一种无源实现数据通讯中数据编码及存储的系统技术方案

本发明专利技术公开了一种无源实现数据通讯中数据编码及存储的系统，包括MxN个行控制单元、M个列控制单元、一个NMOS管和M+1个下拉电阻。一个行控制单元由一个二极管配合一个开关组成；一个列控制单元由一个二极管配合一个PMOS管组成。本发明专利技术采用了无源器件，能够在无稳定电源条件下，实现需要的数据编码及存储，支持在高压如3.3V～30V条件下，都能够正常输出数据。同时因为使用了无源器件，在不工作时，其不需要电流来维持电路工作，因此真正实现0功耗。因此真正实现0功耗。因此真正实现0功耗。

【技术实现步骤摘要】
一种无源实现数据通讯中数据编码及存储的系统


[0001]本专利技术涉及数据处理
，具体是一种无源实现数据通讯中数据编码及存储的系统。

技术介绍

[0002]随着各种电子设备应用发展，电子设备中的识别编码及数据存储越来越重要。目前在稳定电源供电下，基于5V以下电压的数据编码和存储电路已经非常常用和普遍；并且通过5V及5V以下器件对大于5V的信号的控制，也是非常普遍。
[0003]但在无稳定电源供电条件下，对高压或5V及以下电压的数据编码以及存储没有一种成熟的方法。如果想要在无稳定电源供电下，采用稳压电路模块或储能技术获取稳定电源的方法，又涉及到从无电源到获取电源稳定的时间的限制。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种无源实现数据通讯中数据编码及存储的系统，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
[0006]一种无源实现数据通讯中数据编码及存储的系统，包括MxN个行控制单元、M个列控制单元、一个NMOS管和M+1个下拉电阻。一个行控制单元由一个二极管配合一个开关组成；一个列控制单元由一个二极管配合一个PMOS管组成。包括二极管D101、二极管D102、MOS管Q101、MOS管Q102、电阻R101和电阻R102，其特征在于，所述二极管D101的阳极连接二极管D102～D10M的阳极和控制信号L1，二极管D201的阳极连接二极管D202～D20M的阳极和控制信号L2，二极管D301的阳极连接二极管D302～D30M的阳极和控制信号L3，二极管DN01的阳极连接二极管DN02～DN0M的阳极和控制信号LN，二极管D101的阴极连接二极管D201～DN01的阴极、MOS管Q101的栅极和电阻R101，二极管D102的阴极连接二极管D202～DN02的阴极、MOS管Q102的栅极和电阻R102，二极管D10M的阴极连接二极管D20M～DN0M的阴极、MOS管Q10M的栅极和电阻R10M，MOS管Q101的源极连接MOS管Q102的源极、MOS管Q10M的源极、电阻R201和MOS管Q200的栅极，MOS管Q101的漏极连接二极管D01的阴极，二极管D01的阳极连接信号C1，MOS管Q102的漏极连接二极管D02的阴极，二极管D02的阳极连接信号C2，MOS管Q10M的漏极连接二极管D0M的阴极，二极管D0M的阳极连接信号CM，MOS管Q200的漏极连接信号Data。
[0007]作为本专利技术的进一步技术方案，所述二极管D101～D10M、二极管D201～D20M、二极管D301～D30M、二极管DN01～DN0M的阴极与对应的MOS管的栅极之间均设有开关SW。
[0008]作为本专利技术的进一步技术方案，所述MOS管Q101、MOS管Q102～Q10M均为PMOS管，MOS管Q200为NMOS管。
[0009]作为本专利技术的进一步技术方案，所述二极管D101～D10M均为开关二极管。
[0010]作为本专利技术的进一步技术方案，所述二极管D201～D20M均为开关二极管。
[0011]作为本专利技术的进一步技术方案，所述二极管D301～D30M均为开关二极管。
[0012]作为本专利技术的进一步技术方案，所述二极管DN01～DN0M均为开关二极管。
[0013]作为本专利技术的进一步技术方案，所述二极管D01～D0M均为开关二极管。
[0014]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
[0015]本专利技术采用了无源器件，能够在无稳定电源条件下，实现需要的数据编码及存储，支持在高压如3.3V～30V条件下，都能够正常输出数据。同时因为使用了无源器件，在不工作时，其不需要电流来维持电路工作，因此真正实现0功耗。
附图说明
[0016]图1为MxN位的数据编码电路图；
[0017]图2为编码为“FFF”的数据编码电路图；
[0018]图3为编码为“A6D”的数据编码电路图。
[0019]图4为典型工作电路图。
[0020]图5为对应“A6D”的数据编码电路的访问波形图。
具体实施方式
[0021]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0022]请参阅图1
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5，实施例1：图1中，一种无源实现数据通讯中数据编码及存储的系统，包括MxN个行控制单元、M个列控制单元、一个NMOS管和M+1个下拉电阻。一个行控制单元由一个二极管配合一个开关组成；一个列控制单元由一个二极管配合一个PMOS管组成。包括二极管D101、二极管D102、MOS管Q101、MOS管Q102、电阻R101和电阻R102，其特征在于，所述二极管D101的阳极连接二极管D102～D10M的阳极和控制信号L1，二极管D201的阳极连接二极管D202～D20M的阳极和控制信号L2，二极管D301的阳极连接二极管D302～D30M的阳极和控制信号L3，二极管DN01的阳极连接二极管DN02～DN0M的阳极和控制信号LN，二极管D101的阴极连接二极管D201～DN01的阴极、MOS管Q101的栅极和电阻R101，二极管D102的阴极连接二极管D202～DN02的阴极、MOS管Q102的栅极和电阻R102，二极管D10M的阴极连接二极管D20M～DN0M的阴极、MOS管Q10M的栅极和电阻R10M，MOS管Q101的源极连接MOS管Q102的源极、MOS管Q10M的源极、电阻R201和MOS管Q200的栅极，MOS管Q101的漏极连接二极管D01的阴极，二极管D01的阳极连接信号C1，MOS管Q102的漏极连接二极管D02的阴极，二极管D02的阳极连接信号C2，MOS管Q10M的漏极连接二极管D0M的阴极，二极管D0M的阳极连接信号CM，MOS管Q200的漏极连接信号Data。
[0023]本专利技术采用行列式结构，通过二极管、开关、PMOS管、NMOS管的单向和开关特性，针对一个MxN的数据编码电路，由MxN个二极管和开关对组成的行控制阵列、由M个二极管和PMOS管对组成的列控制阵列、NMOS管来实现数据编码及存储。
[0024]一个完整全输出为“1”的3x4数据编码电路，如图2所示。
[0025]图2中，行控制阵列上，是3x4个二极管和开关对的阵列，一个二极管配合一个开
关，其中，二极管的功能是起单向导通作用，避免行控制信号Lx之间相互影响，保证电压信号从行控制信号Lx向中间节点LCx传导，避免LCx向其他行控制信号的反向传导。
[0026]中间节点LCx分别是中间节点，分别接到PMOS管Q101/Q102/Q103的控制端G端。而LC1节点可以通过L1/L2/L3/L4四个行控制信号通过二极管和开关单向导通高电平信本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种无源实现数据通讯中数据编码及存储的系统，包括MxN个行控制单元、M个列控制单元、一个NMOS管和M+1个下拉电阻，一个行控制单元由一个二极管配合一个开关组成；一个列控制单元由一个二极管配合一个PMOS管组成，包括二极管D101、二极管D102、MOS管Q101、MOS管Q102、电阻R101和电阻R102，其特征在于，所述二极管D101的阳极连接二极管D102～D10M的阳极和控制信号L1，二极管D201的阳极连接二极管D202～D20M的阳极和控制信号L2，二极管D301的阳极连接二极管D302～D30M的阳极和控制信号L3，二极管DN01的阳极连接二极管DN02～DN0M的阳极和控制信号LN，二极管D101的阴极连接二极管D201～DN01的阴极、MOS管Q101的栅极和电阻R101，二极管D102的阴极连接二极管D202～DN02的阴极、MOS管Q102的栅极和电阻R102，二极管D10M的阴极连接二极管D20M～DN0M的阴极、MOS管Q10M的栅极和电阻R10M，MOS管Q101的源极连接MOS管Q102的源极、MOS管Q10M的源极、电阻R201和MOS管Q200的栅极，MOS管Q101...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢君明，厉祥春，
申请(专利权)人：上海坚芯电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：