越来越小，从而对线路板的要求也越来越高，并带动PCB行业向高密度、高集成和多层化的方向发展。而随着IC(integrated circuit，集成电路)封装高密度、多功能、小型化的快速发展，芯片平铺的芯片封装方式已经不能满足需求。
[0003]目前，通常采用堆叠封装方式使PCB上容纳更多电子元件，以实现高密度、多功能、小型化需求。现有技术中，通常采用wire bonding(半导体键合金线)工艺或在芯片上打孔以实现芯片与其他导电层的互连。
[0004]然而，半导体键合金线与打孔均对对位精度有严格要求，且均会额外占用芯片的空间，因而堆叠的层数越多，后续堆叠的芯片的尺寸越小，故现有技术中的芯片堆叠结构多维金字塔形堆叠结构，堆叠层数受到芯片尺寸的限制，不仅导致堆叠工艺较为复杂，还会影响堆叠芯片的传输效率。

技术实现思路

[0005]本申请主要解决的技术问题是提供一种封装方法以及封装体，能够解决现有堆叠封装结构中存在的堆叠层数受到芯片尺寸限制以及堆叠工艺复杂的问题。
[0006]为解决上述技术问题，本申请采用的第一技术方案是提供一种封装方法，包括：获取到待处理板材，待处理板材包括封装基板以及设置于封装基板第一表面的第一芯片；其中，第一芯片与第一表面贴装的一侧表面上设置有第一连接件，第一芯片通过第一连接件与封装基板键合；获取到第二芯片，第二芯片的一侧表面设置有第二连接件，将第二芯片未设置有第二连接件的一侧表面贴装在第一芯片远离封装基板的一侧表面上；获取到多个第一导电柱，在封装基板的第一表面上贴装第一导电柱；其中，第一导电柱位于第二芯片的周围；获取到第一绝缘材料，将第一绝缘材料与封装基板的第一表面、第一芯片、第二芯片以及第一导电柱进行压合，以形成第一塑封体；其中，第一塑封体位于第一导电柱的周围、第二连接件的周围并覆盖第二芯片上除第二连接件的其余表面以及封装基板的第一表面；在第一塑封体远离封装基板的一侧表面上、第二连接件远离第二芯片的一侧表面上以及第一导电柱远离封装基板的一侧表面上沉积金属，以形成第一导体层；对第一导体层进行蚀刻，以在第一导体层上形成第一导电线路；其中，第二芯片通过第二连接件与第一导电线路互连。
[0007]其中，对第一导体层进行蚀刻，以在第一导体层上形成第一导电线路的步骤后，包括：获取到第三芯片，第三芯片的一侧表面设置有第三连接件，将第三芯片未设置有第三连接件的一侧表面贴装在第一导电线路远离封装基板的一侧表面上；其中，第三芯片在封装基板上的正投影与第二芯片在封装基板上的正投影至少部分重叠；获取到多个第二导电
柱，在第一导电线路远离封装基板的一侧表面上贴装第二导电柱；其中，第二导电柱位于第三芯片的周围，且与第一导电柱对应设置；获取到第二绝缘材料，将第二绝缘材料与第一导电线路远离封装基板的一侧表面、第一塑封体远离封装基板的一侧表面、第三芯片以及第二导电柱进行压合，以形成第二塑封体；其中，第二塑封体位于第二导电柱的周围、第三连接件的周围并覆盖第三芯片上除第三连接件的其余表面、第一导电线路远离封装基板的一侧表面以及第一塑封体远离封装基板的一侧表面；在第二塑封体远离第一塑封体的一侧表面上、第三连接件远离第三芯片的一侧表面上以及第二导电柱远离第一导电线路的一侧表面上沉积金属，以形成第二导体层；对第二导体层进行蚀刻，以在第二导体层上形成第二导电线路；其中，第三芯片通过第三连接件与第二导电线路互连。
[0008]其中，第一连接件、第二连接件以及第三连接件均包括柱状铜凸点或焊盘。
[0009]其中，第一绝缘材料与第二绝缘材料包括环氧树脂类、酚醛树脂类、聚酰亚胺类、BT类、ABF类以及陶瓷基类中的一种或多种。
[0010]其中，对第二导体层进行蚀刻，以在第二导体层上形成第二导电线路的步骤后，还包括：获取到增强材料，将增强材料与第二导电线路远离第二塑封体的一侧表面、第二塑封体远离第一塑封体的一侧表面进行压合，以在第二导电线路以及第二塑封体上形成第一增强层；在第一增强层的预设位置进行钻孔处理，钻穿第一增强层直至露出第二导电线路，以形成第一盲孔；其中，第一盲孔对应第三连接件以及第二导电柱设置；在第一盲孔中灌注导电物质，以形成第一连接柱；在第一增强层远离第二导电线路的一侧表面上沉积金属，以在第一增强层远离第二导电线路的一侧表面上以及第一连接柱上形成第三导电层；对第三导电层进行蚀刻，以在第三导电层上形成第三导电线路。
[0011]其中，对第三导电层进行蚀刻，以在第三导电层上形成第三导电线路的步骤后，还包括：在第三导电线路远离第一增强层的一侧表面上贴装植球；其中，植球与第一连接柱对应设置。
[0012]其中，获取到第一绝缘材料，将第一绝缘材料与封装基板的第一表面、第一芯片、第二芯片以及第一导电柱进行压合，以形成第一塑封体的步骤，具体包括：获取到第一绝缘材料，将第一绝缘材料与封装基板的第一表面、第一芯片、第二芯片以及第一导电柱进行压合，以使第一绝缘材料覆盖第一导电柱远离封装基板的一侧表面、第二芯片远离第一芯片的一侧表面以及封装基板的第一表面；对第一绝缘材料进行研磨，直至露出第一导电柱远离第一表面的一侧表面以及第二连接件远离第二芯片的一侧表面，以形成第一塑封体；其中，第一塑封体位于第一导电柱的周围、第二连接件的周围并覆盖第二芯片上除第二连接件的其余表面以及封装基板的第一表面。
[0013]其中，获取到第二绝缘材料，将第二绝缘材料与第一导电线路远离封装基板的一侧表面、第一塑封体远离封装基板的一侧表面、第三芯片以及第二导电柱进行压合，以形成第二塑封体的步骤，具体包括：获取到第二绝缘材料，将第二绝缘材料与第一导电线路远离封装基板的一侧表面、第一塑封体远离封装基板的一侧表面、第三芯片以及第二导电柱进行压合，以使第二绝缘材料覆盖第一导电线路远离封装基板的一侧表面、第一塑封体远离封装基板的一侧表面、第三芯片远离第一导电线路的一侧表面以及第二导电柱远离第一导电线路的一侧表面；对第二绝缘材料进行研磨，直至露出第二导电柱远离第一导电线路的一侧表面以及第三连接件远离第三芯片的一侧表面，以形成第二塑封体；其中，第二塑封体
位于第二导电柱的周围、第三连接件的周围并覆盖第三芯片上除第三连接件的其余表面、第一导电线路远离封装基板的一侧表面以及第一塑封体远离封装基板的一侧表面。
[0014]为解决上述技术问题，本申请采用的第二技术方案是提供一种线路板，包括：封装基板，封装基板包括相对设置的第一表面与第二表面；第一芯片，第一芯片包括第一连接件，第一芯片通过第一连接件与封装基板键合；第二芯片，第二芯片包括第二连接件，第二芯片未设置有第二连接件的一侧表面设置于第一芯片远离封装基板的一侧表面上；多个第一导电柱，第一导电柱设置于封装基板的第一表面上；其中，第一导电柱位于第二芯片的周围；第一塑封体，第一塑封体位于第一导电柱的周围、第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装方法，其特征在于，包括：获取到待处理板材，所述待处理板材包括封装基板以及设置于所述封装基板第一表面的第一芯片；其中，所述第一芯片与所述第一表面贴装的一侧表面上设置有第一连接件，所述第一芯片通过所述第一连接件与所述封装基板键合；获取到第二芯片，所述第二芯片的一侧表面设置有第二连接件，将所述第二芯片未设置有所述第二连接件的一侧表面贴装在所述第一芯片远离所述封装基板的一侧表面上；获取到多个第一导电柱，在所述封装基板的所述第一表面上贴装所述第一导电柱；其中，所述第一导电柱位于所述第二芯片的周围；获取到第一绝缘材料，将所述第一绝缘材料与所述封装基板的所述第一表面、所述第一芯片、所述第二芯片以及所述第一导电柱进行压合，以形成第一塑封体；其中，所述第一塑封体位于所述第一导电柱的周围、所述第二连接件的周围并覆盖所述第二芯片上除所述第二连接件的其余表面以及所述封装基板的所述第一表面；在所述第一塑封体远离所述封装基板的一侧表面上、所述第二连接件远离所述第二芯片的一侧表面上以及所述第一导电柱远离所述封装基板的一侧表面上沉积金属，以形成第一导体层；对所述第一导体层进行蚀刻，以在所述第一导体层上形成第一导电线路；其中，所述第二芯片通过所述第二连接件与所述第一导电线路互连。2.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述对所述第一导体层进行蚀刻，以在所述第一导体层上形成第一导电线路的步骤后，包括：获取到第三芯片，所述第三芯片的一侧表面设置有第三连接件，将所述第三芯片未设置有所述第三连接件的一侧表面贴装在所述第一导电线路远离所述封装基板的一侧表面上；其中，所述第三芯片在所述封装基板上的正投影与所述第二芯片在所述封装基板上的正投影至少部分重叠；获取到多个第二导电柱，在所述第一导电线路远离所述封装基板的一侧表面上贴装所述第二导电柱；其中，所述第二导电柱位于所述第三芯片的周围，且与所述第一导电柱对应设置；获取到第二绝缘材料，将所述第二绝缘材料与所述第一导电线路远离所述封装基板的一侧表面、所述第一塑封体远离所述封装基板的一侧表面、所述第三芯片以及所述第二导电柱进行压合，以形成第二塑封体；其中，所述第二塑封体位于所述第二导电柱的周围、所述第三连接件的周围并覆盖所述第三芯片上除所述第三连接件的其余表面、所述第一导电线路远离所述封装基板的一侧表面以及所述第一塑封体远离所述封装基板的一侧表面；在所述第二塑封体远离所述第一塑封体的一侧表面上、所述第三连接件远离所述第三芯片的一侧表面上以及所述第二导电柱远离所述第一导电线路的一侧表面上沉积金属，以形成第二导体层；对所述第二导体层进行蚀刻，以在所述第二导体层上形成第二导电线路；其中，所述第三芯片通过所述第三连接件与所述第二导电线路互连。3.根据权利要求2所述的封装方法，其特征在于，所述第一连接件、所述第二连接件以及所述第三连接件均包括柱状铜凸点或焊盘。4.根据权利要求2或3任一项所述的封装方法，其特征在于，所述第一绝缘材料与所述
第二绝缘材料包括环氧树脂类、酚醛树脂类、聚酰亚胺类、BT类、ABF类以及陶瓷基类中的一种或多种。5.根据权利要求2所述的封装方法，其特征在于，所述对所述第二导体层进行蚀刻，以在所述第二导体层上形成第二导电线路的步骤后，还包括：获取到增强材料，将所述增强材料与所述第二导电线路远离所述第二塑封体的一侧表面、所述第二塑封体远离所述第一塑封体的一侧表面进行压合，以在所述第二导电线路以及所述第二塑封体上形成第一增强层；在所述第一增强层的预设位置进行钻孔处理，钻穿所述第一增强层直至露出所述第二导电线路，以形成第一盲孔；其中，所述第一盲孔对应所述第三连接件以及所述第二导电柱设置；在所述第一盲孔中灌注导电物质，以形成第一连接柱；在所述第一增强层远离所述第二导电线路的一侧表面上沉积金属，以在所述第一增强层远离所述第二导电线路的一侧表面上以及所述第一连接柱上形成第三导电层；对所述第三导电层进行蚀刻，以在所述第三导电层上形成第三导电线路。6.根据权利要求5所述的封装方法，其特征在于，所述对所述第三导电层进行蚀刻，以在所述第三导电层上形成第三导电线路的步骤后，还包括：在所述第三导电线路远离所述第一增强层的一侧表面上贴装植球；其中，所述植球与所述第一连接柱对应设置。7.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述获取到第一绝缘材料，将所述第一绝缘材料与所述封装基板的所述第一表面、所述第一芯片、所述第二芯片以及所述第一导电柱进行压合，以形成第一塑封体的步骤，具体包括：获取到所述第一绝缘材料，...

【专利技术属性】
技术研发人员：李应生，张伟杰，骆延昕，刘德波，江京，
申请(专利权)人：天芯互联科技有限公司，
类型：发明
国别省市：