MWT太阳能电池的制备方法技术

技术编号:35410999 阅读:26 留言:0更新日期:2022-11-03 11:07
本发明专利技术提供了一种MWT太阳能电池的制备方法,属于光伏电池的制备技术领域,包括在n型基底正面的制绒面上进行磷掺杂形成一层n+掺杂层;在n型基底背面进行硼掺杂形成一层p+掺杂层;利用激光在完成掺杂后的硅片上设置贯穿孔;利用激光在贯穿孔周围刻划形成一个去除p+掺杂层的闭合环形槽;采用化学清洗去除制备过程中的损伤层并进行钝化处理;将完成减反钝化层制备后的硅片上进行贯穿孔的金属化、背面金属化电极和正面金属化电极制备。本发明专利技术制备的电池能够解决常规n型MWT电池正面栅线导引至背面过程中pn结导通漏电,并随着时间延长和测试次数增加,漏电逐渐增大,最终电池衰减速度快,使用寿命短的问题。使用寿命短的问题。使用寿命短的问题。

【技术实现步骤摘要】
MWT太阳能电池的制备方法


[0001]本专利技术属于太阳能电池的制备
,具体涉及一种MWT太阳能电池的制备方法。

技术介绍

[0002]目前,n型MWT太阳能电池为正面B掺杂的n
+
发射极,背面为掺磷背场,通过激光打孔将位于正面发射极的接触电极穿过硅片基体引导到硅片背面,并且在背面印刷便于测试和焊接的电极接触点。
[0003]在此导通过程中,从正面导引过来的电极浆料与硅基底和背场接触区域绝缘效果较差,硅基底负电荷会通过如图4常规N型MWT电池结构中的孔壁或正面导引过来的电极(也即汇流正电极)与基底接触位置与正面导引过来的正电荷复合,即导致pn结导通而漏电。
[0004]即使做好绝缘,随着时间延长和测试次数增加,电极浆料逐渐扩散进减反钝化膜,漏电也逐渐增大,最终导致电池效率衰减加快加大。

技术实现思路

[0005]本专利技术实施例提供一种MWT太阳能电池的制备方法,旨在解决目前正面掺杂发射极的MWT电池,在正面电荷通过栅线导引至背面过程中产生的pn结导通漏电,并随着时间延长和测试次数增加,本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MWT太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:在表面织构化处理后的n型基底制绒面上进行单面磷掺杂形成n+掺杂层;在磷掺杂的n型基底的背面进行硼掺杂形成p+掺杂层;利用激光在完成掺杂后的硅片上设置贯穿孔;利用激光在贯穿孔周围刻划形成一个去除p+掺杂层的闭合环形槽;采用化学清洗去除激光制备过程中造成的损伤层并进行表面钝化处理;在完成减反钝化层制备后的硅片上进行贯穿孔浆料印刷、背面栅线电极印刷和正面栅线电极的印刷。2.如权利要求1所述的MWT太阳能电池的制备方法,其特征在于,激光刻划闭合环形槽可以在激光打孔后进行,也可以在完成印刷烧结后进行。3.如权利要求2所述的MWT太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述在激光刻划闭合环形槽过程中,硼掺杂面为激光入射刻划面。4.如权利要求2所述的MWT太阳能电池的制备方法,其特征在于,使用激光刻划闭合环形槽过程中,闭合环形槽宽度最小为激光光斑直径,刻划深度大于或等于所述p+掺杂层的厚度。5.如权利要求4所述的MWT太阳能电池的制备方法,其特征在于,刻划的所述闭合环形槽以贯穿孔中心为中心,所述闭合环形槽的内环至所述贯穿孔中心线的最短距离为1
...

【专利技术属性】
技术研发人员:翟金叶王子谦王红芳郎芳潘明翠马红娜赵学玲王平徐卓李锋史金超
申请(专利权)人:英利能源发展天津有限公司
类型:发明
国别省市:

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