一种转移二维通道提锂薄膜的方法技术

本发明专利技术公开一种转移二维通道提锂薄膜的方法，包括以下步骤：在用于组装二维通道提锂薄膜的衬底上制备蛭石膜层；在设置有所述蛭石膜层的衬底上组装二维通道提锂薄膜，以在所述衬底上形成由所述蛭石膜层和所述二维通道提锂薄膜复合而成的复合膜；对形成有所述复合膜的衬底进行干燥处理，使所述复合膜自所述衬底上脱落；将脱落后的所述复合膜在溶剂中浸泡以除去所述蛭石膜层，实现二维通道提锂薄膜的转移。本发明专利技术提供的方法可实现在不影响二维通道提锂薄膜有序层状结构和性能的前提下，完整且快速地将薄膜转移，并且该方法还具有简单便捷、操作性强、成本低廉、易实现规模化生产的优点，具有良好的应用前景。具有良好的应用前景。具有良好的应用前景。

【技术实现步骤摘要】
一种转移二维通道提锂薄膜的方法


[0001]本专利技术涉及二维通道薄膜材料
，具体涉及一种转移二维通道提锂薄膜的方法。

技术介绍

[0002]二维通道薄膜材料的有序层状结构具有通道高度可精准调控的特点，通过通道高度的尺寸限制以及通道截面对离子传输行为的影响，可实现不同离子间的选择性分离。利用上述二维通道薄膜材料的特点，能够将理化性能接近的镁离子和锂离子分离，已成为盐湖卤水提锂技术中的新突破。
[0003]现有技术公开了一些二维通道薄膜材料的制备技术，可解决薄膜在卤水提锂应用中抗溶胀和稳定性等需求。在这些薄膜制备技术中，均需要首先将二维纳米片堆叠组装至衬底上，然后待干燥后将堆叠产物与衬底分离，获得二维通道薄膜材料。然而，由于所制备的二维通道薄膜材料厚度仅为纳米或微米级，且卤水提锂应用中严重依赖薄膜有序的层状结构，因此在将堆叠得到的二维通道薄膜与衬底分开和转移时，需要十分小心和谨慎以保证薄膜的完整性，这严重制约了薄膜制备的效率和工业规模化推广。
[0004]对于薄膜转移技术而言，一些已知的方法主要包括刻蚀和牺牲层溶解，但对于二本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种转移二维通道提锂薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：在用于组装二维通道提锂薄膜的衬底上制备蛭石膜层；在设置有所述蛭石膜层的衬底上组装二维通道提锂薄膜，以在所述衬底上形成由所述蛭石膜层和所述二维通道提锂薄膜复合而成的复合膜；对形成有所述复合膜的衬底进行干燥处理，使所述复合膜自所述衬底上脱落；将脱落后的所述复合膜在溶剂中浸泡以除去所述蛭石膜层，实现二维通道提锂薄膜的转移。2.如权利要求1所述的转移二维通道提锂薄膜的方法，其特征在于，所述衬底的材质为聚偏氟乙烯、尼龙、混合纤维素酯或氧化铝。3.如权利要求1所述的转移二维通道提锂薄膜的方法，其特征在于，所述衬底为多孔薄膜，所述多孔薄膜的孔径为100～450nm。4.如权利要求1所述的转移二维通道提锂薄膜的方法，其特征在于，在用于组装二维通道提锂薄膜的衬底上制备蛭石膜层的步骤中：所述蛭石膜层的厚度为0.1～5μm。5.如权利要求1所述的转移二维通道提锂薄膜的方法，其特征在于，在用于组装二维通道提锂薄膜的衬底上制备蛭石膜层的步骤，包括：将蛭石悬浮液设置于用于组装二维通道提锂薄膜的衬底上，通过真空抽滤或者蒸发法在所述衬底上制成蛭石膜层。...

【专利技术属性】
技术研发人员：张婷婷，赵云良，温通，陈立才，
申请(专利权)人：武汉轻工大学，
类型：发明
国别省市：