一种显示面板、显示装置、驱动背板及其制造方法制造方法及图纸

技术编号:35416012 阅读:31 留言:0更新日期:2022-11-03 11:14
本发明专利技术公开了一种显示面板、显示装置、驱动背板及其制造方法,其中驱动背板包括:衬底基板;TFT结构层,设置在衬底基板一侧;TFT结构层包括第一导电层和第二导电层,第二导电层设置在第一导电层的远离衬底基板的一侧,第一导电层和第二导电层的任一者被配置为接入像素电压;以及电致变色结构层,层叠设置在第一导电层和第二导电层之间;电致变色结构层的第一侧与第一导电层导电连接,电致变色结构层的第二侧与第二导电层导电连接;电致变色结构层被配置为在像素电压的驱动下改变光线透过率。本发明专利技术能够有效的抑制显示面板产生的光晕现象。发明专利技术能够有效的抑制显示面板产生的光晕现象。发明专利技术能够有效的抑制显示面板产生的光晕现象。

【技术实现步骤摘要】
一种显示面板、显示装置、驱动背板及其制造方法


[0001]本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种显示面板、显示装置、驱动背板及其制造方法。

技术介绍

[0002]随着显示技术的不断发展和进步,消费者对显示质量的要求也进一步提高。目前直下式背光的显示面板在黑色背景上显示较小图形画面时,仍然容易出现光晕(Halo)现象,导致显示部分画面的质量较低,无法满足用户的视觉需求,影响观看感受。
[0003]因此,目前的显示面板仍然存在光晕现象难以消除的技术问题。

技术实现思路

[0004]鉴于上述问题,本专利技术提出了一种显示面板、显示装置、驱动背板及其制造方法,能够有效的抑制显示面板产生的光晕现象。
[0005]第一方面,本申请通过一实施例提供如下技术方案:
[0006]一种驱动背板,包括:
[0007]衬底基板;TFT结构层,设置在所述衬底基板一侧;所述TFT结构层包括第一导电层和第二导电层,所述第二导电层设置在所述第一导电层的远离所述衬底基板的一侧,所述第一导电层和所述第二导电层的任一者被配置为接入像素电压;以及电致变色结构层,层叠设置在所述第一导电层和所述第二导电层之间;所述电致变色结构层的第一侧与所述第一导电层导电连接,所述电致变色结构层的第二侧与所述第二导电层导电连接;所述电致变色结构层被配置为在所述像素电压的驱动下改变光线透过率。
[0008]可选的,所述第一导电层被配置为接入像素电压,所述第一导电层包括像素电极层,所述第二导电层包括公共电极层;所述电致变色结构层设置在所述像素电极层与所述公共电极层之间;所述像素电极层与所述电致变色结构层的第一侧导电连接,所述公共电极层与所述电致变色结构层的第二侧导电连接。
[0009]可选的,所述第一导电层被配置为接入像素电压,所述第一导电层包括栅极层,所述TFT结构层还包括像素电极层,所述栅极层与所述像素电极层导电连接;所述第二导电层包括公电极层,所述电致变色结构层设置在所述栅极层和所述公电极层之间;所述栅极层与所述电致变色结构层的第一侧导电连接,所述公电极层与所述电致变色结构层的第二侧导电连接。
[0010]可选的,所述第一导电层被配置为接入像素电压;所述电致变色结构层包括:离子存储层、电解质层和变色层;所述离子存储层设置在所述第一导电层的远离所述衬底基板的一侧,所述电解质层设置在所述离子存储层的远离所述衬底基板的一侧,所述变色层设置在所述电解质层的远离所述衬底基板的一侧;所述离子存储层与所述第一导电层导电连接,所述变色层与所述第二导电层导电连接。
[0011]可选的,所述第一导电层被配置为接入像素电压;所述电致变色结构层包括第三
导电层、变色功能层和第四导电层;所述第三导电层设置在所述第一导电层的远离所述衬底基板的一侧,所述变色功能层设置在所述第三导电层的远离所述衬底基板的一侧,所述第四导电层设置在所述变色功能层的远离所述衬底基板的一侧;所述第三导电层与所述第一导电层电连接,所述第四导电层与所述第二导电层电连接。
[0012]可选的,所述TFT结构层还包括:晶体管层;所述晶体管层设置在所述第一导电层和所述第二导电层之间,所述电致变色结构层设置在所述第一导电层和所述晶体管层之间。
[0013]可选的,所述TFT结构层划分为多个晶体管单元区域,所述电致变色结构层划分为多个变色单元区域;所述晶体管单元区域和所述变色单元区域一一对应。
[0014]第二方面,基于同一专利技术构思,本申请通过一实施例提供如下技术方案:
[0015]一种显示面板,包括:背光源、显色功能层和上述第一方面中任一所述的驱动背板;所述显色功能层,设置在所述TFT结构层的远离所述衬底基板的一侧,所述显色功能层用于定义子像素和显示颜色;所述背光源,设置在所述衬底基板远离所述TFT结构层的一侧。
[0016]第三方面,基于同一专利技术构思,本申请通过一实施例提供如下技术方案:
[0017]一种显示装置,包括:前述第一方面中任一所述的驱动背板,或者包括前述第二方面中所述的显示面板。
[0018]第四方面,基于同一专利技术构思,本申请通过一实施例提供如下技术方案:
[0019]一种驱动背板的制造方法,包括:
[0020]提供衬底基板;在所述衬底基板一侧形成TFT结构层的第一导电层;在所述第一导电层的远离所述衬底基板的一侧形成电致变色结构层;其中,所述电致变色结构层的第一侧与所述第一导电层导电连接;在所述电致变色结构层的远离所述衬底基板的一侧形成所述TFT结构层的第二导电层;所述第一导电层和所述第二导电层的任一者被配置为接入像素电压,所述电致变色结构层的第二侧与所述第二导电层导电连接,所述电致变色结构层被配置为在所述像素电压的驱动下改变光线透过率。
[0021]本专利技术实施例中提供的一种驱动背板、显示面板及显示装置,其中设置的电致变色结构层位于TFT结构层的第一导电层和第二导电层之间,因此可部分利用TFT结构层的走线设计,降低制造成本。同时,由于第一导电层和第二导电层中任一者为接入像素电压的,因此,该电致变色结构层可在像素电压的驱动下与TFT实现同步驱动,并且通过像素电压的不同来同步调整光线透过率,从而有效消减或消除光晕现象。
[0022]上述说明仅是本专利技术技术方案的概述,为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段,而可依照说明书的内容予以实施,并且为了让本专利技术的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂,以下特举本专利技术的具体实施方式。
附图说明
[0023]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作一简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0024]图1为现有技术中的显示面板产生光晕不良的原理示意图;
[0025]图2为本专利技术实施例中的第一种驱动背板的结构示意图;
[0026]图3为本专利技术实施例中的第二种驱动背板的结构示意图;
[0027]图3A为本专利技术实施例中的第三种驱动背板的结构示意图;
[0028]图4为本专利技术实施例中的驱动背板实现非HDR模式的原理示意图;
[0029]图5为本专利技术实施例中的驱动背板实现HDR模式的原理示意图;
[0030]图6为本专利技术实施例中的电致变色结构层的结构示意图;
[0031]图7为本专利技术实施例中第四种驱动背板的结构示意图;
[0032]图8为本专利技术实施例中的一种显示面板的结构示意图;
[0033]图9为本专利技术实施例中一种驱动背板的制造方法的流程图。
具体实施方式
[0034]以下,将参照附图来描述本公开的实施例。但是应该理解,这些描述只是示例性的,而并非要限制本公开的范围。此外,在以下说明中,省略了对公知结构和技术的描述,以避免不必要地混淆本公开的概念。
[0035]在附图中示出了根据本公开实施例的各种结本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种驱动背板,其特征在于,包括:衬底基板;TFT结构层,设置在所述衬底基板一侧;所述TFT结构层包括第一导电层和第二导电层,所述第二导电层设置在所述第一导电层的远离所述衬底基板的一侧,所述第一导电层和所述第二导电层的任一者被配置为接入像素电压;以及电致变色结构层,层叠设置在所述第一导电层和所述第二导电层之间;所述电致变色结构层的第一侧与所述第一导电层导电连接,所述电致变色结构层的第二侧与所述第二导电层导电连接;所述电致变色结构层被配置为在所述像素电压的驱动下改变光线透过率。2.如权利要求1所述的驱动背板,其特征在于,所述第一导电层被配置为接入像素电压,所述第一导电层包括像素电极层,所述第二导电层包括公共电极层;所述电致变色结构层设置在所述像素电极层与所述公共电极层之间;所述像素电极层与所述电致变色结构层的第一侧导电连接,所述公共电极层与所述电致变色结构层的第二侧导电连接。3.如权利要求1所述的驱动背板,其特征在于,所述第一导电层被配置为接入像素电压,所述第一导电层包括栅极层,所述TFT结构层还包括像素电极层,所述栅极层与所述像素电极层导电连接;所述第二导电层包括公电极层,所述电致变色结构层设置在所述栅极层和所述公电极层之间;所述栅极层与所述电致变色结构层的第一侧导电连接,所述公电极层与所述电致变色结构层的第二侧导电连接。4.如权利要求1所述的驱动背板,其特征在于,所述第一导电层被配置为接入像素电压;所述电致变色结构层包括:离子存储层、电解质层和变色层;所述离子存储层设置在所述第一导电层的远离所述衬底基板的一侧,所述电解质层设置在所述离子存储层的远离所述衬底基板的一侧,所述变色层设置在所述电解质层的远离所述衬底基板的一侧;所述离子存储层与所述第一导电层导电连接,所述变色层与所述第二导电层导电连接。5.如权利要求1所述的驱动背板,其特征在于,所述第一导电层被配置为接入像素电压;...

【专利技术属性】
技术研发人员:徐迪柏玲陈芪飞范子轩卢景洲
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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