树脂片及使用其的电路基板材料制造技术

课题在于，提供具有低介电特性的树脂片及使用其的电路基板材料。本发明专利技术的一方式的树脂片至少具有树脂层(A)，且12GHz下的介电损耗角正切不足0.005，所述树脂层(A)含有晶体熔融峰温度低于100℃的环状聚烯烃树脂共聚物。温度低于100℃的环状聚烯烃树脂共聚物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】树脂片及使用其的电路基板材料


[0001]本专利技术涉及低介电特性优异的树脂片及使用其的电路基板材料。

技术介绍

[0002]通常，作为电气
·
电子设备中使用的电路基板材料，主要使用被称为覆铜层叠板(CCL)的、对将在纸、玻璃等基材中浸渗有树脂的片(预浸料)重叠并进行加压加热处理而得的绝缘板的表面上赋予铜箔而成者；被称为柔性印刷基板(FPC)的、在基膜上形成绝缘粘接层并在其上粘贴铜等导体箔而成者。
[0003]近年，由于电气/电子设备中信息传递量、速度的提高，通信频率的高频化正在进展，其中，传输损耗(α)的增大成为大的课题。该传输损耗(α)的值越低，信息信号的衰减越少，意味着能够确保通信的高可靠性。
[0004]传输损耗(α)与频率(f)成正比，因此高频率区域下的通信中α变大，导致可靠性的降低。作为抑制传输损耗(α)的方法，可举出与频率(f)同样地降低与α成正比的介电损耗角正切(tanδ)的方法。为了通信信号的高速传输，要求介电损耗角正切(tanδ)低的材料、即具有低介电特性的材料。
[0005]作为具有低介电特性的材料，例如，专利文献1中记载了包含具有特定结构的聚酰亚胺和具有特定结构的双酰亚胺系化合物的低介电树脂组合物及层叠板、覆金属层叠板。
[0006]现有技术文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献1：日本特开2001
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006437号公报

技术实现思路

[0009]专利技术要解决的问题
[0010]本专利技术的目的在于，提供具有低介电特性的树脂片及使用其的电路基板材料。
[0011]用于解决问题的方案
[0012]本专利技术人为了解决上述课题进行了深入研究，结果发现，包含特定的环状聚烯烃树脂共聚物的树脂片可解决上述课题。
[0013]即，本专利技术具有以下的特征。
[0014][1]一种树脂片，其至少具有树脂层(A)，且12GHz下的介电损耗角正切不足0.005，所述树脂层(A)含有晶体熔融峰温度低于100℃的环状聚烯烃树脂共聚物。
[0015][2]根据[1]所述的树脂片，其中，前述环状聚烯烃树脂共聚物在聚烯烃的侧链具有环己烷。
[0016][3]根据[1]或[2]所述的树脂片，其中，前述环状聚烯烃树脂共聚物为：包含至少1种氢化芳香族乙烯基聚合物嵌段单元及至少1种氢化共轭二烯聚合物嵌段单元的树脂共聚物；或该树脂共聚物的利用不饱和羧酸和/或其酐得到的改性体。
[0017][4]根据[3]所述的树脂片，其中，前述氢化芳香族乙烯基聚合物嵌段单元的氢化
水平为90％以上。
[0018][5]根据[3]或[4]所述的树脂片，其中，前述氢化共轭二烯聚合物嵌段单元的氢化水平为95％以上。
[0019][6]根据[1]～[5]中任一项所述的树脂片，其中，前述树脂层(A)含有热塑性树脂(b)，所述热塑性树脂(b)为选自由乙烯系聚合物、烯烃系热塑性弹性体及苯乙烯系热塑性弹性体组成的组中的至少1种。
[0020][7]根据[6]所述的树脂片，其24℃下的储能模量不足2000MPa。
[0021][8]根据[1]～[5]中任一项所述的树脂片，其中，前述树脂层(A)为含有玻璃布(C)的复合体。
[0022][9]根据[1]～[5]中任一项所述的树脂片，其中，前述树脂片为包含前述树脂层(A)和玻璃布(C)的层叠体。
[0023][10]根据[8]或[9]所述的树脂片，其中，前述玻璃布(C)的介电损耗角正切在10GHz下不足0.005。
[0024][11]根据[1]～[5]中任一项所述的树脂片，其中，前述树脂片为包含前述树脂层(A)和树脂层(D)的层叠体，所述树脂层(D)含有玻璃化转变点为100℃以上、且12GHz下的介电损耗角正切不足0.02的非晶性树脂(d)。
[0025][12]根据[11]所述的树脂片，其中，前述非晶性树脂(d)为选自由脂环式烯烃聚合物、聚碳酸酯、聚芳酯及聚砜以及它们的共聚物组成的组中的至少1种树脂。
[0026][13]根据[11]或[12]所述的树脂片，其中，至少一个最外层为树脂层(A)。
[0027][14]根据[1]～[13]中任一项所述的树脂片，其用于电路基板。
[0028][15]一种电路基板材料，其是将[1]～[13]中任一项所述的树脂片和导体层叠而成的。
[0029]专利技术的效果
[0030]根据本专利技术，能够得到具有低介电特性的树脂片及使用其的电路基板材料。
具体实施方式
[0031]以下对本专利技术详细地进行说明，但以下的说明为本专利技术的实施方式的一例，本专利技术只要不超过其主旨，则不限定于以下的记载内容。
[0032]以下使用“～”的表述的情况下，作为包含其前后的数值或物性值的表述来使用。
[0033]本专利技术的树脂片至少具有树脂层(A)，所述树脂层(A)含有晶体熔融峰温度低于100℃的环状聚烯烃树脂共聚物。
[0034]<<树脂层(A)>>
[0035]本专利技术的树脂层(A)含有晶体熔融峰温度低于100℃的环状聚烯烃树脂共聚物。该环状聚烯烃树脂共聚物从低介电特性的观点出发优选为树脂层(A)的主成分树脂，其含量在构成树脂层(A)的树脂成分中优选50质量％以上、更优选60质量％以上、进一步优选70质量％以上、更进一步优选80质量％以上。含量的上限没有特别限制，树脂层(A)的树脂成分可以仅为该环状聚烯烃树脂共聚物(100质量％)。
[0036]<环状聚烯烃树脂共聚物>
[0037]本专利技术的环状聚烯烃树脂共聚物中的“环状”是指环状聚烯烃树脂共聚物所具有
的脂环式结构、具体而言是指在聚烯烃的侧链具有的脂环式结构。作为该脂环式结构的适当的例子，可举出环烷烃、双环烷烃、多环式化合物等，其中优选环烷烃、更优选环己烷。
[0038]另外，该脂环式结构更优选为后述的氢化芳香族乙烯基聚合物嵌段单元所具有的通过芳香族环的氢化产生的脂环式结构。
[0039](环状聚烯烃树脂共聚物的物性)
[0040]本专利技术的环状聚烯烃树脂共聚物的晶体熔融峰温度低于100℃。
[0041]环状聚烯烃树脂共聚物的晶体熔融峰温度优选50℃以上、更优选60℃以上、进一步优选65℃以上。另外，晶体熔融峰温度优选90℃以下、更优选85℃以下。
[0042]本专利技术中的晶体熔解峰温度为，以加热速度10℃/分钟测定的差示扫描量热测定(DSC)中检测到晶体熔融峰时的温度。本专利技术的环状聚烯烃树脂共聚物只要在低于100℃下存下晶体熔融峰即可，例如，也包含在低于100℃和在100℃以上这2点存在晶体熔融峰的情况。
[0043]需要说明的是，作为公知的环状聚烯烃，可举出具有与源自单环或多环式降冰片烯系单体的重复单元的开环聚合物的氢化物(例如，国际本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种树脂片，其至少具有树脂层(A)，且12GHz下的介电损耗角正切不足0.005，所述树脂层(A)含有晶体熔融峰温度低于100℃的环状聚烯烃树脂共聚物。2.根据权利要求1所述的树脂片，其中，所述环状聚烯烃树脂共聚物在聚烯烃的侧链具有环己烷。3.根据权利要求1或2所述的树脂片，其中，所述环状聚烯烃树脂共聚物为：包含至少1种氢化芳香族乙烯基聚合物嵌段单元及至少1种氢化共轭二烯聚合物嵌段单元的树脂共聚物；或该树脂共聚物的利用不饱和羧酸和/或其酐得到的改性体。4.根据权利要求3所述的树脂片，其中，所述氢化芳香族乙烯基聚合物嵌段单元的氢化水平为90％以上。5.根据权利要求3或4所述的树脂片，其中，所述氢化共轭二烯聚合物嵌段单元的氢化水平为95％以上。6.根据权利要求1～5中任一项所述的树脂片，其中，所述树脂层(A)含有热塑性树脂(b)，所述热塑性树脂(b)为选自由乙烯系聚合物、烯烃系热塑性弹性体及苯乙烯系热塑性弹性体组成的组中的至少1种。7.根据权利要求6所述的树脂片，其24℃下的储能模量不足2000MPa。...

【专利技术属性】
技术研发人员：早川裕子，石原稔久，佐野二朗，
申请(专利权)人：MCPP创新有限公司，
类型：发明
国别省市：