显示器件制造技术

本公开提供一种显示器件。本公开的显示器件包括发光单元、电流源、电压比较器及发射控制单元。电流源被配置成输出供应电流。电压比较器被配置成接收电压数据及斜坡信号。发射控制单元接收发射使能信号，且耦合到发光单元、电流源及电压比较器。电压比较器根据电压数据及斜坡信号向发射控制单元输出比较信号。发射控制单元根据供应电流、发射使能信号及比较信号向发光单元输出驱动电流。本公开的显示器件可提供良好的显示效果。可提供良好的显示效果。可提供良好的显示效果。

【技术实现步骤摘要】
显示器件


[0001]本公开涉及一种器件；具体来说，本公开涉及一种显示器件。

技术介绍

[0002]对于通用显示器件(general display device)，由于通用显示器件的每个像素可同时实行数据设定操作，因此通用显示器件存在峰值功耗(on
‑
peak power consumption)的问题，具体来说，是在拍摄相机时出现红外(Infrared，IR)下降及无光。此外，具有高像素每英寸(pixels per inch，PPI)面板的通用显示器件也存在电路面积过大的缺点。

技术实现思路

[0003]本公开的显示器件包括发光单元、电流源、电压比较器及发射控制单元。电流源被配置成输出供应电流。电压比较器被配置成接收电压数据及斜坡信号。发射控制单元被配置成接收发射使能信号且耦合到发光单元、电流源及电压比较器。电压比较器根据电压数据及斜坡信号向发射控制单元输出比较信号。发射控制单元根据供应电流及比较信号向发光单元输出驱动电流。
[0004]本公开的显示器件包括像素阵列。像素阵列包括多个像素单元。所述多个像素单元被划分成多个像素群组。所述多个像素群组分别接收多个发射使能信号、多个电压数据及共用斜坡信号。所述多个像素群组分别根据所述多个发射使能信号、所述多个电压数据及所述共用斜坡信号而在多个发射周期期间被点亮且在多个数据设定周期期间进行设定。分别与所述多个像素群组对应的所述多个数据设定周期在时间上彼此不重叠。
[0005]基于以上内容，根据本公开的显示器件，显示器件可提供良好的显示效果。
[0006]为使上述内容更易于理解，以下将详细阐述附图所随附的若干实施例。
附图说明
[0007]包括附图以提供对本公开的进一步理解，且附图被并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图示出本公开的示例性实施例，且与说明一同用于阐释本公开的原理。
[0008]图1是根据本公开实施例的显示器件的示意图；
[0009]图2是根据本公开的图1所示实施例的信号的示意图；
[0010]图3是根据本公开另一实施例的显示器件的示意图；
[0011]图4是根据本公开的图3所示实施例的信号的示意图；
[0012]图5是根据本公开又一实施例的显示器件的示意图；
[0013]图6是根据本公开的图5所示实施例的信号的示意图；
[0014]图7是根据本公开另一实施例的电流源的示意图；
[0015]图8是根据本公开又一实施例的电流源的示意图；
[0016]图9A是根据本公开第一实施例的信号及调光操作(dimming operation)的示意图；
[0017]图9B是根据本公开第二实施例的信号及调光操作的示意图；
[0018]图9C是根据本公开第三实施例的信号及调光操作的示意图；
[0019]图9D是根据本公开第四实施例的信号及调光操作的示意图；
[0020]图10A是根据本公开第四实施例的信号及调光操作的示意图；
[0021]图10B是根据本公开第五实施例的信号及调光操作的示意图；
[0022]图10C是根据本公开第六实施例的信号及调光操作的示意图；
[0023]图11是根据本公开第七实施例的信号及调光操作的示意图；
[0024]图12是根据本公开第八实施例的信号及调光操作的示意图；
[0025]图13是根据本公开又一实施例的显示器件的示意图。
具体实施方式
[0026]现将详细参照本公开的示例性实施例，在附图中示出所述示例性实施例的实例。只要可能便在附图及说明中使用相同的参考编号指代相同或相似的组件。
[0027]在本公开的说明书及随附权利要求通篇中，使用某些用语指代特定组件。所属领域中的技术人员应理解，电子器件制造商可使用不同的名称来指代相同的组件。本文并不旨在对功能相同但名称不同的那些组件进行区分。在以下说明及权利请求中，例如“包括(comprise)”及“包含(include)”等词语是开放式用语且应被阐释为“包括但不限于
…”
。
[0028]在本申请的整个说明书(包括随附权利要求)通篇中使用的用语“耦合(coupling)(或连接(connection))”可指任何直接或间接的连接方式。举例来说，如果文本阐述第一器件耦合(或连接)到第二器件，则应被解释为第一器件可直接连接到第二器件，或者第一器件可通过其他器件或某些连接方式间接连接到第二器件。在本申请的整个说明书(包括随附权利要求)通篇中提到的用语“第一(first)”、“第二(second)”及相似用语仅用于对离散的元件进行命名或对不同的实施例或范围进行区分。因此，所述用语不应被视为限制元件数量的上限或下限且不应用于限制元件的布置次序。另外，只要可能，在附图及实施例中使用相同参考编号的元件/组件/步骤表示相同或相似的部件。在不同的实施例中，可使用相同的参考编号或使用相同的用语相互指代元件/组件/步骤的相关说明。
[0029]本公开的显示器件可为有源矩阵发光二极管(active matrix light emitting diode，AM
‑
LED)显示器件，但本公开并不限于此。在本公开的一些实施例中，本公开的显示器件可例如适用于液晶、发光二极管、量子点(quantum dot，QD)、荧光、磷光体、其他合适的显示介质或前述材料的组合，但本公开并不限于此。发光二极管可包括例如有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)、亚毫米发光二极管(sub
‑
millimeter light emitting diode，迷你LED)、微型发光二极管(micro light emitting diode，微型LED)或量子点发光二极管(QLED或QDLED)或其他合适的材料。所述材料可任意布置及组合，但本公开并不限于此。本公开的显示器件可包括外围系统，例如驱动系统、控制系统、光源系统、搁板系统(shelf system)及类似系统，以支持发光器件。
[0030]应注意，在以下实施例中，在不背离本公开的精神的条件下，可对若干不同实施例的技术特征进行替换、重新组合及混合以完成其他实施例。只要每一实施例的特征不违反本公开的精神或彼此冲突，所述特征便可任意混合并一起使用。
[0031]图1是根据本公开实施例的显示器件的示意图。参照图1，显示器件100包括像素阵
列，且像素阵列包括多个像素单元，其中所述多个像素单元中的每一者可包括如图1中所示的电路架构。在本公开的实施例中，显示器件100包括电流源110、电压比较器120、发射控制单元130及发光单元140。电流源110耦合在操作电压VDD_LEU与发射控制单元130之间。发射控制单元130进一步耦合到电压比较器120及发光单元140，且接收发射使能信号EM。发光单元140耦合在发射控制单元130与电压VSS_LEU之间。电压VSS_LE本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示器件，其特征在于，包括：发光单元；电流源，被配置成输出供应电流；电压比较器，被配置成接收电压数据及斜坡信号；以及发射控制单元，被配置成接收发射使能信号，且耦合到所述发光单元、所述电流源及所述电压比较器；其中所述电压比较器根据所述电压数据及所述斜坡信号向所述发射控制单元输出比较信号，且所述发射控制单元根据所述供应电流、所述发射使能信号及所述比较信号向所述发光单元输出驱动电流。2.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述驱动电流的发射周期的时间长度是由所述电压数据及所述斜坡信号确定。3.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述电压比较器还接收脉冲宽度调制扫描信号，且根据所述脉冲宽度调制扫描信号对所述电压数据实行电压编程。4.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述电压比较器包括：第一晶体管，其中所述第一晶体管的第一端子耦合到数据线且接收所述电压数据，且所述第一晶体管的控制端子接收脉冲宽度调制扫描信号；第二晶体管，其中所述第二晶体管的第一端子接收所述斜坡信号，所述第二晶体管的控制端子接收所述发射使能信号，且所述第二晶体管的第二端子耦合到所述第一晶体管的第二端子；第一电容器，其中所述第一电容器的第一端子耦合到所述第二晶体管的所述第二端子及所述第一晶体管的所述第二端子；第一反相器电路，其中所述第一反相器电路的输入端子耦合到所述第一电容器的第二端子，且所述第一反相器电路的输出端子耦合到所述发射控制单元；以及第三晶体管，其中所述第三晶体管的第一端子耦合到所述第一反相器电路的所述输入端子，所述第三晶体管的控制端子接收所述电压数据，且所述第三晶体管的第二端子耦合到所述第一反相器电路的所述输出端子。5.根据权利要求4所述的显示器件，其特征在于，所述第一反相器电路包括：第四晶体管，其中所述第四晶体管的第一端子接收操作电压，所述第四晶体管的控制端子耦合到所述第一反相器电路的所述输入端子，且所述第四晶体管的第二端子耦合到所述第一反相器电路的所述输出端子；以及第五晶体管，其中所述第五晶体管的第一端子接收电压，所述第五晶体管的控制端子耦合到所述第一反相器电路的所述输入端子，且所述第五晶体管的第二端子耦合到所述第一反相器电路的所述输出端子。6.根据权利要求4所述的显示器件，其特征在于，所述电压比较器还包括：第二反相器电路，其中所述第二反相器电路的输入端子耦合到所述第一反相器电路的所述输出端子，且所述第二反相器电路的输出端子耦合到所述发射控制单元。7.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述发射控制单元包括：第六晶体管，其中所述第六晶体管的控制端子耦合到所述电压比较器；第七晶体管，其中所述第七晶体管的第一端子耦合到操作电压，所述第七晶体管的控
制端子接收所述发射使能信号，且所述第七晶体管的第二端子耦合到所述第六晶体管的第一端子；第八晶体管，其中所述第八晶体管的第一端子耦合到所述第六晶体管的第二端子，所述第八晶体管的控制端子耦合到所述电压比较器，且所述第八晶体管的第二端子耦合到电压；第九晶体管，其中所述第九晶体管的第一端子耦合到所述第六晶体管的所述第二端子，所述第九晶体管的控制端子接收所述发射使能信号，且所述第九晶体管的第二端子耦合到所述电压；以及第十晶体管，其中所述第十晶体管的第一端子耦合到所述电流源，所述第十晶体管的控制端子耦合到所述第六晶体管的所述第二端子，且所述第十晶体管的第二端子耦合到所述发光单元。8.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述电流源还接收用于电压编程的脉冲振幅调制扫描信号。9.根据权利要求8所述的显示器件，其特征在于，所述电流源包括：第十一晶体管，其中所述第十一晶体管的第一端子耦合到数据线且接收所述电压数据，所述第十一晶体管的控制端子接收所述脉冲振幅调制扫描信号；第十二晶体管，其中所述第十二晶体管的第一端子接收操作电压，所述第十二晶体管的控制端子耦合到所述第十一晶体管的第二端子，且所述第十二晶体管的第二端子耦合到所述发射控制单元；以及第二电容器，其中所述第二电容器的第一端子耦合到所述第十一晶体管的所述第二端子，且所述第二电容器的第二端子耦合到所述第十二晶体管的所述第二端子。10.根据权利要求8所述的显示器件，其特征在于，所述电流源包括：第十三晶体管，其中所述第十三晶体管的第一端子耦合到数据线且接收所述电压数据，且所述第十三晶体管的控制端子接收所述脉冲振幅调制扫描信号；第十四晶体管，其中所述第十四晶体管的第一端子接收操作...

【专利技术属性】
技术研发人员：桥本和幸，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：