镁复合材料、电子设备及其制备方法技术

镁复合材料、电子设备及其制备方法。镁复合材料包括：模量增强体和合金基体；合金基体包括金属镁和与可以与金属镁形成强化相的强化金属。合金基体包括金属镁和强化金属，强化金属可以与金属镁形成强化相，强化相依附于模量增强体析出，并位于模量增强体与金属镁之间可以起到协调模量增强体与金属镁的界面结合性的作用，抑制在模量增强体与金属镁界面处裂纹的产生，提升镁复合材料的强度和塑性。位于模量增强体与金属镁之间的强化相可以为热能和载荷在模量增强体与金属镁之间的传递提供传递媒介作用，进而保证热能和载荷可以顺利在模量增强体与金属镁之间传递，进而提升镁复合材料的导热性及导电性能。材料的导热性及导电性能。材料的导热性及导电性能。

【技术实现步骤摘要】
镁复合材料、电子设备及其制备方法


[0001]本申请实施例涉及材料
，尤其涉及一种镁复合材料、电子设备及其制备方法。

技术介绍

[0002]电子设备包括壳体和设置在壳体内部的电子元件。电子元件包括但限于印刷电路板(printed circuit board，PCB)，电池以及其他功能芯片和传感器等，壳体包括但不限于边框和中框结构。
[0003]中框是电子设备的框架，起到支撑整部电子设备的作用，通常需要电子设备的中框具有一定的力学特性以使得中能够支撑整个电子设备。通常，电子设备的中框可以经过多次开缝处理，例如打磨处理或者电脑数值控制(computer numerical control，CNC)处理以及钻孔处理等，以使得中框可以用来装配中央处理器(central processing unit，CPU)和卡槽等一些硬件。
[0004]中框的开缝数的增加，为了保证中框可以支撑整个电子设备，因此对中框材料的力学特性的指标要求在不断提升，其中，力学特性主要包括强度。需要中框具有较高的刚度和强度，以保证即使在开缝数量大量增加的情况下中框也可以起到支撑整个电子设备的作用。进一步的，由于电子元件设置在中框内部，通常需要中框具有较高的导热性能才能使得中框内部的电子元件的运行的过程中产生的热量通过中框散出。因此，需要中框兼具高导热性、高刚度及高强度等性能。这就要求采用兼具高导热性能、高模量及高强度的材料制备中框。

技术实现思路

[0005]本申请实施例提供一种镁复合材料、电子设备及其制备方法。镁复合材料包括模量增强体、金属镁和强化金属，强化金属可以与金属镁形成强化相，强化相位于模量增强体与金属镁之间可以起到协调模量增强体与金属镁的界面结合性的作用，抑制在模量增强体与金属镁界面处裂纹的产生，提升镁复合材料的强度和塑性。
[0006]本申请实施例第一方面提供一种镁复合材料，包括：模量增强体和合金基体；其中，合金基体包括金属镁和与金属镁形成强化相的强化金属；强化相位于模量增强体与金属镁之间。
[0007]本实现方式中，镁复合材料包括：模量增强体和合金基体；合金基体包括金属镁和与可以与金属镁形成强化相的强化金属。合金基体包括金属镁和强化金属，强化金属可以与金属镁形成强化相，强化相依附于模量增强体析出，并位于模量增强体与金属镁之间可以起到协调模量增强体与金属镁的界面结合性的作用，抑制在模量增强体与金属镁界面处裂纹的产生，提升镁复合材料的强度和塑性。位于模量增强体与金属镁之间的强化相可以为热能和载荷在模量增强体与金属镁之间的传递提供传递媒介作用，进而保证热能和载荷可以顺利在模量增强体与金属镁之间传递，进而提升镁复合材料的导热性及导电性能。
[0008]结合第一方面的第一种实现方式，模量增强体包括碳化硅。
[0009]本实现方式中，碳化硅具有耐化学腐蚀性好、强度高、模量高、耐磨性能好、摩擦系数小，且耐高温等特点。采用碳化硅作为模量增强体，可以保证得到的镁复合材料具有强度高、模量高、耐磨性能好、导热性能好，且耐高温等特点。
[0010]结合第一方面的第二种实现方式，碳化硅的粒径在5μm～15μm。
[0011]本实现方式中，碳化硅的粒径在5μm～15μm，可以保证得到的镁复合材料兼具性质均一及高强度性能。
[0012]结合第一方面的第三种实现方式，碳化硅的体积/镁复合材料的体积在15％～25％。
[0013]本实现方式中，碳化硅的体积/镁复合材料的体积在15％～25％，可以保证得到的镁复合材料兼具高导电性能、高导热性能、高硬度、高模量及强塑性。
[0014]结合第一方面的第四种实现方式，强化金属与金属镁的原子半径差值的绝对值小于或等于预定半径阈值。
[0015]本实现方式中，强化金属与金属镁的粒子半径差值的绝对值小于或等于预定半径阈值，可以保证得到镁复合材料的导热性和导电性能。
[0016]结合第一方面的第五种实现方式，强化金属包括金属锌和/或稀土金属。
[0017]结合第一方面的第六种实现方式，金属锌的质量/合金基体的质量在3％～6％。
[0018]本实现方式中，金属锌的质量/合金基体的质量在3％～6％，可以保证得到的镁复合材料兼顾导电性能、导热性能、强度及塑性。
[0019]结合第一方面的第七种实现方式，稀土金属包括轻稀土金属中的一种或几种混合。
[0020]本实现方式中，采用轻稀土金属可以保证的制备成本较低。
[0021]结合第一方面的第八种实现方式，稀土金属包括金属铈。
[0022]本实现方式中，金属铈可以均匀分散在金属镁中，进而保证得到的镁复合材料各部分性质均一。
[0023]结合第一方面的第九种实现方式，金属铈的质量/合金基体的质量在0.85％～1.5％。
[0024]本实现方式中，金属铈的质量/合金基体的质量在0.85％～1.5％，可以保证镁复合材料兼顾高导电性能、高导热性能、高强度及强塑性。
[0025]结合第一方面的第十种实现方式，稀土金属还包括金属镧。
[0026]本实现方式中，金属镧可以均匀分散在金属镁中，进而保证得到的镁复合材料各部分性质均一。
[0027]结合第一方面的第十一种实现方式，金属镧的质量/合金基体的质量小于或等于1.5％。
[0028]本实现方式中，金属镧的质量/合金基体的质量小于或等于1.5％，可以保证得到的镁复合材料兼具较高的导电性能和导热性能。
[0029]结合第一方面的第十二种实现方式，合金基体还包括强度增强金属；强度增强金属的强度大于金属镁的强度。
[0030]本实现方式，引入强度增强金属。强度增强金属的强度大于金属镁的强度，因此强
度增强体的加入可以提升镁复合材料的强度。
[0031]结合第一方面的第十三种实现方式，强度增强金属包括金属铝、金属锰中的一种或两种混合。
[0032]本实现方式，金属铝的加入可以在一定程度上提升镁复合材料的强度，金属锰的加入可以在一定程度上提升镁复合材料的强度。
[0033]结合第一方面的第十四种实现方式，金属铝的质量/合金基体的质量小于或等于1％；金属猛的质量/合金基体的质量小于或等于0.5％。
[0034]本实现方式中，金属铝的质量/合金基体的质量小于或等于1％，可以保证镁复合材料的导电性能和导热性能。
[0035]金属锰的质量/合金基体的质量小于或等于0.5％，可以保证镁复合材料的导电性能和导热性能。
[0036]结合第一方面的第十五种实现方式，合金基体的固液相温度宽度大于或等于预定固液相温度宽度。
[0037]本实现方式中，合金基体的固液相温度宽度大于或等于预定固液相温度宽度。合金基体的固液相温度宽度越大，合金基体越容易稳定在半固态，与液态的合金基体相比较，这种半固态的合金基体的团聚概率较低，因此，可以一定程度上避免由于合金基体团聚导致合金基体的性质不均一问题的出现。
[0038]结合第一方面本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种镁复合材料，其特征在于，包括：模量增强体和合金基体；其中，所述合金基体包括金属镁和与所述金属镁形成强化相的强化金属；所述强化相位于模量增强体与金属镁之间。2.根据权利要求1所述的镁复合材料，其特征在于，所述模量增强体包括碳化硅。3.根据权利要求2所述的镁复合材料，其特征在于，所述碳化硅的粒径在5μm～15μm。4.根据权利要求2或3所述的镁复合材料，其特征在于，所述碳化硅的体积/所述镁复合材料的体积在15％～25％。5.根据权利要求1～4任一项所述的镁复合材料，其特征在于，所述强化金属与所述金属镁的原子半径差值的绝对值小于或等于预定半径阈值。6.根据权利要求1～5任一项所述的镁复合材料，其特征在于，所述强化金属包括金属锌和/或稀土金属。7.根据权利要求6所述的镁复合材料，其特征在于，所述金属锌的质量/所述合金基体的质量在3％～6％。8.根据权利要求6或7所述的镁复合材料，其特征在于，所述稀土金属包括轻稀土金属中的一种或几种混合。9.根据权利要求6～8任一项所述的镁复合材料，其特征在于，所述稀土金属包括金属铈。10.根据权利要求9所述的镁复合材料，其特征在于，所述金属铈的质量/所述合金基体的质量在0.85％～1.5％。11.根据权利要求9或10所述的镁复合材料，其特征在于，所述稀土金属还包括金属镧。12.根据权利要求11所述的镁复合材料，其特征在于，所述金属镧的质量/所述合金基体的质量小于或等于1.5％。13.根据权利要求1～12任一项所述的镁复合材料，其特征在于，所述合金基体还包括强度增强金属；所述强度增强金属的强度大于所述金属镁的强度。14.根据权利要求13所述的镁复合材料，其特征在于，所述强度增强金属包括金属铝、金属锰中的一种或两种混合。15.根据权利要求14所述的镁复合材料，其特征在于，所述金属铝的质量/所述合金基体的质量小于或等于1％；所述金属猛的质量/所述合金基体的质量小于或等于0.5％。16.根据权利要求1～15任一项所述的镁复合材料，其特征在于，所述合金基体...

【专利技术属性】
技术研发人员：王榕，曾小勤，黄礼忠，应韬，谷立东，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：