一种用于160kV开放式X射线源的透射靶及制备和绝缘方法技术

本发明专利技术属于射线管技术领域，本发明专利技术公开了一种用于160kV开放式X射线源的透射靶及制备和绝缘方法，制备方法包括如下步骤：将金刚石衬底进行表面与处理；将预处理后的金刚石衬底送入磁控溅射样品生长腔，待生长腔的本底真空达到1E

【技术实现步骤摘要】
一种用于160kV开放式X射线源的透射靶及制备和绝缘方法


[0001]本专利技术涉及射线管
，具体涉及一种用于160kV开放式X射线源的透射靶及制备和绝缘方法。

技术介绍

[0002]X射线管利用高速电子束轰击重金属材料产生X射线，在开放式透射靶X射线管中通常靶金属材料是和靶基材料复合在一起的，需要两种材料的热膨胀系数差异较小，这给材料选择和加工增加了困难；此外在射线源的整体控制中需要采集靶电流，因此需要将透射靶与其他部件进行绝缘，才能准确地检测靶电流的大小。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供了一种用于160kV开放式X射线源的透射靶及制备和绝缘方法，本专利技术将透射靶与其他部件进行绝缘，可以准确地检测靶电流的大小。
[0004]本专利技术的目的是通过如下家属方案实现的：
[0005]一方面，一种用于160kV开放式X射线源的透射靶的制备方法，包括如下步骤：
[0006]将金刚石衬底进行表面与处理；
[0007]将预处理后的金刚石衬底送入磁控溅射样品生长腔，待生长腔的本底真空达到1E
‑
5Pa，通入Ar气体，使钨靶起辉，待其预溅射10min，辉光稳定后，控制溅射功率在200W，加热使衬底升温到300℃，将金刚石基底移动到钨靶正对的方向，待稳定后，通过溅射在金刚石表面生长6微米厚钨，溅射完成后关闭溅射电源，样品冷却完成取出；
[0008]将加工好的铜或铝制靶托清洗洁净后，将镀钨金刚石样品和靶托焊接在一起。
[0009]进一步的，所述的预处理为：将金刚石衬底置于丙酮中去除表面的油污；之后用乙醇清洗；最后吹干。
[0010]进一步的，所述的金刚石衬底的厚度为0.3mm、直径为10mm。
[0011]进一步的，所述的将金刚石基底移动到钨靶正对的方向是通过计算机控制运动机构使金刚石基底移动到钨靶正对的方向。
[0012]进一步的，将加工好的铜或铝制靶托清洗洁净后，将镀钨金刚石样品和靶托焊接在一起为将加工好的铜或铝制靶托清洗洁净后，通过真空钎焊的方法将镀钨金刚石样品和靶托利用银铜钯焊料焊接在一起。
[0013]第二方面，一种用于160kV开放式X射线源的透射靶的绝缘方法，包括如下步骤：所述的透射靶由权利要求1
‑
5任一项所述的制备方法制备而得；
[0014]将透射靶固定在透射靶支撑架上，透射靶支撑架与物镜外组件绝缘，透射靶支撑架与物镜外组件固定，导线通过物镜内组件端面的导线孔从线缆出口到管外。
[0015]进一步的，包括如下步骤：
[0016]透射靶通过靶罩固定在透射靶支撑架上，透射靶支撑架与物镜外组件之间用绝缘环隔开，透射靶支撑架与物镜外组件之间利用螺栓和螺母固定，螺栓穿过物镜外组件时螺
栓外套有陶瓷管绝缘，因此透射靶与物镜外组件绝缘，与螺栓是导通的，测量靶电流的导线接在管内部的螺栓上，导线通过物镜内组件端面的导线孔从统一的线缆出口到管外。
[0017]第三方面，一种用于160kV开放式X射线源，包括：
[0018]透射靶，
[0019]透射靶支撑架，用于固定所述的透射靶；
[0020]物镜外组件，用于固定所述的透射靶支撑架；
[0021]物镜内组件，所述的物镜内组件周围设有物镜线圈；
[0022]所述的透射靶支撑架与透射靶之间设有绝缘件，所述的透射靶与物镜内组件电连接。
[0023]进一步的，所述的透射靶外部设有靶罩。
[0024]进一步的，所述的透射靶与物镜外组件之间透过螺栓和螺母固定，所述的螺栓与透射靶固定架之间设有陶瓷管绝缘件，测量靶电流的导线接在管内部的螺栓上，导线通过物镜内组件端面的导线孔从统一的线缆出口到管外。
[0025]本专利技术的方案至少具备如下有益效果：
[0026]本专利技术将透射靶与其他部件进行绝缘，可以准确地检测靶电流的大小；本专利技术采用无毒的金刚石/钨透射靶代替有毒的金属铍/钨靶；本专利技术的金刚石具有比铍更高的热导，靶的额定功率得以提高；本专利技术利用氧化铝陶瓷和聚酰亚胺材料将靶与其他部件绝缘，使靶电流的检测更加便捷。
附图说明
[0027]图1为本专利技术实施例中透射靶结构示意图；
[0028]图2为本专利技术用于160kV开放式X射线源端部结构示意图；
[0029]图3为本专利技术用于160kV开放式X射线源结构示意图。
具体实施方式
[0030]为了便于本领域技术人员对本专利技术方案的理解，下面结合具体实施例对本专利技术方案进行进一步阐述，应当理解，本专利技术实施例是对本专利技术方案的解释说明，不作为对本专利技术保护范围的限定。
[0031]一种用于160kV开放式X射线源的透射靶的制备方法，包括如下步骤：
[0032]将金刚石衬底进行表面与处理；
[0033]将预处理后的金刚石衬底送入磁控溅射样品生长腔，待生长腔的本底真空达到1E
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5Pa，通入Ar气体，使钨靶起辉，待其预溅射10min，辉光稳定后，控制溅射功率在200W，加热使衬底升温到300℃，将金刚石基底移动到钨靶正对的方向，待稳定后，通过溅射在金刚石表面生长6微米厚钨，溅射完成后关闭溅射电源，样品冷却完成取出；
[0034]将加工好的铜或铝制靶托清洗洁净后，将镀钨金刚石样品和靶托焊接在一起。
[0035]在本专利技术的一些实施例中，所述的预处理为：将金刚石衬底置于丙酮中去除表面的油污；之后用乙醇清洗；最后吹干。
[0036]在本专利技术的一些实施例中，所述的金刚石衬底的厚度为0.3mm、直径为10mm。
[0037]在本专利技术的一些实施例中，所述的将金刚石基底移动到钨靶正对的方向是通过计
算机控制运动机构使金刚石基底移动到钨靶正对的方向。
[0038]在本专利技术的一些实施例中，将加工好的铜或铝制靶托清洗洁净后，将镀钨金刚石样品和靶托焊接在一起为将加工好的铜或铝制靶托清洗洁净后，通过真空钎焊的方法将镀钨金刚石样品和靶托利用银铜钯焊料焊接在一起。
[0039]一种用于160kV开放式X射线源的透射靶的绝缘方法，包括如下步骤：所述的透射靶由权利要求1
‑
5任一项所述的制备方法制备而得；
[0040]将透射靶固定在透射靶支撑架上，透射靶支撑架与物镜外组件绝缘，透射靶支撑架与物镜外组件固定，导线通过物镜内组件端面的导线孔从线缆出口到管外。
[0041]在本专利技术的一些实施例中，包括如下步骤：
[0042]透射靶通过靶罩固定在透射靶支撑架上，透射靶支撑架与物镜外组件之间用绝缘环隔开，透射靶支撑架与物镜外组件之间利用螺栓和螺母固定，螺栓穿过物镜外组件时螺栓外套有陶瓷管绝缘，因此透射靶与物镜外组件绝缘，与螺栓是导通的，测量靶电流的导线接在管内部的螺栓上，导线通过物镜内组件端面的导线孔从统一的线缆出口到管外。
[0043]结合附图1
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3，一种用于160kV开放式X射线源，包括：
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于160kV开放式X射线源的透射靶的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将金刚石衬底进行表面与处理；将预处理后的金刚石衬底送入磁控溅射样品生长腔，待生长腔的本底真空达到1E
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5Pa，通入Ar气体，使钨靶起辉，待其预溅射10min，辉光稳定后，控制溅射功率在200W，加热使衬底升温到300℃，将金刚石基底移动到钨靶正对的方向，待稳定后，通过溅射在金刚石表面生长6微米厚钨，溅射完成后关闭溅射电源，样品冷却完成取出；将加工好的铜或铝制靶托清洗洁净后，将镀钨金刚石样品和靶托焊接在一起。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的预处理为：将金刚石衬底置于丙酮中去除表面的油污；之后用乙醇清洗；最后吹干。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述的金刚石衬底的厚度为0.3mm、直径为10mm。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的将金刚石基底移动到钨靶正对的方向是通过计算机控制运动机构使金刚石基底移动到钨靶正对的方向。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，将加工好的铜或铝制靶托清洗洁净后，将镀钨金刚石样品和靶托焊接在一起为将加工好的铜或铝制靶托清洗洁净后，通过真空钎焊的方法将镀钨金刚石样品和靶托利用银铜钯焊料焊接在一起。6.一种用于160kV开放式X射线源的透射靶的绝缘方法，其特征在于，包括如下步骤：所述的透射...

【专利技术属性】
技术研发人员：王刘成，孔文文，张伟，仇小军，
申请(专利权)人：无锡日联科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：