墨水和量子点薄膜的制备方法及发光二极管的制备方法技术

本申请涉及量子点技术领域，尤其涉及一种墨水和量子点薄膜的制备方法及发光二极管的制备方法。所述墨水包括溶剂和分散在所述溶剂中的量子点和离子化合物；其中，所述离子化合物中的至少部分阴离子和/或至少部分阳离子结合在所述量子点表面；其中，所述至少部分阴离子中的至少部分含有光活性基团，所述至少部分阳离子中的至少部分含有光活性基团。该离子化合物中结合在量子点表面的至少部分阴离子和/或至少部分阳离子含有光活性基团，其在紫外光照射下在量子点表面发生化学反应，使量子点表面配体的化学结构发生变化，从而溶解性降低；这样的墨水可以得到具有更好的均匀性的量子点薄膜。点薄膜。点薄膜。

【技术实现步骤摘要】
墨水和量子点薄膜的制备方法及发光二极管的制备方法


[0001]本申请属于量子点
，尤其涉及一种墨水和量子点薄膜的制备方法及发光二极管的制备方法。

技术介绍

[0002]量子点具有独特的光电性质，如发光波长随尺寸和成分连续可调、发光光谱窄、荧光效率高、稳定性好等，因此基于量子点的量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diode，QLED)在显示领域得到广泛的关注和研究。此外，QLED显示还具有可视角大、对比度高、响应速度快、可柔性等优点，因而有望成为下一代的显示技术。
[0003]QLED器件工作时需要注入电子和空穴，最简单的QLED器件由阴极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层和阳极组成。在QLED器件中，量子点发光层薄膜夹在电荷传输层中间，当正向偏压加到QLED器件两端时，电子和空穴分别通过电子传输层和空穴传输层进入量子点发光层，并在量子点发光层复合发光。
[0004]喷墨打印(inkjet printing)是一种重要的实现RGB三原色像素的溶液加工技术，其材料利用率高，且无需使用掩膜板可实现图案化，同时具有工艺简单、成本低廉的特点，是制作QLED显示屏最具潜力的彩色化成膜技术。溶液在基板上形成固态薄膜的相转变过程十分复杂，所以采用喷墨打印制备有机薄膜的工艺需要不断的研究和探索。针对调控喷墨打印制备的薄膜形貌的研究有很多，但因为墨水干燥过程的复杂性，量子点材料在像素坑(即像素Bank)内的成膜均匀性严重影响着量子点器件的性能。

技术实现思路

>[0005]本申请的目的在于提供一种墨水和量子点薄膜的制备方法及发光二极管的制备方法，旨在解决量子点成膜不均匀的技术问题。
[0006]为实现上述申请目的，本申请采用的技术方案如下：
[0007]第一方面，本申请提供一种墨水，所述墨水包括溶剂和分散在所述溶剂中的量子点和离子化合物；其中，所述离子化合物中的至少部分阴离子和/或至少部分阳离子结合在所述量子点表面；其中，
[0008]所述至少部分阴离子中的至少部分含有光活性基团，所述至少部分阳离子中的至少部分含有光活性基团。
[0009]本申请提供的墨水具有很好的成膜均匀性，具体地，墨水中分散有离子化合物，该离子化合物中结合在量子点表面的至少部分阴离子和/或至少部分阳离子含有光活性基团，其在紫外光照射下光活性基团能够在量子点表面发生化学反应，使量子点表面配体的化学结构发生变化，从而使量子点的溶解性降低或者难以溶解性；因此，基于上述原理，将本申请的墨水沉积在基板上呈液膜时紫外光照，可以使量子点发生沉降，能更好地均匀沉积在基板表面，从而得到具有更好的均匀性的量子点薄膜。
[0010]第二方面，本申请提供一种量子点薄膜的制备方法，包括如下步骤：
[0011]提供基板；
[0012]将本申请的墨水沉积在所述基板上，得到液膜；
[0013]将所述液膜进行紫外光照处理，得到所述量子点薄膜。
[0014]本申请提供的量子点薄膜的制备方法采用本申请特有的墨水制备，具体地，将该墨水沉积在基板上得到液膜后，进行紫外光照，在紫外光照射下液膜中量子点表面的光活性基团能够在量子点表面发生化学反应，使量子点表面配体的化学结构发生变化，从而使量子点的溶解性降低或者难以溶解性，从而发生沉降，能更好地均匀沉积在基板表面，从而得到具有更好均匀性的量子点薄膜。
[0015]第三方面，本申请提供一种发光二极管的制备方法，包括如下步骤：
[0016]提供基板，所述基板表面设置有像素坑；
[0017]采用本申请的制备方法在所述基板上制备量子点薄膜，得到发光层。
[0018]本申请提供的发光二极管的制备方法中，采用本申请特有的制备方法在基板上制备量子点薄膜，得到发光层。因此该发光层具有很好的均匀性，能显著提供器件的发光性能。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0020]图1是本申请实施例提供的量子点薄膜的制备方法流程示意图；
[0021]图2是本申请实施例提供的量子点薄膜的制备过程原理示意图；
[0022]图3是本申请实施例提供的发光二极管的制备方法流程示意图；
[0023]图4是本申请实施例提供的发光二极管器件的结构示意图。
具体实施方式
[0024]为了使本申请要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
[0025]本申请中，术语“和/或”，描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B的情况。其中A，B可以是单数或者复数。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
[0026]本申请中，“至少一个”是指一个或者多个，“多个”是指两个或两个以上。“以下至少一项(个)”或其类似表达，是指的这些项中的任意组合，包括单项(个)或复数项(个)的任意组合。例如，“a,b,或c中的至少一项(个)”，或，“a,b,和c中的至少一项(个)”，均可以表示：a,b,c,a
‑
b(即a和b),a
‑
c,b
‑
c,或a
‑
b
‑
c，其中a,b,c分别可以是单个，也可以是多个。
[0027]应理解，在本申请的各种实施例中，上述各过程的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，部分或全部步骤可以并行执行或先后执行，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本申请实施例的实施过程构成任何限定。
[0028]在本申请实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。在本申请实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。
[0029]本申请实施例第一方面提供一种墨水，所述墨水包括溶剂和分散在所述溶剂中的量子点，所述量子点表面结合有阴阳离子对配体和离子化合物；其中，所述离子化合物中的至少部分阴离子和/或至少部分阳离子结合在所述量子点表面；其中，
[0030]所述至少部分阴离子中的至少部分含有光活性基团，所述至少部分阳离子中的至少部分含有光活性基团。
[0031]本申请提供的墨水具有很好的成膜均匀性，具体地，墨水中分散有离子化合物，该离子化合物中结合在量子点表面的至少部分阴离子和/或至少部分阳离子含有光活性基团，其在紫外光照射下光活性基团能够在量子点表面发生化学反应，使量子点表面配体的化学结构发生变化，从而使量子点的溶解性降低或者难以溶解；本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种墨水，其特征在于，所述墨水包括溶剂和分散在所述溶剂中的量子点和离子化合物；其中，所述离子化合物中的至少部分阴离子和/或至少部分阳离子结合在所述量子点表面；其中，所述至少部分阴离子中的至少部分含有光活性基团，所述至少部分阳离子中的至少部分含有光活性基团。2.如权利要求1所述的墨水，其特征在于，当所述离子化合物中的至少部分阳离子结合在所述量子点表面时，所述至少部分阳离子中含有的光活性基团选自Ph2I
+
和Ph3S
+
中的至少一种。3.如权利要求2所述的墨水，其特征在于，所述离子化合物中的阴离子选自PbBr3‑
、ZnCl
42
‑
和CdCl
42
‑
中的至少一种。4.如权利要求1所述的墨水，其特征在于，当所述离子化合物中的至少部分阴离子结合在所述量子点表面时，所述至少部分阴离子中含有的所述光活性基团选自CS2N3‑
。5.如权利要求4所述的墨水，其特征在于，所述离子化合物中的阳离子选自K
+
和NH
4+
中的至少一种。6.如权利要求1所述的墨水，其特征在于，当所述离子化合物中的至少部分阴离子和至少部分阳离子结合在所述量子点表面时，所述至少部分阴离子中含有的所述光活性基团选自CS2N3‑
，所述至少部分阳离子中含有的光活性基团选自Ph2I
+
和Ph3S
+
中的至少一种。7.如权利要求1
‑
6任一项所述的墨水，其特征在于，所述溶剂的沸点大于150℃；和/或...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯文军，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：