一种具有P1线槽的导电基底的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种具有P1线槽的导电基底的制备方法，包括：提供一基底，所述基底的表面包括互补的第一区域和第二区域；在所述基底的第一区域上形成光刻胶，所述第一区域为所述基底上需要形成P1线槽的区域；在所述基底的第二区域上形成导电层；去除所述光刻胶，形成所述P1线槽。该制备方法在基底上形成导电层和P1线槽时，无需对导电层进行划刻处理，也就避免了现有技术中对导电层进行划刻处理形成P1线槽所带来的缺陷，进而减少对后续沉积膜层质量的影响；当该导电基底用于太阳能电池的制作时，还会减小对电池电荷传输和效率的影响。还会减小对电池电荷传输和效率的影响。还会减小对电池电荷传输和效率的影响。

【技术实现步骤摘要】
一种具有P1线槽的导电基底的制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体工艺
，更具体地说，涉及一种具有P1线槽的导电基底的制备方法。

技术介绍

[0002]随着科学技术的不断发展，具有P1线槽的导电基底已广泛应用于各种各样的行业中，目前是通过对基底上的导电膜进行激光等划刻方式进行处理形成P1线槽。
[0003]但是，激光等划刻方式存在过刻风险会伤及基底本身，并且划刻边缘的导电膜存在不规整、有起伏等问题，一定程度上会影响后续沉积膜层的质量；当该导电基底用于太阳能电池的制作时，还会影响电池电荷传输和效率。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，为解决上述问题，本专利技术提供一种具有P1线槽的导电基底的制备方法，技术方案如下：
[0005]一种具有P1线槽的导电基底的制备方法，所述制备方法包括：
[0006]提供一基底，所述基底的表面包括互补的第一区域和第二区域；
[0007]在所述基底的第一区域上形成光刻胶，所述第一区域为所述基底上需要形成P1线槽的区域；
[0008]在所述基底的第二区域上形成导电层；
[0009]去除所述光刻胶，形成所述P1线槽。
[0010]优选的，在上述制备方法中，所述基底为玻璃基底。
[0011]优选的，在上述制备方法中，所述在所述基底的第一区域上形成光刻胶，包括：
[0012]提供第一掩膜板，所述第一掩膜板的图案暴露出所述第一区域，遮挡所述第二区域；
[0013]基于所述第一掩膜板，在所述基底的第一区域上沉积制备所述光刻胶。
[0014]优选的，在上述制备方法中，所述在所述基底的第二区域上形成导电层，包括：
[0015]提供第二掩膜板，所述第二掩膜板的图案暴露出所述第二区域，遮挡所述第一区域；
[0016]基于所述第二掩膜板，在所述基底的第二区域上沉积制备所述导电层。
[0017]优选的，在上述制备方法中，所述去除所述光刻胶，包括：
[0018]采用光刻胶清洗液去除所述光刻胶。
[0019]优选的，在上述制备方法中，所述P1线槽的宽度为30um
‑
200um。
[0020]优选的，在上述制备方法中，所述P1线槽的深度为100nm
‑
1um。
[0021]优选的，在上述制备方法中，所述导电层为TCO导电层。
[0022]相较于现有技术，本专利技术实现的有益效果为：
[0023]本专利技术提供的一种具有P1线槽的导电基底的制备方法包括：提供一基底，所述基
底的表面包括互补的第一区域和第二区域；在所述基底的第一区域上形成光刻胶，所述第一区域为所述基底上需要形成P1线槽的区域；在所述基底的第二区域上形成导电层；去除所述光刻胶，形成所述P1线槽。
[0024]该制备方法在基底上形成导电层和P1线槽时，无需对导电层进行划刻处理，也就避免了现有技术中对导电层进行划刻处理形成P1线槽所带来的缺陷，进而减少对后续沉积膜层质量的影响；当该导电基底用于太阳能电池的制作时，还会减小对电池电荷传输和效率的影响。
附图说明
[0025]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
[0026]图1为本专利技术实施例提供的一种具有P1线槽的导电基底的制备方法的流程示意图；
[0027]图2
‑
图5为图1所示制备方法对应的结构示意图；
[0028]图6为本专利技术实施例提供的另一种具有P1线槽的导电基底的制备方法的流程示意图；
[0029]图7
‑
图8为图6所示制备方法对应的结构示意图；
[0030]图9为本专利技术实施例提供的又一种具有P1线槽的导电基底的制备方法的流程示意图；
[0031]图10
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图11为图9所示制备方法对应的结构示意图；
[0032]图12为本专利技术实施例提供的又一种具有P1线槽的导电基底的制备方法的流程示意图。
具体实施方式
[0033]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0034]为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。
[0035]参考图1，图1为本专利技术实施例提供的一种具有P1线槽的导电基底的制备方法的流程示意图。
[0036]所述制备方法包括：
[0037]S101：如图2所示，提供一基底11，所述基底11的表面包括互补的第一区域和第二区域。
[0038]在该步骤中，该基底11可以为玻璃基底或其它透明材质的基底，在本专利技术实施例中以玻璃基底为例进行说明。
[0039]S102：如图3所示，在所述基底11的第一区域上形成光刻胶12，所述第一区域为所述基底11上需要形成P1线槽的区域。
[0040]S103：如图4所示，在所述基底11的第二区域上形成导电层13。
[0041]S104：如图5所示，去除所述光刻胶12，形成所述P1线槽14。
[0042]其中，所述P1线槽14的宽度为30um
‑
200um，例如P1线槽14的宽度为40um或98um或145um或180um等；所述P1线槽14的深度为100nm
‑
1um，例如P1线槽14的深度为200nm或320nm等；所述导电层13为TCO导电层。
[0043]具体的，在该实施例中该制备方法在基底11上形成导电层13和P1线槽14时，无需对导电层13进行划刻处理，也就避免了现有技术中对导电层进行划刻处理形成P1线槽所带来的缺陷，进而减少对后续沉积膜层质量的影响；当该导电基底用于太阳能电池的制作时，还会减小对电池电荷传输和效率的影响。
[0044]可选的，在本专利技术另一实施例中，参考图6，图6为本专利技术实施例提供的另一种具有P1线槽的导电基底的制备方法的流程示意图。
[0045]步骤S102中在所述基底11的第一区域上形成光刻胶12，具体可以为：
[0046]S1021：如图7所示，提供第一掩膜板15，所述第一掩膜板15的图案暴露出所述第一区域，遮挡所述第二区域。
[0047]S1022：如图8所示，基于所述第一掩膜板15，在所述基底11的第一区域上沉积制备所述光刻胶12。
[0048]具体的，在该实施例中提供一高精度的第一掩膜板15，对基底11上的第二区域进行掩膜处理，之后在基底11上的第一区域上沉积制本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有P1线槽的导电基底的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一基底，所述基底的表面包括互补的第一区域和第二区域；在所述基底的第一区域上形成光刻胶，所述第一区域为所述基底上需要形成P1线槽的区域；在所述基底的第二区域上形成导电层；去除所述光刻胶，形成所述P1线槽。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述基底为玻璃基底。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述基底的第一区域上形成光刻胶，包括：提供第一掩膜板，所述第一掩膜板的图案暴露出所述第一区域，遮挡所述第二区域；基于所述第一掩膜板，在所述基底的第一区域上沉积制备所述光刻胶。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：李卫东，熊继光，赵建勇，杨永军，赵志国，赵东明，叶林，李新连，张赟，刘家梁，李梦洁，
申请(专利权)人：华能新能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：