激光二极管元件及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种减少了多个激光的特性的偏差的激光二极管元件。激光二极管元件的制造方法具备如下工序：准备层叠体的工序，层叠体包括多个元件区域，元件区域具有多个凸部，所述多个凸部包括：将一方的解理预定线和另一方的解理预定线相连的第一侧面和第二侧面、以及在俯视时配置在第一侧面与第二侧面之间且将与解理预定线交叉的方向作为长边方向的脊部，在俯视时，解理预定线上的从第一侧面到脊部的第一距离与从第二侧面到脊部的第二距离不同，一个元件区域中的多个第一距离相等；沿着解理预定线解理层叠体的工序，多个凸部各自的解理从第一侧面开始，到达第二侧面；以及沿着分割预定线切割层叠体的工序。预定线切割层叠体的工序。预定线切割层叠体的工序。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】激光二极管元件及其制造方法


[0001]本公开涉及激光二极管元件及其制造方法。

技术介绍

[0002]在专利文献1中记载有在氮化物半导体基板上具有多个发光元件结构的光集成型的半导体发光元件。在专利文献1的半导体发光元件中，多个发光元件结构的形状相对于半导体发光元件的中心线呈线对称。另外，在专利文献1中，作为氮化物半导体基板的例子记载有GaN基板，并记载有通过将GaN基板解理(cleavage)来形成半导体发光元件的端面。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2006
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216772号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的课题
[0007]通过解理而形成的端面的形状有时根据包括氮化物半导体基板的层叠体的形状而变化。在射出多个激光的激光二极管元件中，与各激光的光波导对应的部分的端面的形状的偏差越大，则一个激光二极管元件中的多个激光的特性的偏差越大。
[0008]用于解决课题的方案
[0009]本公开包括以下的专利技术。
[0010]一种激光二极管元件的制造方法，其中，所述激光二极管元件的制造方法具备如下工序：
[0011]准备层叠体的工序，所述层叠体具有：氮化物半导体基板、设置在所述氮化物半导体基板之上的第一导电型半导体层、设置在所述第一导电型半导体层之上的活性层、以及设置在所述活性层之上的第二导电型半导体层，
[0012]所述层叠体包括多个元件区域，所述多个元件区域在俯视时由多条解理预定线和与所述解理预定线交叉的多条分割预定线划分，
[0013]所述元件区域具有多个凸部，所述多个凸部包括：将一方的所述解理预定线和另一方的所述解理预定线相连的第一侧面和第二侧面、以及在俯视时配置在所述第一侧面与第二侧面之间且将与所述解理预定线交叉的方向作为长边方向的脊部，
[0014]所述第一侧面的下端和所述第二侧面的下端位于比所述活性层的下表面靠下方的位置，
[0015]在俯视时，所述解理预定线上的从所述第一侧面到所述脊部的第一距离与从所述第二侧面到所述脊部的第二距离不同，
[0016]一个所述元件区域中的多个所述第一距离相等；
[0017]沿着所述解理预定线解理所述层叠体的工序，多个所述凸部各自的解理从所述第一侧面开始，到达所述第二侧面；以及
[0018]沿着所述分割预定线分割所述层叠体的工序。
[0019]一种激光二极管元件，其中，所述激光二极管元件具备：
[0020]氮化物半导体基板；
[0021]第一导电型半导体层，所述第一导电型半导体层设置在所述氮化物半导体基板之上；
[0022]活性层，所述活性层设置在所述第一导电型半导体层之上；
[0023]第二导电型半导体层，所述第二导电型半导体层设置在所述活性层之上；
[0024]光射出侧端面；
[0025]光反射侧端面；以及
[0026]多个凸部，所述多个凸部包括：将所述光射出侧端面和所述光反射侧端面相连的第一侧面和第二侧面、以及在俯视时配置在所述第一侧面与第二侧面之间且将与所述光射出侧端面交叉的方向作为长边方向的脊部，
[0027]所述第一侧面的下端和所述第二侧面的下端位于比所述活性层的下表面靠下方的位置，
[0028]在俯视时，所述光射出侧端面上的从所述第一侧面到所述脊部的第一距离与从所述第二侧面到所述脊部的第二距离不同，
[0029]多个所述凸部的所述第一距离相等。
[0030]专利技术的效果
[0031]根据上述的专利技术，能够得到减少了与多个脊部分别对应的多个激光的特性的偏差的激光二极管元件。
附图说明
[0032]图1是表示本专利技术的一实施方式的激光二极管元件的制造方法的流程图。
[0033]图2是表示本专利技术的一实施方式的激光二极管元件的制造方法的示意性俯视图。
[0034]图3是放大表示层叠体的一部分的示意性俯视图。
[0035]图4A是图3的局部放大图。
[0036]图4B是图4A的IVB
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IVB线处的剖视图。
[0037]图4C是图4A的IVC
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IVC线处的剖视图。
[0038]图5A是用于说明凸部的形状的示意性俯视图。
[0039]图5B是用于说明凸部的形状的示意性俯视图。
[0040]图6A是用于说明凸部的形状的变形例的示意性俯视图。
[0041]图6B是图6A的局部放大图。
[0042]图6C是图6A的局部放大图。
[0043]图7A是用于说明具有岛部的例子的示意性俯视图。
[0044]图7B是用于说明具有岛部的其他例子的示意性俯视图。
[0045]图8是用于说明层叠体的变形例的示意性剖视图。
[0046]图9A是用于说明层叠体的变形例的示意性俯视图。
[0047]图9B是图9A的VIIB
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VIIB线处的剖视图。
[0048]图9C是图9A的VIIC
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VIIC线处的剖视图。
[0049]图10是表示本专利技术的一实施方式的激光二极管元件的制造方法的示意性俯视图。
[0050]图11是表示本专利技术的一实施方式的激光二极管元件的制造方法的示意性俯视图。
[0051]图12A是表示本专利技术的一实施方式的激光二极管元件的示意性俯视图。
[0052]图12B是图12A的XB
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XB线处的剖视图。
[0053]图13是表示本专利技术的一实施方式的发光装置的示意性剖视图。
[0054]图14是表示实施例1和比较例的阈值电流值的正态概率分布的图表。
具体实施方式
[0055]以下，参照附图对本专利技术的一实施方式进行说明。需要说明的是，在各附图中，对相同要素标注相同的附图标记。另外，在各剖视图中，仅示出剖切面的情形，省略了不存在于剖切面的部件的图示。
[0056]图1是表示本实施方式的激光二极管元件的制造方法的流程图。如图1所示，本实施方式的激光二极管元件的制造方法具有层叠体准备工序S101、解理工序S102以及分割工序S103。图2至图12B是用于说明本实施方式的激光二极管元件的制造方法的示意图。
[0057](层叠体准备工序S101)
[0058]首先，如图2所示，准备层叠体100。图2所示的层叠体100是晶片。层叠体100包括在俯视时由多条解理预定线200和与解理预定线200交叉的多条分割预定线300划分的多个元件区域400。在图2中，沿图中左右方向延伸的线是解理预定线200，沿图中上下方向延伸的线是分割预定线300。解理预定线200和分割预定线300都是假想线。解理预定线200和分割预定线300例如垂直相交。在俯视时，元件区域400例如为矩形。在图2中，使所有的解理预定线200和分割预定线300的终端与本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种激光二极管元件的制造方法，其中，所述激光二极管元件的制造方法具备如下工序：准备层叠体的工序，所述层叠体具有：氮化物半导体基板、设置在所述氮化物半导体基板之上的第一导电型半导体层、设置在所述第一导电型半导体层之上的活性层、以及设置在所述活性层之上的第二导电型半导体层，所述层叠体包括多个元件区域，所述多个元件区域在俯视时由多条解理预定线和与所述解理预定线交叉的多条分割预定线划分，所述元件区域具有多个凸部，所述多个凸部包括：将一方的所述解理预定线和另一方的所述解理预定线相连的第一侧面和第二侧面、以及在俯视时配置在所述第一侧面与第二侧面之间且将与所述解理预定线交叉的方向作为长边方向的脊部，所述第一侧面的下端和所述第二侧面的下端位于比所述活性层的下表面靠下方的位置，在俯视时，所述解理预定线上的从所述第一侧面到所述脊部的第一距离与从所述第二侧面到所述脊部的第二距离不同，一个所述元件区域中的多个所述第一距离相等；沿着所述解理预定线解理所述层叠体的工序，多个所述凸部各自的解理从所述第一侧面开始，到达所述第二侧面；以及沿着所述分割预定线分割所述层叠体的工序。2.如权利要求1所述的激光二极管元件的制造方法，其中，所述第一距离比所述第二距离长。3.如权利要求1或2所述的激光二极管元件的制造方法，其中，所述元件区域中的多个所述凸部具有：位于解理开始的一侧的第一凸部；位于解理结束的一侧的第二凸部；以及位于所述第一凸部与所述第二凸部之间的一个以上的中间凸部。4.如权利要求3所述的激光二极管元件的制造方法，其中，在俯视时，所述凸部具有以所述脊部为边界而位于所述第一侧面侧的第一区域和位于所述第二侧面侧的第二区域，所述元件区域具有多个第一导电层，所述多个第一导电层配置在多个所述凸部各自的所述脊部以及所述第一区域的上方，并与所述第二导电型半导体层电连接。5.如权利要求4所述的激光二极管元件的制造方法，其中，所述元件区域具有多个第二导电层，所述多个第二导电层配置在各个所述第一导电层的上方，并与所述第一导电层电连接，关于沿着所述解理预定线的方向上的宽度，所述第二导电层的宽度比所述第一导电层的宽度小。6.如权利要求5所述的激光二极管元件的制造方法，其中，配置在所述第二凸部的上方的所述第一导电层也配置在所述第二凸部的所述第二区域的上方，所述元件区域具有配置在所述第二凸部的所述第二区域的上方的第三导电层。7.如权利要求3～6中任一项所述的激光二极管元件的制造方法，其中，
在俯视时，所述凸部具有以所述脊部为边界而位于所述第一侧面侧的第一区域和位于所述第二侧面侧的第二区域，所述第一凸部的所述第一区域具有：一方的所述解理预定线通过的第一外侧部、另一方的所述解理预定线通过的第二外侧部、以及位于所述第一外侧部与所述第二外侧部之间的第一内侧部，关于沿着所述解理预定线的方向上的宽度，所述第一内侧部的宽度比所述第一外侧部以及所述第二外侧部的宽度大。8.如权利要求3～7中任一项所述的激光二极管元件的制造方法，其中，在俯视时，所述凸部具有以所述脊部为边界而位于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：东直树，
申请(专利权)人：日亚化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：