辐射传感器以及电子设备制造技术

技术编号:35361659 阅读:14 留言:0更新日期:2022-10-29 17:59
本公开的实施例涉及辐射传感器以及电子设备。一种辐射传感器,包括检测组件和斩波器组件,检测组件和斩波器组件机械地耦接以界定主腔;并且其中,斩波器组件包括:在主腔中延伸的悬置可移动结构;以及致动结构,致动结构电可控制以引起悬置可移动结构的位置变化。检测单元包括检测结构,检测结构面向主腔并且包括多个检测设备。悬置可移动结构包括导电材料制成的第一屏蔽件,第一屏蔽件屏蔽检测设备使其免受辐射,检测设备的屏蔽是悬置可移动结构的位置而变化。本公开的实施例有利地允许斩波器集成在光电设备中。集成在光电设备中。集成在光电设备中。

【技术实现步骤摘要】
辐射传感器以及电子设备


[0001]本公开涉及一种具有集成机械光学调制器的辐射传感器。

技术介绍

[0002]众所周知,目前有许多辐射(例如红外辐射)传感器可用,其中一些由图1所示类型的系统表征。图1详细地示出传感器1和表征系统2,表征系统2包括:光源4,光源4模拟黑体并且发射辐射;机械型光学调制器6(即快门),也称斩波器6,被配置为接收由光源4发射的辐射并且传输测试辐射;光学电路8,光学电路8被配置为接收测试辐射并且将其引导至传感器1,使得传感器1生成对应的电信号;以及放大和控制电路装置10,用于接收并且放大电信号,生成可以用于表征的相应输出信号并且进一步控制斩波器6,以确保斩波器6的正确定时。放大和控制电路装置10通常包括所谓的锁定放大器。
[0003]实际上,机械型斩波器6允许以下述方式调制测试辐射的强度:使得由传感器1生成的电信号位于平移频带中;以这种方式,由放大和控制电路装置10生成的输出信号受益于相对于例如光噪声的更大弹性。
[0004]不幸的是,需要斩波器意味着当前的表征系统2特别庞大。

技术实现思路

[0005]本公开的目的是提供一种辐射传感器以及一种电子设备,以至少部分地解决现有技术中存在的上述问题。
[0006]本公开的一方面提供了一种辐射传感器,包括:检测组件和斩波器组件,检测组件和斩波器组件机械地耦接以界定主腔,其中斩波器组件包括:在主腔中的悬置可移动结构;以及致动结构,被配置为电可控制以引起悬置可移动结构的位置变化,其中,检测组件包括检测结构,检测结构面向主腔并且包括多个检测设备,并且其中,悬置可移动结构包括导电材料的第一屏蔽件,第一屏蔽件被配置为屏蔽多个检测设备免受辐射,多个检测设备的屏蔽根据悬置可移动结构的位置而变化。
[0007]根据一个或多个实施例,其中斩波器组件包括固定本体和可变形结构,悬置可移动结构通过可变形结构的插置而耦接至斩波器组件的固定本体,其中致动结构电可控制以引起悬置可移动结构相对于斩波器组件的固定本体的移动以及可变形结构的所产生的变形。
[0008]根据一个或多个实施例,其中多个检测设备具有平面布置;并且其中致动结构被配置为使悬置可移动结构与平面布置平行地移动。
[0009]根据一个或多个实施例,其中检测组件包括横向界定检测腔的主半导体本体和固定至主半导体本体的外部本体,其中检测结构固定至主半导体本体并且悬置在检测腔处,检测腔在底部由外部本体封闭。
[0010]根据一个或多个实施例,其中检测组件包括主半导体本体,并且其中检测结构集成在主半导体本体上。
[0011]根据一个或多个实施例,其中斩波器组件还包括部分透射第二屏蔽件,部分透射第二屏蔽件固定在斩波器组件的固定本体上,并且具有使得多个检测设备的屏蔽取决于悬置可移动结构相对于检测结构的位置并且取决于悬置可移动结构相对于第二屏蔽件的位置的形状。
[0012]根据一个或多个实施例,其中悬置可移动结构在斩波器组件的固定本体下方延伸,其中斩波器组件包括第二屏蔽件,第二屏蔽件布置在斩波器组件的固定本体的顶部并且是部分透射的,其中检测结构相对于悬置可移动结构横向地偏移,悬置可移动结构被配置为在辐射已经照射在第二屏蔽件上并且已经穿过第二屏蔽件和斩波器组件的固定本体之后接收辐射,悬置可移动结构被配置为对所接收的辐射进行色度散射以将波长取决于检测设备相对于悬置可移动结构的横向偏移的辐射朝各个检测设备引导;并且其中第一屏蔽件和第二屏蔽件被配置为根据悬置可移动结构相对于第二屏蔽件的位置来衰减照射在第二屏蔽件上的辐射。
[0013]根据一个或多个实施例,其中检测组件包括主半导体本体,主半导体本体横向地界定主腔的一部分,其中主腔在底部由检测结构封闭,检测结构接合在主半导体本体之下。
[0014]根据一个或多个实施例,其中检测组件包括主半导体本体和间隔件,并且其中间隔件插置在斩波器组件的固定本体与检测组件的主半导体本体之间并且横向地界定主腔的一部分,主腔在底部由检测结构封闭,检测结构集成在检测组件的主半导体本体上。
[0015]本公开的另一方面提供了一种电子设备,包括:辐射传感器,辐射传感器包括:检测组件,耦接至斩波器组件,检测组件和斩波器组件界定主腔,其中斩波器组件包括:在主腔中的悬置可移动结构;以及致动结构,被配置为电可控制以引起悬置可移动结构的位置变化,其中,检测组件包括检测结构,检测结构面向主腔并且包括多个检测设备,并且其中,悬置可移动结构包括导电材料的第一屏蔽件,第一屏蔽件被配置为屏蔽多个检测设备免受辐射,多个检测设备的屏蔽根据悬置可移动结构的位置而变化,封装件,包括封装结构,封装结构是光学不透明的并且界定由开口覆盖的容纳腔;以及透镜,覆盖开口,其中,辐射传感器布置在容纳腔内,透镜被定位并且配置为将辐射聚焦到辐射传感器上。
[0016]根据一个或多个实施例,其中斩波器组件包括固定本体和可变形结构,悬置可移动结构通过可变形结构的插置而耦接至斩波器组件的固定本体。
[0017]根据一个或多个实施例,其中致动结构电可控制以引起悬置可移动结构相对于斩波器组件的固定本体的移动以及可变形结构的所产生的变形。
[0018]根据一个或多个实施例,其中斩波器组件还包括部分透射第二屏蔽件,部分透射第二屏蔽件固定在斩波器组件的固定本体上,并且部分透射第二屏蔽件具有使得多个检测设备的屏蔽取决于悬置可移动结构相对于检测结构的位置并且取决于悬置可移动结构相对于第二屏蔽件的位置的形状。
[0019]根据一个或多个实施例,其中检测组件包括主半导体本体,主半导体本体横向地界定主腔的一部分,其中主腔在底部由检测结构封闭,检测结构接合在主半导体本体之下。
[0020]本公开的实施例有利地允许斩波器集成在光电设备中。
附图说明
[0021]为了更好地理解本技术,现在将仅通过非限制性示例并参考附图来描述本实
用新型的优选实施例,在附图中:
[0022]图1示出已知类型的表征系统的框图;
[0023]图2和4示意性地示出辐射传感器在两种不同操作条件下的横截面;
[0024]图3示意性地示出图2所示传感器的部分俯视图;
[0025]图5、6和8示意性地示出辐射传感器的横截面;
[0026]图7示出当检测设备的位置沿轴线线变化时,照射检测设备的辐射的波长趋势;
[0027]图9示意性地示出包含传感器的封装件的横截面;
[0028]图10

16示意性地示出在制造工艺的后续步骤期间传感器的横截面。
[0029]图17是根据另一实施例的辐射传感器的横截面。
具体实施方式
[0030]实施例涉及一种辐射传感器、一种包括辐射传感器的设备以及用于形成辐射传感器的制造工艺。
[0031]图2示出传感器12,包括第一外部本体14、第二外部本体16和中间本体18。
[0032]第一外部本体14例如由半导体材料(例如硅)形成,并且在顶部和本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种辐射传感器,其特征在于,包括:检测组件和斩波器组件,所述检测组件和所述斩波器组件机械地耦接以界定主腔,其中所述斩波器组件包括:在所述主腔中的悬置可移动结构;以及致动结构,被配置为电可控制以引起所述悬置可移动结构的位置变化,其中,所述检测组件包括检测结构,所述检测结构面向所述主腔并且包括多个检测设备,并且其中,所述悬置可移动结构包括导电材料的第一屏蔽件,所述第一屏蔽件被配置为屏蔽所述多个检测设备免受所述辐射,所述多个检测设备的所述屏蔽根据所述悬置可移动结构的位置而变化。2.根据权利要求1所述的辐射传感器,其特征在于,所述斩波器组件包括固定本体和可变形结构,所述悬置可移动结构通过所述可变形结构的插置而耦接至所述斩波器组件的所述固定本体,其中所述致动结构电可控制以引起所述悬置可移动结构相对于所述斩波器组件的所述固定本体的移动以及所述可变形结构的所产生的变形。3.根据权利要求2所述的辐射传感器,其特征在于,所述多个检测设备具有平面布置;并且其中所述致动结构被配置为使所述悬置可移动结构与所述平面布置平行地移动。4.根据权利要求2所述的辐射传感器,其特征在于,所述检测组件包括横向界定检测腔的主半导体本体和固定至所述主半导体本体的外部本体,其中所述检测结构固定至所述主半导体本体并且悬置在所述检测腔处,所述检测腔在底部由所述外部本体封闭。5.根据权利要求2所述的辐射传感器,其特征在于,所述检测组件包括主半导体本体,并且其中所述检测结构集成在所述主半导体本体上。6.根据权利要求4所述的辐射传感器,其特征在于,所述斩波器组件还包括部分透射第二屏蔽件,所述部分透射第二屏蔽件固定在所述斩波器组件的所述固定本体上,并且具有使得所述多个检测设备的屏蔽取决于所述悬置可移动结构相对于所述检测结构的位置并且取决于所述悬置可移动结构相对于所述第二屏蔽件的位置的形状。7.根据权利要求2所述的辐射传感器,其特征在于,所述悬置可移动结构在所述斩波器组件的固定本体下方延伸,其中所述斩波器组件包括第二屏蔽件,所述第二屏蔽件布置在所述斩波器组件的所述固定本体的顶部并且是部分透射的,其中所述检测结构相对于所述悬置可移动结构横向地偏移,所述悬置可移动结构被配置为在辐射已经照射在所述第二屏蔽件上并且已经穿过所述第二屏蔽件和所述斩波器组件的所述固定本体之后接收辐射,所述悬置可移动结构被配置为对所接收的辐射进行色度散射以将波长取决于所述检测设备相对于所述悬置可移动结构的横向偏移的辐射朝各个检测设备引导;并且其中所述第一屏蔽件和所述第二屏蔽件被配置为根据所述悬置可...

【专利技术属性】
技术研发人员:M
申请(专利权)人:意法半导体股份有限公司
类型:新型
国别省市:

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