一种真空镀膜用微波离子源系统技术方案

本发明专利技术涉及真空镀膜技术领域，尤其是指一种真空镀膜用微波离子源系统，包括微波发生装置以及离子产生装置，所述微波发生装置用于产生微波并传输至离子产生装置，离子产生装置用于产生离子，所述离子产生装置包括壳体、磁性结构以及冷却结构，磁性结构与冷却结构均设置于壳体，磁性结构用于在接收到微波时产生离子团，冷却结构用于对离子产生装置进行冷却。本发明专利技术通过微博发生装置产生对应的微波信号，由微波信号触发离子产生装置产生离子团，从而可通过离子团引导而是先让材料在室温下进行化学反应，避免高温产生。避免高温产生。避免高温产生。

【技术实现步骤摘要】
一种真空镀膜用微波离子源系统


[0001]本专利技术涉及真空镀膜
，尤其是指一种真空镀膜用微波离子源系统。

技术介绍

[0002]在真空镀膜领域，目前常采用传统的方式实现真空镀膜，这类方式通常需要在较为高的温度下进行，导致了真空镀膜技术还无法应用于不耐高温的材料上。

技术实现思路

[0003]本专利技术针对现有技术的问题提供一种真空镀膜用微波离子源系统，能够通过微波产生离子的方式，引导真空镀膜在室温下进行。
[0004]为了解决上述技术问题，本专利技术采用如下技术方案：
[0005]本专利技术提供的一种真空镀膜用微波离子源系统，包括微波发生装置以及离子产生装置，所述微波发生装置用于产生微波并传输至离子产生装置，离子产生装置用于产生离子，所述离子产生装置包括壳体、磁性结构以及冷却结构，磁性结构与冷却结构均设置于壳体，磁性结构用于在接收到微波时产生离子团，冷却结构用于对离子产生装置进行冷却。
[0006]进一步的，所述磁性结构包括磁铁、导磁件以及屏蔽罩，导磁件设置有冷却孔，冷却结构装设于冷却孔内，磁铁安装于导磁件外侧，屏蔽罩包覆导磁件以及磁铁。
[0007]更进一步的，磁铁的数量为多个，多个磁铁沿着导磁件的高度方向依次设置，多个磁铁的磁极方向相同。
[0008]更进一步的，所述磁铁与壳体之间设置有间隔块，间隔快由铝制成。
[0009]进一步的，所述冷却结构包括外管、内管以及出水头，外管装设于壳体且位于磁性结构内，内管装设于外管内且与外管连通，外管与内管之间具有间隙；内管的顶部具有进水口，出水头与外管连通。
[0010]更进一步的，所述冷却结构还包括密封铜座、连水管以及压紧块，密封铜座安装于壳体，连水管装设于密封铜座，压紧块设置于密封铜座并用于把连水管固定在密封铜座上；连水管内设置有连通管，连通管与内管连通，连水管与外管连通，出水头安装于连水管，连通管用于外接水源。
[0011]更进一步的，所述壳体设置有密封结构，连水管与外管的连接处位于密封结构内。
[0012]更进一步的，所述外管的外侧壁设置有多个加强块。
[0013]进一步的，所述微波发生装置包括微波发生器、隔离器以及销钉调谐器，微波发生器外接高压电源并用于产生微波，隔离器连接于微波发生器并用于防止微波发生器产生的微波逆流，销钉调谐器连接于隔离器并用于产生与微波相适应的阻抗，磁性结构连接于销钉调谐器，冷却结构还用于吸收隔离器/销钉调谐器产生的反射功率。
[0014]更进一步的，所述微波发生器与壳体之间设置有安装件，隔离器与销钉调谐器均安装于安装件，安装件由导热材料制成，冷却结构经安装件吸收微波发生器、隔离器以及销钉调谐器工作时产生的热量。
[0015]本专利技术的有益效果：本专利技术通过微博发生装置产生对应的微波信号，由微波信号触发离子产生装置产生离子团，从而可通过离子团引导而是先让材料在室温下进行化学反应，避免高温产生。
附图说明
[0016]图1为本专利技术的示意图。
[0017]图2为本专利技术的离子产生装置的示意图。
[0018]图3为图2的A处放大图。
[0019]图4为图2的B处放大图。
[0020]附图标记：1—微波发生装置，2—离子产生装置，3—壳体，4—磁性结构，5—冷却结构，11—微波发生器，12—隔离器，13—销钉调谐器，14—安装件，31—密封结构，41—磁铁，42—导磁件，43—屏蔽罩，44—间隔块，51—外管，52—内管，53—出水头，54—密封铜座，55—连水管，56—压紧块，57—加强块，421—冷却孔，551—连通管。
具体实施方式
[0021]为了便于本领域技术人员的理解，下面结合实施例与附图对本专利技术作进一步的说明，实施方式提及的内容并非对本专利技术的限定。以下结合附图对本专利技术进行详细的描述。
[0022]如图1至图4所示，一种真空镀膜用微波离子源系统，包括微波发生装置1以及离子产生装置2，所述微波发生装置1用于产生微波并传输至离子产生装置2，离子产生装置2用于产生离子，所述离子产生装置2包括壳体3、磁性结构4以及冷却结构5，磁性结构4与冷却结构5均设置于壳体3，磁性结构4用于在接收到微波时产生离子团，冷却结构5用于对离子产生装置2进行冷却。
[0023]本专利技术应用于真空镀膜设备中，可通过铰链与真空镀膜设备实现连接，达到了快速拆装的效果。在工作时，微波发生装置1产生微波并传递至离子产生装置2，由于磁性结构4使得离子产生装置2周围具有磁场，因此微波在磁场中会发生聚团而产生离子团，该离子团经真空镀膜设备内的结构引导，即可作用在需要镀膜的材料表面，从而在无需继续化学反应而释放高温的现象下实现真空镀膜的效果。在工作过程中，由于离子的碰撞运动会产生高温，因此本专利技术具有冷却结构5，用于对离子产生装置2进行降温，以保证离子产生装置2的长时间稳定工作。
[0024]在本实施例中，所述磁性结构4包括磁铁41、导磁件42以及屏蔽罩43，导磁件42设置有冷却孔421，冷却结构5装设于冷却孔421内，磁铁41安装于导磁件42外侧，屏蔽罩43包覆导磁件42以及磁铁41。
[0025]本专利技术经由磁铁41产生稳定地磁场，经导磁件42被磁铁41同化的方式使得磁场更强；而屏蔽罩43的设置，则是避免离子团与磁铁41接触而对磁铁41造成冲击，从而保证了磁铁41的安全。
[0026]具体的，磁铁41的数量为多个，多个磁铁41沿着导磁件42的高度方向依次设置，多个磁铁41的磁极方向相同。通过多个磁铁41配合形成稳定磁场，使得磁场更为均匀，且比起一个体积较大的磁铁41，多个磁铁41的成本显然更低。
[0027]具体的，所述磁铁41与壳体3之间设置有间隔块44，间隔快由铝制成，壳体3由铜制
成。该间隔块44起到了隔磁效果，避免壳体3被磁化，从而保证产生的离子团的参数符合要求。
[0028]在本实施例中，所述冷却结构5包括外管51、内管52以及出水头53，外管51装设于壳体3且位于磁性结构4内，内管52装设于外管51内且与外管51连通，外管51与内管52之间具有间隙；内管52的顶部具有进水口，出水头53与外管51连通。即内管52与外管51优选为底部连通，从而让水能够经进水口进入内管52后，沿着内管52的长度方向流动至内管52底部，并在内管52底部进入外管51，然后在后续水的推动下沿着外管51向上流动，最后从出水头53流出，使得冷却更为全面充分。
[0029]具体的，所述冷却结构5还包括密封铜座54、连水管55以及压紧块56，密封铜座54安装于壳体3，连水管55装设于密封铜座54，压紧块56设置于密封铜座54并用于把连水管55固定在密封铜座54上；连水管55内设置有连通管551，连通管551与内管52连通，连水管55与外管51连通，出水头53安装于连水管55，连通管551用于外接水源。
[0030]通过密封铜座54与连水管55的设置，使得本专利技术接水源更为方便，而压紧块56则是保证在水进入连水本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种真空镀膜用微波离子源系统，包括微波发生装置以及离子产生装置，所述微波发生装置用于产生微波并传输至离子产生装置，离子产生装置用于产生离子，其特征在于：所述离子产生装置包括壳体、磁性结构以及冷却结构，磁性结构与冷却结构均设置于壳体，磁性结构用于在接收到微波时产生离子团，冷却结构用于对离子产生装置进行冷却。2.根据权利要求1所述的真空镀膜用微波离子源系统，其特征在于：所述磁性结构包括磁铁、导磁件以及屏蔽罩，导磁件设置有冷却孔，冷却结构装设于冷却孔内，磁铁安装于导磁件外侧，屏蔽罩包覆导磁件以及磁铁。3.根据权利要求2所述的真空镀膜用微波离子源系统，其特征在于：磁铁的数量为多个，多个磁铁沿着导磁件的高度方向依次设置，多个磁铁的磁极方向相同。4.根据权利要求2所述的真空镀膜用微波离子源系统，其特征在于：所述磁铁与壳体之间设置有间隔块，间隔快由铝制成。5.根据权利要求1所述的真空镀膜用微波离子源系统，其特征在于：所述冷却结构包括外管、内管以及出水头，外管装设于壳体且位于磁性结构内，内管装设于外管内且与外管连通，外管与内管之间具有间隙；内管的顶部具有进水口，出水头与外管连通。6.根据权利要求5所述的真空镀膜用微波离子源系统，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨逑，钱锋，
申请(专利权)人：东莞市德派精密机械有限公司，
类型：发明
国别省市：