一种射频前端模组基板及制备方法技术

本发明专利技术提供了一种射频前端模组基板及制备方法，在该射频前端模组基板中，第一基板层与第二基板层之间设置有隔离层，该隔离层可以减少第一基板层与第二基板层之间的互相干扰；并且第一基板层中每一个第一功能区都被对应的第一隔离边框包围，减少了每个第一功能区与外界的互相干扰；第二基板层中每一个第二功能区都被对应的第二隔离边框包围，减少了每个第二功能区与外界的互相干扰；各种干扰减少，进一步的也就提高了射频前端模组中各部分的设计稳定性和各部分的性能；同时，第一隔离边框在隔离层上的正投影与第二隔离边框在隔离层上的正投影重合，提高了基板强度。提高了基板强度。提高了基板强度。

【技术实现步骤摘要】
一种射频前端模组基板及制备方法


[0001]本专利技术涉及射频
，更具体地说，涉及一种射频前端模组基板及制备方法。

技术介绍

[0002]射频前端(RFFE，Radio Frequency Front
‑
End)模组是将射频开关、低噪声放大器、滤波器、双工器、功率放大器等两种或者两种以上分立的功能器件集成为一个模组，从而提高集成度和性能，并使体积小型化；射频前端模组是实现手机等各类移动终端通信功能的核心元器件，各类移动终端通信产品的全面崛起，为射频前端产业的发展奠定了坚实的产业基础。
[0003]射频前端模组有多层基板，在射频前端模组基板上的功能区容易受到外界信号的干扰或者容易将产生的电磁波辐射出去，此外功能区中的绕线电感也容易产生互感，这都会影响射频前端模组中各部分的设计稳定性和各部分的性能。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，为解决上述问题，本专利技术提供一种射频前端模组基板及制备方法，技术方案如下：所述射频前端模组基板包括：第一基板层，所述第一基板层上设置有多个第一功能区以及多个第一隔离边框；多个所述第一功能区与多个所述第一隔离边框一一对应，且所述第一隔离边框包围所述第一功能区；位于所述第一基板层一侧的隔离层；所述隔离层覆盖部分所述第一基板层；位于所述隔离层背离所述第一基板层一侧的第二基板层，所述第二基板层上设置有多个第二功能区以及多个第二隔离边框；多个所述第二功能区与多个所述第二隔离边框一一对应，且所述第二隔离边框包围所述第二功能区；其中，所述第一隔离边框在所述隔离层上的正投影与所述第二隔离边框在所述隔离层上的正投影重合。
[0005]可选的，在射频前端模组基板中，所述第一功能区包括：多个第一绕线电感区以及多个第三隔离边框，多个所述第一绕线电感区与多个所述第三隔离边框一一对应，且所述第三隔离边框包围所述第一绕线电感区；所述第二功能区包括：多个第二绕线电感区以及多个第四隔离边框，多个所述第二绕线电感区与多个所述第四隔离边框一一对应，且所述第四隔离边框包围所述第二绕线电感区。
[0006]可选的，在射频前端模组基板中，在第一方向上，所述第一隔离边框的厚度为25μm
‑
35μm；所述第二隔离边框的厚度为25μm
‑
35μm；所述第一方向垂直于所述第一基板层，且由所述第一基板层指向所述第二基板层。
[0007]可选的，在射频前端模组基板中，所述第一隔离边框的材料为铜材料；所述第二隔离边框的材料为铜材料。
[0008]可选的，在射频前端模组基板中，所述隔离层的材料为铜材料。
[0009]可选的，在射频前端模组基板中，在第二方向上，所述第三隔离边框的厚度为25μm
‑
35μm；所述第四隔离边框的厚度为25μm
‑
35μm；所述第二方向垂直于所述第一基板层，且由所述第一基板层指向所述第二基板层。
[0010]可选的，在射频前端模组基板中，所述射频前端模组基板还包括：位于所述第一基板层背离所述隔离层一侧的n层第三基板层，n≥1；第一层所述第三基板层与所述第一基板层相邻；位于所述第二基板层背离所述隔离层一侧的m层第四基板层，m≥1；第一层所述第四基板层与所述第二基板层相邻；所述第三基板层上设置有多个第五隔离边框；所述第四基板层上设置有多个第六隔离边框；所述第五隔离边框与所述第六隔离边框在所述隔离层上的正投影与所述第一隔离边框在所述隔离层上的正投影重合。
[0011]可选的，在射频前端模组基板中，第一层至第n
‑
1层所述第五隔离边框的厚度为25μm
‑
35μm；第n层所述第五隔离边框的厚度为10μm
‑
20μm；第一层至第n
‑
1层所述第六隔离边框的厚度为25μm
‑
35μm；第n层所述第六隔离边框的厚度为10μm
‑
20μm。
[0012]可选的，在射频前端模组基板中，在第三方向上，每个所述第一隔离边框的宽度为20μm
‑
30μm；每个所述第二隔离边框的宽度为20μm
‑
30μm；每个所述第五隔离边框的宽度为20μm
‑
30μm；每个所述第六隔离边框的宽度为20μm
‑
30μm。
[0013]一种射频前端模组基板的制备方法，所述制备方法包括：提供一第一基板层，所述第一基板层上设置有多个第一功能区以及多个第一隔离边框；多个所述第一功能区与多个所述第一隔离边框一一对应，且所述第一隔离边框包围所述第一功能区；在所述第一基板层一侧形成隔离层；所述隔离层覆盖部分所述第一基板层；在所述隔离层背离所述第一基板层一侧形成第二基板层，所述第二基板层上设置有多个第二功能区以及多个第二隔离边框；多个所述第二功能区与多个所述第二隔离边框一一对应，且所述第二隔离边框包围所述第二功能区；其中，所述第一隔离边框在所述隔离层上的正投影与所述第二隔离边框在所述隔离层上的正投影重合。
[0014]相较于现有技术，本专利技术实现的有益效果为：在该射频前端模组基板中，第一基板层与第二基板层之间设置有隔离层，该隔离层可以减少第一基板层与第二基板层之间的互相干扰；并且第一基板层中每一个第一功能区都被对应的第一隔离边框包围，减少了每个第一功能区与外界的互相干扰；第二基板层中每一个第二功能区都被对应的第二隔离边框包围，减少了每个第二功能区与外界的互相
干扰；各种干扰减少，进一步的也就提高了射频前端模组中各部分的设计稳定性和各部分的性能；同时，第一隔离边框在隔离层上的正投影与第二隔离边框在隔离层上的正投影重合，提高了基板强度，当进行模组分割时第一隔离边框与第二隔离边框可以保护第一功能区与第二功能区的内部结构不被破坏。
附图说明
[0015]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
[0016]图1为本专利技术实施例提供的一种射频前端模组基板的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的第一基板层的结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的第二基板层的结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的第一功能区的结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的第二功能区的结构示意图；图6为本专利技术实施例提供的另一种射频前端模组基板的结构示意图；图7为本专利技术实施例提供的第三基板层的结构示意图；图8为本专利技术实施例提供的第四基板层的结构示意图；图9为本专利技术实施例提供的一种射频前端模组基板的制备方法。
具体实施方式
[0017]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种射频前端模组基板，其特征在于，所述射频前端模组基板包括：第一基板层，所述第一基板层上设置有多个第一功能区以及多个第一隔离边框；多个所述第一功能区与多个所述第一隔离边框一一对应，且所述第一隔离边框包围所述第一功能区；位于所述第一基板层一侧的隔离层；所述隔离层覆盖部分所述第一基板层；位于所述隔离层背离所述第一基板层一侧的第二基板层，所述第二基板层上设置有多个第二功能区以及多个第二隔离边框；多个所述第二功能区与多个所述第二隔离边框一一对应，且所述第二隔离边框包围所述第二功能区；其中，所述第一隔离边框在所述隔离层上的正投影与所述第二隔离边框在所述隔离层上的正投影重合。2.根据权利要求1所述的射频前端模组基板，其特征在于，所述第一功能区包括：多个第一绕线电感区以及多个第三隔离边框，多个所述第一绕线电感区与多个所述第三隔离边框一一对应，且所述第三隔离边框包围所述第一绕线电感区；所述第二功能区包括：多个第二绕线电感区以及多个第四隔离边框，多个所述第二绕线电感区与多个所述第四隔离边框一一对应，且所述第四隔离边框包围所述第二绕线电感区。3.根据权利要求1所述的射频前端模组基板，其特征在于，在第一方向上，所述第一隔离边框的厚度为25μm
‑
35μm；所述第二隔离边框的厚度为25μm
‑
35μm；所述第一方向垂直于所述第一基板层，且由所述第一基板层指向所述第二基板层。4.根据权利要求3所述的射频前端模组基板，其特征在于，所述第一隔离边框的材料为铜材料；所述第二隔离边框的材料为铜材料。5.根据权利要求1所述的射频前端模组基板，其特征在于，所述隔离层的材料为铜材料。6.根据权利要求2所述的射频前端模组基板，其特征在于，在第二方向上，所述第三隔离边框的厚度为25μm
‑
35μm；所述第四隔离边框的厚度为25μm
‑
35μm；所述第二方向垂直于所述第一基板层，且由所述第一基板层指向所述第二基板层。7.根据权利要求1所述的射频前端模组基板，其特征在于，所述射频前端模组基板还包括：位于所述第一基板...

【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ七四专利代理机构，
申请(专利权)人：深圳新声半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：