一种多晶硅生产废气处理系统技术方案

本实用新型专利技术公开了一种多晶硅生产废气处理系统，属于多晶硅废气处理技术领域，包括变压吸附装置，变压吸附装置通过管线I连接解吸缓冲罐，解吸缓冲罐再连接淋洗塔；变压吸附装置通过管线II连接换热器，换热器的液相出口连接回收罐，换热器的气相出口通过管线III连接缓冲罐I，缓冲罐I连接废气压缩机后再连接缓冲罐II，缓冲罐II再连接回收吸附系统，缓冲罐I和缓冲罐II之间还设有回流管线，所述管线III上还接入有公辅废气管线，解决了现有技术中变压吸附装置的逆放过程中，泄放逆放气至淋洗塔易导致淋洗塔设备故障，且造成能源浪费的问题。且造成能源浪费的问题。且造成能源浪费的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种多晶硅生产废气处理系统


[0001]技术属于多晶硅废气处理
，具体涉及一种多晶硅生产废气处理系统。

技术介绍

[0002]目前，多晶硅生产中的冷氢化工段中，会涉及气体置换，因部分设备氮气置换等原因，导致系统氮含量、甲烷含量超标，若系统进行大量置换则造成氢气浪费较大，导致生产成本增加，因此，目前大多数生产企业生产多晶硅的冷氢化工序中，一般采用设置变压吸附装置的方式来吸附置换系统内气体杂质组分。
[0003]在变压吸附装置运行过程中，共存在吸附、均降、逆放、抽真空、均升五个过程。其中吸附装置的逆放过程中，需逆着吸附方向将塔内压力降至0.02MPa，此时被吸附的杂质开始从吸附剂中解吸出来，然后含有大量杂质的气体进入解析气缓冲罐，最终逆放气通过尾气淋洗塔处理后对空排放。
[0004]变压吸附装置中逆放气的逆放压力受限于淋洗塔，且逆放气逆放过程为阶段性流程，期间0.2MPa逆放气进入淋洗塔后，易造成淋洗塔压力波动，从而导致淋洗塔喷料、喷水情况出现，严重时导致设备超压损坏。

技术实现思路

[0005]本技术旨在解决现有技术中变压吸附装置的逆放过程中，泄放逆放气至淋洗塔易导致淋洗塔设备故障，同时，逆放过程受限于淋洗塔承受压力的原因，导致逆放过程不完全，进而影响变压吸附装置变压吸附效果的问题。
[0006]为了实现上述专利技术目的，本技术的技术方案如下：
[0007]一种多晶硅生产废气处理系统，包括变压吸附装置，变压吸附装置通过管线I连接解吸缓冲罐，解吸缓冲罐再连接淋洗塔；变压吸附装置通过管线II连接换热器，换热器的液相出口连接回收罐，换热器的气相出口通过管线III连接缓冲罐I，缓冲罐I连接废气压缩机后再连接缓冲罐II，缓冲罐II再连接回收吸附系统，缓冲罐I和缓冲罐II之间还设有回流管线，所述管线III上还接入有公辅废气管线。
[0008]进一步地，所述管线I上设有切断阀I，所述管线II上设有切断阀II。
[0009]进一步地，所述换热器的进气口连接的管线II上设有过滤器I，过滤器I为过滤精度为30
‑
80μm的过滤器。
[0010]进一步地，所述公辅废气管线上设有调节阀I；所述回流管线上设有调节阀II。
[0011]进一步地，与所述缓冲罐I连接的管线III上设有过滤器II，过滤器II为过滤精度为30
‑
80μm的过滤器。
[0012]进一步地，所述废气压缩机工作压力为20
‑
40kPa的压缩机。
[0013]进一步地，所述废气压缩机的进气口设有过滤器III，过滤器III为过滤精度为30
‑
80μm的过滤器。
[0014]进一步地，所述公辅废气管线上设有压力计I，压力计I与调节阀I控制连接；所述缓冲罐I上设有压力计II，压力计II与调节阀I控制连接，缓冲罐II上设有压力计III，调节阀II与压力计II控制连接；所述废气压缩机的进气口设有压力计IV。
[0015]本技术的有益效果：
[0016]一、本技术中，本方案中保留了原有逆放气处理路线的基础上，增设了第二条处理路线，不再将全部逆放气淋洗后进行放空处理。而是将逆放气经冷凝处理，回收95%以上氯硅烷后再送至缓冲罐I，经废气压缩机压缩加压处理后，送至回收吸附系统进一步处理，除去二氧化硅、硅粉等固体杂质，回收氢气，降低氯硅烷的对外排放，更环保，降低生产成本。
[0017]二、本技术中，废气压缩机的前端设有缓冲罐I，有两大原因，第一：若原料气带液，则优先进入缓冲罐I，累积一定量后，再进入废气压缩机，并留有充足时间给工作人员调整相关工艺控制参数，避免废气压缩机带液运行的安全风险；第二：因进入废气压缩机的原料气压力不稳定特性，设有缓冲罐I可对气体进行一定缓冲，稳定废气压缩机运行压力，延长压缩机运行周期。
[0018]三、本技术中，废气压缩机后端设有缓冲罐II，主要用于稳定废气压缩机出口压力，达到一定缓冲作用。废气压缩机前后的缓冲罐I、缓冲罐II之间设有调节阀II，可以通过分程控制，在原料气压力不稳定的情况下，稳定废气压缩机前端缓冲罐I的压力，减少工作人员的操作次数；其次，通过调整调节阀II，控制废气压缩机运转负荷，减少能耗并延长废气压缩机运行时间。
[0019]四、本技术中，管线I上设有切断阀I，所述管线II上设有切断阀II，即生产过程中可以自主选择将逆放气排至淋洗塔或进入缓冲罐后再进入回收吸附系统，可以明显降低淋洗塔运行负荷，减少对空排放量，回收氯硅烷的同时避免淋洗塔超压造成的喷料、喷水等情况出现，极大地缓解了环保压力。同时，本系统启用时，择一开启切断阀I、切断阀II。本系统的设计初衷为通过废气压缩机加压气体，尽可能回收废气中的有用物质，如氯硅烷等，更有利于节省生产运行成本，两条处理路线可供生产者选择。但是，因淋洗塔压力低于废气压缩机前端缓冲罐I的压力，若同时开启，则逆放气更倾向于送往放空至淋洗塔，违背设计初衷。同时公辅废气及废气压缩机前端缓冲罐I中的气体也有一定可能流通至淋洗塔放空，造成环境污染，且存在一定安全风险。
[0020]五、本技术中，所述换热器的进气口连接的管线II上设有过滤器I，过滤器I为过滤精度为30
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80μm的过滤器，因逆放气中含有一定杂质，包括但不限于细小吸附剂、水解物等，此类物质容易堵塞换热器管束，影响换效果。若采取精度过低的过滤器，则无法起到过滤效果；若采取精度更高的过滤器，则会影响整体气相通量，造成逆放气前端憋压。
[0021]六、本技术中，所述公辅废气管线上设有调节阀I，调节阀I可以跟压力计I、压力计II分程连锁，实现正常接收公辅废气、逆放气同时，稳定废气压缩机前端缓冲罐I的压力；所述回流管线上设有调节阀II，调节阀II可以跟压力计I连锁，实现稳定控制废气压缩机前端缓冲罐I的压力，防止废气压缩机的进气压力过低跳停风险 。这样，变压吸附装置的逆放出口的改变，使逆放气逆放压力不再受限于淋洗塔，也不会因逆放期间压力波动导致的淋洗塔喷料、喷水情况出现，进而降低人员工作量。同时，逆放气气量不受原有淋洗塔压力及环保压力限制，可提高逆放气量，可有效提高变压吸附装置变压吸附运行效果。
[0022]七、本技术中，与所述缓冲罐I连接的管线III上设有过滤器II，过滤器II为过滤精度为30
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80μm的过滤器，因公辅废气中含有一定杂质，包括但不限于硅粉、水解物等，此类物质将堵塞废气压缩机自带的过滤器及废气压缩机，影响废气压缩机正常运行。若采取精度过低的过滤器，则无法起到过滤效果；若采取精度更高的过滤器，则会影响整体气相通量，造成废气压缩机进气压力过低，有跳停风险。
[0023]八、本技术中，废气压缩机工作压力为20
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40kPa的压缩机，本系统中，缓冲罐I、处于低压状态，常规的压缩机由于运行（进口）压力一般高于0.3MPa原因，并不适用于该使用环境，本方案中，采本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅生产废气处理系统，其特征在于：包括变压吸附装置（1），变压吸附装置（1）通过管线I（2）连接解吸缓冲罐（3），解吸缓冲罐（3）再连接淋洗塔（4）；变压吸附装置（1）通过管线II（5）连接换热器（6），换热器（6）的液相出口（6.1）连接回收罐（7），换热器（6）的气相出口（6.2）通过管线III（8）连接缓冲罐I（9），缓冲罐I（9）连接废气压缩机（10）后再连接缓冲罐II（11），缓冲罐II（11）再连接回收吸附系统（12），缓冲罐I（9）和缓冲罐II（11）之间还设有回流管线（13），所述管线III（8）上还接入有公辅废气管线（14）。2.根据权利要求1所述的一种多晶硅生产废气处理系统，其特征在于：所述管线I（2）上设有切断阀I（15），所述管线II（5）上设有切断阀II（16）。3.根据权利要求1所述的一种多晶硅生产废气处理系统，其特征在于：所述换热器（6）的进气口（10.1）连接的管线II（5）上设有过滤器I（17），过滤器I（17）为过滤精度为30
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80μm的过滤器。4.根据权利要求1所述的一种多晶硅生产废气处理系统，其特征在于：所述公辅废气管线（14）上设有调节阀I（18）；...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨飞宇，武国栋，殷万朋，游书华，袁中华，
申请(专利权)人：内蒙古通威高纯晶硅有限公司，
类型：新型
国别省市：