一种宽带高增益基片集成波导的H面喇叭天线制造技术

技术编号:35417166 阅读:31 留言:0更新日期:2022-11-03 11:15
本实用新型专利技术公开了一种宽带高增益基片集成波导的H面喇叭天线,包括微带馈电输入端、介质基板、上表面金属层、下表面金属层、金属化通孔阵列和空气槽阵列;上、下表面金属层覆盖在介质基板的上、下表面并靠近微带馈电输入端;金属化通孔阵列贯穿上表面金属层、介质基板和下表面金属层;空气槽阵列对称加载在介质基板上、下表面;金属化通孔阵列与上表面金属层和下表面金属层共同形成基片集成波导,空气槽阵列对称加载在介质基板的上、下表面,用于校正天线的喇叭口径面电场的幅度和相位分布,同时引入表面波的额外辐射。本实用新型专利技术在满足阻抗带宽的前提下,增益8dB以上的带宽提升到90.74%,最大增益为10.89dB,在整个工作频段内主辐射方向上的交叉极化都小于

【技术实现步骤摘要】
一种宽带高增益基片集成波导的H面喇叭天线


[0001]本技术涉及通讯天线的
,尤其是指一种完整覆盖K波段、Ka波段以及部分V波段的宽带高增益基片集成波导的H面喇叭天线。

技术介绍

[0002]基片集成波导(SIW)喇叭天线具有简单的结构,高稳定性,高能量传输容量,低成本,高口径效率和易于集成等特点在实际的无线通信中具有广泛的应用。然而由于基片集成波导(SIW)喇叭天线内部的介质与喇叭天线口径处的自由空间之间的不匹配,基片集成波导(SIW)喇叭天线工作在一个相当狭窄的频段,这限制了其实际应用和发展。

技术实现思路

[0003]本技术目的在于为解决现有技术中的不足,提供了一种结构紧凑、易于与其它射频模块集成的完整覆盖K波段、Ka波段以及部分V波段的宽带高增益基片集成波导的H面喇叭天线,该天线通过分离H面喇叭天线的部分金属层在较宽频段内形成良好匹配,同时利用在介质基板表面加载空气槽阵列,改变喇叭口径面的幅值分布和相位分布,激发表面波的额外辐射,减少喇叭口径面的反射,大大提高了增益。
[0004]为实现上述目的,本技术所提供的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种宽带高增益基片集成波导的H面喇叭天线,其特征在于:包括微带馈电输入端、介质基板、上表面金属层、下表面金属层、金属化通孔阵列和空气槽阵列,所述上表面金属层设置在介质基板的上表面并靠近微带馈电输入端,所述下表面金属层设置在介质基板的下表面并靠近微带馈电输入端;所述金属化通孔阵列贯穿上表面金属层、介质基板和下表面金属层,所述金属化通孔阵列与上表面金属层和下表面金属层共同形成基片集成波导,其中上表面金属层短于下表面金属层以改善匹配;所述空气槽阵列对称加载在介质基板的上、下表面,用于校正天线的喇叭口径面电场的幅度和相位分布,同时引入表面波的额外辐射。2.根据权利要求1所述的一种宽带高增益基片集成波导的H面喇叭天线,其特征在于:所述上表面金属层与下表面金属层边缘保持距离,形成基片集成波导到介质基板的...

【专利技术属性】
技术研发人员:孔永丹宋蚺
申请(专利权)人:华南理工大学
类型:新型
国别省市:

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