发光装置制造方法及图纸

本申请提供发光装置。发光装置包括：第一电极；面向第一电极的第二电极；以及在第一电极和第二电极之间且包括发射层的夹层，其中第一电极包括功函值为约

【技术实现步骤摘要】
发光装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年4月30日提交的韩国专利申请第10
‑
2021
‑
0056770号的优先权和权益，其为了所有目的通过引用由此并入，如同在本文中充分地陈述。


[0003]本专利技术的实施方式总体上涉及显示装置，更具体地，涉及发光装置和包括其的电子设备。

技术介绍

[0004]发光装置为自发射装置，与现有技术的装置相比，其具有宽视角、高对比度、短响应时间以及在亮度、驱动电压和响应速度方面的卓越特点。
[0005]发光装置可具有这样的结构：其中第一电极位于基板上，并且空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极依次形成在第一电极上。从第一电极提供的空穴通过空穴传输区朝着发射层移动，并且从第二电极提供的电子通过电子传输区朝着发射层移动。载流子比如空穴和电子在发射层中复合以产生光。
[0006]该背景章节中公开的上述信息仅用于本专利技术构思的背景的理解，并且，因此，其可含有不构成现有技术的信息。
专利技术内容
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光装置，包括：第一电极；面向所述第一电极的第二电极；和在所述第一电极和所述第二电极之间且包括发射层的夹层，其中所述第一电极包括功函值为
‑
5.3eV或更小的金属氧化物，并且所述夹层包括包含式1的化合物的层：式1其中，在式1中，A1为未取代的或被至少一个R
10a
取代的双环芳族部分，Ar1至Ar4和R1至R3各自彼此独立地为氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
烯基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
炔基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷氧基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
10
环烷基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
10
杂环烷基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
10
环烯基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
10
杂环烯基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳氧基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳硫基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂芳基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C8‑
C
60
单价非芳族稠合多环基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
单价非芳族稠合杂多环基团、
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
B(Q1)(Q2)、
‑
N(Q1)(Q2)、
‑
P(Q1)(Q2)、
‑
C(＝O)(Q1)、
‑
S(＝O)(Q1)、
‑
S(＝O)2(Q1)、
‑
P(＝O)(Q1)(Q2)或
‑
P(＝S)(Q1)(Q2)，L1为单键、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
亚芳基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
亚杂芳基，m为选自1至3的整数，a1为选自1至4的整数，a2和a3各自彼此独立地为选自1至3的整数，并且R
10a
为：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基或硝基；各自彼此独立地未被取代或被以下取代的C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基或C1‑
C
60
烷氧基：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
60
芳氧基、
C6‑
C
60
芳硫基、C7‑
C
60
芳基烷基、C2‑
C
60
杂芳基烷基、
‑
Si(Q
11
)(Q
12
)(Q
13
)、
‑
N(Q
11
)(Q
12
)、
‑
B(Q
11
)(Q
12
)、
‑
C(＝O)(Q
11
)、
‑
S(＝O)2(Q
11
)、
‑
P(＝O)(Q
11
)(Q
12
)或其任意组合；各自彼此独立地未被取代或被以下取代的C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、C7‑
C
60
芳基烷基或C2‑
C
60
杂芳基烷基：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基、C1‑
C
60
烷氧基、C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、C7‑
C
60
芳基烷基、C2‑
C
60
杂芳基烷基、
‑
Si(Q
21
)(Q
22
)(Q
23
)、
‑
N(Q
21
)(Q
22
)、
‑
B(Q
21
)(Q
22
)、
‑
...

【专利技术属性】
技术研发人员：李炫美，李在庸，金敬植，朴元荣，赵根昱，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：