一种便于多次Metal-fix的集成电路版图构造方法技术

本发明专利技术适用于集成电路领域，提供了一种便于多次Metal

【技术实现步骤摘要】
一种便于多次Metal
‑
fix的集成电路版图构造方法


[0001]本专利技术属于集成电路领域，尤其涉及一种便于多次Metal
‑
fix的集成电路版图构造方法。

技术介绍

[0002]目前，集成电路芯片在电子产品的各个领域内得到了广泛的应用，与分立器件电路相比，集成电路芯片电路的修改相对困难，如果产品功能或性能未达到设计要求，或者需要修改产品功能定义，就要重新制版，重新流片。而制作掩模版重新流片的费用昂贵，增加了产品研发成本，多次流片也增加了产品研发周期。
[0003]在集成电路芯片修改中，有一种修改技术称之为Metal
‑
fix的修改方法，该方法适用于不修改底层器件的尺寸和特性，通过某几个Metal(金属)或Via(过孔)层次上的连线修改方式，来达到产品的功能或性能。该方法可以不用对全套掩模版进行重新制作，而是只制作需要修改的几层Metal或Via层次。该修改方法可以大幅节省重新全套掩模版的费用，而且可以在原有流片中间，切换到新修改好的掩模版上，缩短研发的流片周期。
[0004]为了在可能的掩模版改版中增加一种修改预期，需要在第一次版图设计时，就要增加一些预期的修改点和修改方案，这也是目前集成电路设计流片时最常用的设计思路。不过目前现有的修改点版图结构一般只适用于单次修改，对同一节点上多次修改时，缺少设计，导致可能需要额外增加的修改版图层次。
[0005]因此，针对以上现状，迫切需要开发一种便于多次Metal
‑
fix的集成电路版图构造方法，能支持同一节点上多次修改，并能尽可能减少修改层次，以克服当前实际应用中的不足。

技术实现思路

[0006]本专利技术的目的在于提供一种便于多次Metal
‑
fix的集成电路版图构造方法，旨在解决现有的修改点版图结构一般只适用于单次修改，对同一节点上多次修改时，缺少设计，导致可能需要额外增加的修改版图层次的问题。
[0007]本专利技术是这样实现的，一种便于多次Metal
‑
fix的集成电路版图构造方法，具体为：串接顶层Metal到底层Metal的所有层次至少两次，同时每个Metal层次上预留有满足断开连接关系的宽度。
[0008]进一步的技术方案，在进行Metal
‑
fix时，选择修改信号的同一个Metal层次远离信号流出端的区域。
[0009]进一步的技术方案，Metal层次上预留的宽度，用于进行Metal修改连接时满足DRC的设计规则。
[0010]进一步的技术方案，DRC的设计规则包括有最小间距和/或包裹Via的最小宽度。
[0011]进一步的技术方案，构造的集成电路版图为正V型、倒V型、正U型或倒U型结构。
[0012]本专利技术提供的一种便于多次Metal
‑
fix的集成电路版图构造方法，在进行修改电
路时可进行多次Metal
‑
fix，达到节省制版费用，减少产品研发周期的目的；得到的集成电路版图结构，能支持同一节点上多次修改，并能尽可能减少修改层次，值得推广。
附图说明
[0013]图1为本专利技术实施例提供的正V型结构版图的俯视示意图；
[0014]图2为图1的主视剖面示意图；
[0015]图3为图1进行第一次Metal
‑
fix的示意图(B断开A，然后连接C)；
[0016]图4为图3的主视剖面示意图；
[0017]图5为图3进行第二次Metal
‑
fix的示意图(B断开C，然后连接D)；
[0018]图6为图5的主视剖面示意图；
[0019]图7为本专利技术实施例提供的倒V型结构版图的主视剖面示意图；
[0020]图8为本专利技术实施例提供的倒U型结构版图的主视剖面示意图；
[0021]图9为本专利技术实施例提供的正U型结构版图的主视剖面示意图。
具体实施方式
[0022]为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。
[0023]以下结合具体实施例对本专利技术的具体实现进行详细描述。
[0024]如图1
‑
9所示，为本专利技术一个实施例提供的一种便于多次Metal
‑
fix的集成电路版图构造方法，具体为：
[0025]串接顶层Metal到底层Metal(即Metal1层次，M1)的所有层次至少两次，即使用了顶层Metal到底层Metal的所有层次；同时每个Metal层次上预留有满足断开连接关系的宽度，保证进行Metal修改连接时满足DRC的设计规则，如最小间距、包裹Via的最小宽度等。
[0026]进一步的，在进行Metal
‑
fix时，优先选择修改信号的同一个Metal层次远离信号流出端的区域，为以后进行Metal
‑
fix预留操作可能性。
[0027]进一步的，构造的集成电路版图为正V型、倒V型、正U型或倒U型等结构，该几类版图结构特性，最差可以提供两次单层次改动的Metal
‑
fix方案。
[0028]在本专利技术实施例中，提供的便于多次Metal
‑
fix的集成电路版图构造方法，在进行修改电路时可进行多次Metal
‑
fix，达到节省制版费用，减少产品研发周期的目的；得到的集成电路版图结构，能支持同一节点上多次修改，并能尽可能减少修改层次，值得推广。
[0029]下面结合附图1
‑
6，进行具体实施例的描述。
[0030]如图1
‑
2所示，作为本专利技术的一种优选实施例，是正V型结构的可多次Metal
‑
fix的集成电路版图结构，顶层Metal是Metal4(即M4)，M4、M3、M2、M1、M2、M3和M4依次进行串接，信号流向从左侧A端流向右侧B端。
[0031]正常工作时信号从左侧A端，通过M4
→
Via3
→
M3
→
Via2
→
M2
→
Via1
→
M1
→
Via1
→
M2
→
Via2
→
M3
→
Via3
→
M4的顺序，流向右侧B端，其中Via表示过孔。
[0032]如图3
‑
4所示，作为本专利技术的一种优选实施例，第一次Metal
‑
fix，B信号需要断开与A信号连接，并连接到处于M2的信号C，图中显示了其版图的连接方式。
[0033]第一次Metal
‑
fix，处理信号同层次的Metal区域，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种便于多次Metal
‑
fix的集成电路版图构造方法，其特征在于，具体为：串接顶层Metal到底层Metal的所有层次至少两次，同时每个Metal层次上预留有满足断开连接关系的宽度。2.根据权利要求1所述的便于多次Metal
‑
fix的集成电路版图构造方法，其特征在于，在进行Metal
‑
fix时，选择修改信号的同一个Metal层次远离信号流出端的区域。3.根据权利要求2所述的便于多次Metal
‑
...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢君明，洪享，
申请(专利权)人：上海坚芯电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：