晶圆清洗方法及装置制造方法及图纸

本说明书实施例公开了一种晶圆清洗方法，在将晶圆进行化学工艺处理之后进行清洗时，将所述晶圆固定在旋转台上；在所述晶圆旋转过程中，将设置在高压喷嘴装置中的清洗剂通过高压喷洒向所述晶圆，其中，所述高压喷嘴装置设置在所述晶圆上方，所述高压喷嘴装置包括管道，所述管道中可设置有所述清洗剂。本说明书实施例公开的晶圆清洗方法及装置，能够有效缩短清洗晶圆上的化学成分的清洗时间，提高清洗效率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
晶圆清洗方法及装置


[0001]本说明书实施例涉及晶圆处理
，尤其涉及一种晶圆清洗方法及装置。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的飞速发展，在半导体制造技术中，在晶圆通过化学工艺处理之后，例如光刻和刻蚀工艺之后，需要使用晶圆清洗设备对晶圆进行清洗，以去除晶圆表面上的化学成分，通常是在晶圆高速旋转的情况下，使清洗剂流向晶圆的中心位置，由于清洗剂流向晶圆的中心位置以去除化学成分时，由于需要将晶圆的表面都清洗一遍，使得清洗时间较长，导致出现清洗效率低的问题。

技术实现思路

[0003]本说明书实施例提供了一种晶圆清洗方法及装置，能够有效缩短清洗晶圆上的化学成分的清洗时间，提高清洗效率。
[0004]本说明书实施例第一方面提供了一种晶圆清洗方法，包括：
[0005]在将晶圆进行化学工艺处理之后进行清洗时，将所述晶圆固定在旋转台上；
[0006]在所述晶圆旋转过程中，将设置在高压喷嘴装置中的清洗剂通过高压喷洒向所述晶圆，其中，所述高压喷嘴装置设置在所述晶圆上方，所述高压喷嘴装置包括管道，所述管道中可设置有所述清洗剂。
[0007]可选的，在将设置在高压喷嘴装置中的清洗剂通过高压喷洒向所述晶圆过程中，所述方法还包括：
[0008]控制所述高压喷嘴装置的喷嘴进行摆动。
[0009]可选的，在所述晶圆旋转过程中，将设置在高压喷嘴装置中的清洗剂通过高压喷洒向所述晶圆过程中，所述方法还包括：
[0010]通过喷洒口调整器调整所述高压喷嘴装置的喷洒孔径，其中，所述高压喷嘴装置包括所述喷洒口调整器。
[0011]可选的，在调整所述高压喷嘴装置的喷洒孔径之后，所述方法还包括：
[0012]根据调整后的所述喷洒孔径，确定所述清洗剂的喷洒流速；
[0013]控制所述高压喷嘴装置喷洒所述清洗剂的当前流速为所述喷洒流速。
[0014]可选的，所述高压喷嘴装置的喷洒孔径的调整范围为1.5毫米至3.96毫米。
[0015]可选的，在所述晶圆旋转过程中，所述方法还包括：
[0016]通过普通喷嘴装置向所述晶圆喷洒所述清洗剂。
[0017]本专利技术实施例提供了一种晶圆清洗设备，包括旋转台和高压喷嘴装置，所述高压喷嘴装置设置在所述旋转台的上方，晶圆可固定在所述旋转台的旋转件上，所述高压喷嘴装置包括管道，所述管道中可设置清洗剂；其中，在所述晶圆旋转过程中，将所述管道中的清洗剂通过高压喷洒向所述晶圆。
[0018]可选的，所述高压喷嘴装置包括喷嘴，所述喷嘴设置在所述高压喷嘴装置靠近所
述旋转台的一端上。
[0019]可选的，所述高压喷嘴装置还包括喷洒口调整器，所述喷洒口调整器与所述喷嘴连接。
[0020]可选的，还包括：
[0021]普通喷嘴装置，设置在所述晶圆的上方，用于向所述晶圆喷洒所述清洗剂。
[0022]本说明书实施例的有益效果如下：
[0023]基于上述技术方案，在将晶圆进行化学工艺处理之后进行清洗时，将所述晶圆固定在旋转台上；在所述晶圆旋转过程中，将设置在高压喷嘴装置中的清洗剂通过高压喷洒向所述晶圆，如此，在所述晶圆旋转过程中，通过将清洗剂高压喷洒向所述晶圆，使得清洗剂能够更快地与晶圆的表面接触，从而能够有效缩短清洗晶圆表面上的化学成分的清洗时间，提高清洗效率。
附图说明
[0024]图1为本说明书实施例中晶圆清洗装置的结构示意图；
[0025]图2为图1中的高压喷嘴装置的结构示意图；
[0026]图3为本说明书实施例中晶圆清洗方法的方法流程图。
具体实施方式
[0027]为了更好的理解上述技术方案，下面通过附图以及具体实施例对本说明书实施例的技术方案做详细的说明，应当理解本说明书实施例以及实施例中的具体特征是对本说明书实施例技术方案的详细的说明，而不是对本说明书技术方案的限定，在不冲突的情况下，本说明书实施例以及实施例中的技术特征可以相互组合。
[0028]参见图1和图2，本专利技术实施例提供了一种晶圆清洗设备，包括旋转台10和高压喷嘴装置20，高压喷嘴装置20设置在旋转台10的上方，晶圆30可固定在旋转台10的旋转件上，高压喷嘴装置20包括管道202，管道202中可设置清洗剂；其中，在晶圆30旋转过程中，将管道202中的清洗剂通过高压喷洒向晶圆30。
[0029]具体来讲，旋转台10包括旋转柱101和设置在旋转柱101上端的旋转夹102，晶圆30放置在旋转柱101的上端，并通过旋转夹102夹紧，如此，通过快速旋转旋转柱101使得晶圆30也快速旋转，而晶圆30在旋转过程中被旋转夹102所夹紧，从而能够有效降低晶圆30在旋转过程中脱落的概率。
[0030]本说明书实施例中，参见图1，高压喷嘴装置20包括喷嘴203，其中，喷嘴203设置在高压喷嘴装置20靠近旋转台10的一端上，且喷嘴203在喷洒清洗剂时，喷嘴203可以移动到晶圆30的中心位置的正上方，以使得喷嘴203喷洒的清洗剂流向晶圆30的中心位置。
[0031]如图2所示，管道202设置在高压喷嘴装置20内部，以使得清洗剂通过管道202输送到喷嘴203处高压喷洒向晶圆30。
[0032]如图2所示，高压喷嘴装置20还包括喷洒口调整器204，喷洒口调整器204与喷嘴203连接，喷洒口调整器204可以调节喷嘴203的喷洒孔径。
[0033]具体来讲，如图2所示，喷洒口调整器204通过电线205与处理器连接，用于接收处理器发送的电信号，根据接收的电信号，调节喷嘴203的喷洒孔径，喷洒孔径的调节范围为
不小于1.5毫米(mm)且不大于3.96mm，例如可以是1.6mm、1.8mm和2mm等。当然，喷洒孔径的调节范围还可以是不小于1mm且不大于5mm，或者不小于0.8mm且不大于4mm等调节范围，可以根据实际需求进行设定，本说明书不作具体限制。
[0034]具体地，在通过喷洒口调整器204调节喷嘴203的喷洒孔径之后，还可以调节清洗剂的喷洒流速，以降低出现喷洒孔径较小且喷洒流速过高导致清洁剂的冲击力损害晶圆30出现的概率。
[0035]本说明书实施例中，晶圆清洗一次的喷洒流量可以根据实际需求设定，例如可以根据晶圆的表面面积和喷洒孔径进行确定，喷洒流量通常可以设定为1000ml到1500ml之间。当然，喷洒流量也可以小于1000ml，或者大于1500ml，本说明书不作具体限制。
[0036]本说明书实施例中，图1所示，晶圆清洗设备还包括普通喷嘴装置201，如此，在晶圆30旋转过程中，还可以通过普通喷嘴装置201向晶圆30喷洒清洗剂，通常来讲，普通喷嘴装置201向晶圆30的中心位置喷洒清洗剂，而且普通喷嘴装置201可以是低压喷嘴装置或者中压喷嘴装置，其中，低压喷嘴装置是指压力小于200kPa的喷嘴，中压喷嘴装置是指压力在200KPa至500KPa范围内的喷嘴。
[0037]在实际应用过程中，在使用晶圆清洗设备对晶圆30进行清洗本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆清洗方法，其特征在于，包括：在将晶圆进行化学工艺处理之后进行清洗时，将所述晶圆固定在旋转台上；在所述晶圆旋转过程中，将设置在高压喷嘴装置中的清洗剂通过高压喷洒向所述晶圆，其中，所述高压喷嘴装置设置在所述晶圆上方，所述高压喷嘴装置包括管道，所述管道中可设置有所述清洗剂。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在将设置在高压喷嘴装置中的清洗剂通过高压喷洒向所述晶圆过程中，所述方法还包括：控制所述高压喷嘴装置的喷嘴进行摆动。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述晶圆旋转过程中，将设置在高压喷嘴装置中的清洗剂通过高压喷洒向所述晶圆过程中，所述方法还包括：通过喷洒口调整器调整所述高压喷嘴装置的喷洒孔径，其中，所述高压喷嘴装置包括所述喷洒口调整器。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，在调整所述高压喷嘴装置的喷洒孔径之后，所述方法还包括：根据调整后的所述喷洒孔径，确定所述清洗剂的喷洒流速；控制所述高压喷嘴装置喷洒所述清洗剂的当前流速为所述喷洒流速。5...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴英植，胡艳鹏，李琳，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：