SiCMOSFET及其制备方法和半导体器件技术

本申请提供SiC MOSFET及其制备方法和半导体器件，该方法包括：提供外延层，利用第一掩膜形成阱区；利用第一掩膜和第二掩膜形成源极区；利用第三掩膜形成接触区；去除所述第三掩膜，并形成阻挡层；去除第一掩膜和第二掩膜；去除部分阻挡层；在未被阻挡层覆盖的外延层上依次形成栅氧化层和栅极；去除阻挡层。该方法中，可以有效避免栅极对准偏差导致的器件不良现象，提高了产品良率。提高了产品良率。

【技术实现步骤摘要】
SiC MOSFET及其制备方法和半导体器件


[0001]本申请涉及半导体
，具体的，涉及SiC MOSFET及其制备方法和半导体器件。

技术介绍

[0002]随着科技和社会发展，现代工业的进步越来越需要高温、高频、高功率器件的支撑，第三代半导体材料SiC具有宽禁带、高临界击穿电场、高饱和漂移速率等特性，能够在这类极端场景下良好地工作，进而能为各种应用和系统带来显著的性能提升。在SIC功率器件中，SiC MOSFET(SiC金属
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氧化物半导体场效应晶体管，SiC Metal
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Oxide
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Semiconductor Field
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Effect Transistor)具有输入阻抗高、开关速度稳定性高、导通电阻低等优点，是最受关注的SiC开关器件。在SiC MOSFET中，VDMOSFET(Vertical Conduction Double Scattering Metal Oxide Semiconductor Field
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Effect Tra本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制备SiC MOSFET的方法，其特征在于，包括：提供外延层，所述外延层包括多个元胞区，每个所述元胞区具有第一区域和第二区域，所述第二区域围绕所述第一区域设置或者位于所述第一区域相对的两侧；在所述第一区域的表面上形成第一掩膜，并对形成有所述第一掩膜的所述外延层进行第一离子注入，以形成阱区；在所述第二区域靠近所述第一区域的部分表面上形成第二掩膜，并对形成有所述第一掩膜和所述第二掩膜的所述外延层进行第二离子注入，以形成源极区，被所述第二掩膜覆盖的部分所述外延层构成第三区域，未被所述第一掩膜和所述第二掩膜覆盖的所述外延层构成第四区域；在所述第四区域靠近所述第三区域的部分表面上形成第三掩膜，并对形成有所述第一掩膜、所述第二掩膜和所述第三掩膜的所述外延层进行第三离子注入，以形成接触区；去除所述第三掩膜，并在所述第四区域的表面上形成阻挡层；去除所述第一掩膜和所述第二掩膜；去除部分所述阻挡层，以暴露出所述第四区域靠近所述第三区域的部分表面；在所述第一区域的表面上和未被所述阻挡层覆盖的所述第二区域的表面上依次形成栅氧化层和栅极；去除所述阻挡层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在去除所述第一掩膜和所述第二掩膜之后，且在去除部分所述阻挡层之前，还包括高温退火处理。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一掩膜和所述第二掩膜中的每一个独立的通过以下步骤形成：采用化学气相沉积方法或物理气相沉积方法形成整层预制掩膜；对所述整层预制掩膜进行刻蚀。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一掩膜和所述第二掩膜中的每一个独立的满足以下条件的至少之一：厚度为2微米～8微米；材料为氧化铝、金属铝和金属铜中的至少一种。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第三掩膜采用光刻工艺形成。6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，满足以下条件的至少之一：所述阻挡层的材料的熔点大于...

【专利技术属性】
技术研发人员：李俊俏，李永辉，周维，
申请(专利权)人：比亚迪汽车工业有限公司，
类型：发明
国别省市：