电润湿显示面板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

技术编号:35291615 阅读:20 留言:0更新日期:2022-10-22 12:37
本公开提供一种电润湿显示面板及其制备方法、显示装置。该电润湿显示面板中,像素墙设置在第一基板朝向第二基板的表面上以限定多个像素空间,像素空间内填充有非极性液体和极性液体;第一基板包括:沿第一基板指向第二基板方向依次层叠设置的第一基底、像素电极层和疏水层,像素电极层包括与多个像素空间一一对应的多个像素电极,疏水层远离第一基底的表面包括与所述多个像素空间一一对应的多个凹槽状区域,所述像素电极与对应的像素空间相对设置,所述凹槽状区域与对应的像素空间相对设置;第二基板包括:公共电极。电润湿显示面板的亮度和对比度增强。亮度和对比度增强。亮度和对比度增强。

【技术实现步骤摘要】
电润湿显示面板及其制备方法、显示装置


[0001]本公开属于显示
,具体涉及一种电润湿显示面板及其制备方法、显示装置。

技术介绍

[0002]本部分旨在为权利要求书中陈述的实施方式提供背景或上下文。此处的描述不因为包括在本部分中就承认是现有技术。
[0003]润湿是固体表面的一种流体被另一种流体所取代的过程。液体在固体表面能铺展,固液接触面有扩大的趋势,即液体对固体表面的附着力大于其内聚力,就是润湿。液体在固体表面不能铺展,接触面有收缩成球形的趋势,就是不润湿,不润湿就是液体对固体表面的附着力小于其内聚力。电润湿(Electrowetting,EW)是指通过改变液滴与绝缘基板之间电压,来改变液滴在基板上的润湿性,即改变接触角,使液滴发生形变、位移的现象。
[0004]在电润湿显示面板的一个像素空间中存在有非极性液体和极性液体,二者不混溶。电压能够改变极性液体与疏水层之间的润湿角,从而驱动非极性液体移动。当非极性液体平铺在疏水层上时,该像素空间呈暗态;当非极性液体收缩在一起时,该像素空间呈亮态。像素空间呈亮态时,由于非极性液体占据一定的显示面积,这使得显示的反射率低、对比度低。

技术实现思路

[0005]本公开提供一种电润湿显示面板及其制备方法、显示装置。
[0006]本公采用如下技术方案:一种电润湿显示面板,包括:像素墙、相对设置的第一基板和第二基板;
[0007]所述像素墙设置在所述第一基板朝向所述第二基板的表面上以限定多个像素空间,所述像素空间内填充有非极性液体和极性液体;
[0008]所述第一基板包括:沿所述第一基板指向所述第二基板方向依次层叠设置的第一基底、像素电极层和疏水层,所述像素电极层包括与所述多个像素空间一一对应的多个像素电极,所述疏水层远离所述第一基底的表面包括与所述多个像素空间一一对应的多个凹槽状区域,所述像素电极与对应的像素空间相对设置,所述凹槽状区域与对应的像素空间相对设置;
[0009]所述第二基板包括:公共电极。
[0010]在一些实施例中,在所述第一基底的靠近所述第二基底一侧表面上设置有与所述多个像素空间一一对应的多个盲孔,所述盲孔与对应的像素空间相对设置,所述凹槽状区域位于所述盲孔位置处。
[0011]在一些实施例中,所述盲孔的深度与所述第一基底厚度的比在19%至43%的范围内。
[0012]在一些实施例中,所述像素电极在所述第一基底的正投影覆盖并超出对应的所述
盲孔。
[0013]在一些实施例中,所述疏水层中与所述像素空间相对的区域内疏水性非均匀分布,以引导所述非极性液体朝向所述凹槽状区域移动。
[0014]在一些实施例中,所述疏水层与所述像素空间相对的区域包括多个子区域,同一子区域内疏水层的疏水性相同,任意两个所述子区域中,与所述凹槽状区域距离更近的子区域内疏水层的疏水性更强。
[0015]在一些实施例中,从所述盲孔的底部到所述盲孔的顶部,所述盲孔的开口面积逐渐增大。
[0016]在一些实施例中,所述盲孔位于对应像素空间的角部。
[0017]在一些实施例中,所述第一基板还包括与所述像素电极一一对应连接的像素电路。
[0018]在一些实施例中,所述第一基板还包括覆盖所述像素电极层的钝化层,所述钝化层位于所述疏水层靠近所述第一基底一侧。
[0019]本公采用如下技术方案:一种电润湿显示面板的制备方法,包括:
[0020]形成第一基板,所述第一基板包括:依次层叠设置的第一基底、像素电极层和疏水层,所述像素电极层包括多个像素电极,所述疏水层远离所述第一基底的表面包括与所述多个像素电极一一对应的多个凹槽状区域,所述凹槽状区域与对应的像素电极相对设置;
[0021]在所述疏水层上形成像素墙,所述像素墙限定与所述多个像素电极一一对应的多个像素空间,所述凹槽状区域与对应的像素空间相对设置,所述像素电极与对应的像素空间相对设置;
[0022]在所述像素空间内填充非极性液体和极性液体,并在所述像素空间的开口上方设置第二基板,所述第二基板包括公共电极。
[0023]在一些实施例中,在所述形成第一基板的步骤中,在所述第一基底的靠近所述第二基底一侧表面上形成与所述多个像素空间一一对应的多个盲孔,所述盲孔与对应的像素空间相对设置,所述凹槽状区域位于所述盲孔位置处。
[0024]在一些实施例中,在所述形成第一基板的步骤中,采用干法刻蚀工艺形成所述盲孔,随后采用湿法刻蚀工艺平滑所述盲孔的内壁。
[0025]在一些实施例中,在所述疏水层上形成像素墙之后,以及在所述像素空间内填充非极性液体和极性液体之前,所述制备方法还包括:
[0026]对所述疏水层进行加热回流处理;
[0027]对正对所述像素空间的至少部分疏水层划分子区域以进行不等时长的等离子体改性处理,其中,对于正对所述像素空间的疏水层的任意两个子区域,与对应的盲孔距离更远的子区域的等离子体改性时间更长。
[0028]本公采用如下技术方案:一种显示装置,包括前述的电润湿显示面板,或者包括前述制备方法所得的电润湿显示面板。
附图说明
[0029]图1是本公开实施例提供的电润湿显示面板的一个像素空间在关态的状态示意图。
[0030]图2是本公开实施例提供的电润湿显示面板的一个像素空间在开态的状态示意图。
[0031]图3是本公开实施例提供的电润湿显示面板的制备方法的流程示意图。
[0032]图4是本公开实施例提供的电润湿显示面板中的第一基板的俯视透视图,其中示出的像素空间处于完全打开的状态。
[0033]图5是本公开实施例提供的电润湿显示面板中的第一基板的俯视透视图,其中示出的像素空间处于部分打开的状态。
[0034]图6是本公开实施例提供的电润湿显示面板中的第一基板的俯视透视图,其中示出的像素空间处于完全关闭的状态。
[0035]其中附图标记为:1、第一基底;11、栅极;12、栅绝缘层;13、有源层;14、第一源漏极;15、第二源漏极;16、像素电极;17、钝化层;18、疏水层;18a

18e、疏水层划分出的子区域;2、像素墙;3、非极性液体;4、极性液体;5、第二基底;51、公共电极;GL、栅线;DL、数据线;T、晶体管。
具体实施方式
[0036]下面结合附图所示的实施例对本公开作进一步说明。
[0037]图1是本公开实施例提供的电润湿显示面板的一个像素空间在关态的状态示意图。图2是本公开实施例提供的电润湿显示面板的一个像素空间在开态的状态示意图。
[0038]结合图1和图2,本公开的实施例提供一种电润湿显示面板,包括:像素墙2、相对设置的第一基板和第二基板。
[0039]像素墙2设置在第一基板朝向第二基板的表面上以限定多个像素空间,像素空间内填充有非极性液体3和极性液体4。
[0040]在一些实施例中,极性液体4包括水溶液,非极性液体本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电润湿显示面板,其特征在于,包括:像素墙(2)、相对设置的第一基板和第二基板;所述像素墙(2)设置在所述第一基板朝向所述第二基板的表面上以限定多个像素空间,所述像素空间内填充有非极性液体(3)和极性液体(4);所述第一基板包括:沿所述第一基板指向所述第二基板方向依次层叠设置的第一基底(1)、像素电极层和疏水层(18),所述像素电极层包括与所述多个像素空间一一对应的多个像素电极(16),所述疏水层(18)远离所述第一基底(1)的表面包括与所述多个像素空间一一对应的多个凹槽状区域,所述像素电极(16)与对应的像素空间相对设置,所述凹槽状区域与对应的像素空间相对设置;所述第二基板包括:公共电极(51)。2.根据权利要求1所述的电润湿显示面板,其特征在于,在所述第一基底(1)的靠近所述第二基底(5)一侧表面上设置有与所述多个像素空间一一对应的多个盲孔,所述盲孔与对应的像素空间相对设置,所述凹槽状区域位于所述盲孔位置处。3.根据权利要求2所述的电润湿显示面板,其特征在于,所述盲孔的深度与所述第一基底(1)厚度的比在19%至43%的范围内。4.根据权利要求2所述的电润湿显示面板,其特征在于,所述像素电极(16)在所述第一基底(1)的正投影覆盖并超出对应的所述盲孔。5.根据权利要求1所述的电润湿显示面板,其特征在于,所述疏水层(18)中与所述像素空间相对的区域内疏水性非均匀分布,以引导所述非极性液体(3)朝向所述凹槽状区域移动。6.根据权利要求5所述的电润湿显示面板,其特征在于,所述疏水层(18)与所述像素空间相对的区域包括多个子区域,同一子区域内疏水层(18)的疏水性相同,任意两个所述子区域中,与所述凹槽状区域距离更近的子区域内疏水层(18)的疏水性更强。7.根据权利要求2所述的电润湿显示面板,其特征在于,从所述盲孔的底部到所述盲孔的顶部,所述盲孔的开口面积逐渐增大。8.根据权利要求2所述的电润湿显示面板,其特征在于,所述盲孔位于对应像素空间的角部。9.根据权利要求1所述的电润湿显示面板,其特征在于,所述第一基板还包括与所述像素电极(16)一一对...

【专利技术属性】
技术研发人员:于志强王建武晓娟段智龙王家星段金帅毕谣赵宇冯大伟
申请(专利权)人:北京京东方光电科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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