半导体激光器芯片的校准定位方法、设备及存储介质技术

本申请提供一种半导体激光器芯片的校准定位方法、设备及存储介质，方法包括：识别样本芯片相对于图像采集窗口的中心而具有的第一坐标和偏转角；将样本芯片平移到图像采集窗口的中心，根据样本芯片的偏转角旋转样本芯片；识别样本芯片的第二坐标；根据样本芯片的偏转角、第一坐标和第二坐标，确定转动机构的旋转中心的第一坐标；将待测芯片平移至图像采集窗口中，识别待测芯片的第一坐标和偏转角；根据待测芯片的第一坐标和偏转角以及旋转中心的第一坐标，将待测芯片移动至图像采集窗口的中心。结合该旋转中心的第一坐标、待测芯片的第一坐标和偏转角，只需要一次识别过程即能完成待测芯片的校准定位，提高了校准速度。提高了校准速度。提高了校准速度。

【技术实现步骤摘要】
半导体激光器芯片的校准定位方法、设备及存储介质


[0001]本申请涉及半导体激光器
，尤其涉及一种半导体激光器芯片的校准定位方法、设备及存储介质。

技术介绍

[0002]半导体激光器是用半导体材料作为工作物质的激光器，由于物质结构上的差异，不同种类产生激光的具体过程比较特殊。常用工作物质有砷化镓（GaAs）、硫化镉（CdS）、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等。半导体激光器中的激光器芯片在出厂前需要对其光电性能进行测试，例如可采用注入电流的方式使其泵浦，然后测试对应的泵浦功率。
[0003]然而，在相关技术中，为了对半导体激光器芯片进行光电性能测试，需要将芯片移动到特定的位置，同时还需要使芯片呈现特定的摆放状态，这就要求对芯片的位置进行多次定位。但半导体激光器芯片的测试往往是大批量测试，每个芯片都进行多次定位则会严重影响校准以及后续测试的效率，不利于测试过程的进行。

技术实现思路

[0004]本申请提供一种半导体激光器芯片的校准定位方法、设备及存储介质，旨在提高半导体激光器芯片的校准效率。
[0005]为了达到上述目的，本申请提供一种半导体激光器芯片的校准定位方法，应用于半导体激光器芯片的校准定位装置，所述校准定位装置包括图像采集装置以及依次连接的平移机构、转动机构和载物台，所述载物台跟随所述转动机构转动，所述转动机构跟随所述平移机构平移；所述校准定位方法包括：将样本芯片和待测芯片放置在所述载物台上，并将所述样本芯片和所述待测芯片平移至所述图像采集装置的图像采集窗口中；识别所述样本芯片相对于所述图像采集窗口的中心而具有的第一坐标和偏转角；将所述样本芯片从所述样本芯片的第一坐标处平移到所述图像采集窗口的中心，根据所述样本芯片的偏转角旋转所述样本芯片；识别所述样本芯片在旋转后相对于所述图像采集窗口的中心而具有的第二坐标；根据所述样本芯片的偏转角、第一坐标和第二坐标，确定所述转动机构的旋转中心在所述样本芯片旋转前相对于所述图像采集窗口的中心而具有的第一坐标；依次将所述样本芯片旋转回到所述图像采集窗口的中心以及平移回到所述样本芯片的第一坐标处；识别所述待测芯片相对于所述图像采集窗口的中心而具有的第一坐标和偏转角；根据所述待测芯片的第一坐标和偏转角以及所述旋转中心的第一坐标，将所述待测芯片移动至所述图像采集窗口的中心。
[0006]其中，所述识别所述样本芯片相对于所述图像采集窗口的中心而具有的第一坐标和偏转角的步骤，包括：获取以所述图像采集窗口的中心为原点的坐标轴，所述载物台的平移方向与所述坐标轴所在的方向对应，所述平移方向包括相互垂直的第一方向和第二方向；识别所述样本芯片的中心和所述样本芯片的发光腔的开设方向；确定所述样本芯片的中心分别沿所述第一方向和所述第二方向到所述图像采集窗口的坐标轴的距离，以确定所
述样本芯片的第一坐标；确定所述发光腔的开设方向与所述第二方向之间的夹角，以确定所述样本芯片的偏转角。
[0007]其中，所述将所述样本芯片从所述样本芯片的第一坐标处平移到所述图像采集窗口的中心，根据所述样本芯片的偏转角旋转所述样本芯片的步骤包括：将所述样本芯片的中心从所述样本芯片的第一坐标处平移到所述图像采集窗口的中心；根据所述样本芯片的偏转角旋转所述样本芯片，使得所述样本芯片的发光腔的开设方向与所述第二方向平行。
[0008]其中，所述识别所述样本芯片的中心的步骤，包括：识别所述样本芯片的图形轮廓；根据所述样本芯片的图形轮廓，确定所述样本芯片的中心和所述发光腔的开设方向。
[0009]其中，所述根据所述样本芯片的偏转角、第一坐标和第二坐标，确定所述转动机构的旋转中心在所述样本芯片旋转前相对于所述图像采集窗口的中心而具有的第一坐标的步骤，包括：根据所述样本芯片的偏转角和第二坐标，确定所述旋转中心在所述样本芯片旋转后相对于所述图像采集窗口的中心而具有的第二坐标；根据所述样本芯片的第一坐标和所述旋转中心的第二坐标，确定所述旋转中心的第一坐标。
[0010]其中，所述根据所述待测芯片的第一坐标和偏转角以及所述旋转中心的第一坐标，将所述待测芯片移动至所述图像采集窗口的中心的步骤，包括：根据所述待测芯片的第一坐标和所述旋转中心的第一坐标，确定所述旋转中心相对于所述图像采集窗口的中心而具有的第三坐标，所述旋转中心的第三坐标为当所述待测芯片平移至所述图像采集窗口的中心时，所述旋转中心的坐标；根据所述待测芯片的偏转角和所述旋转中心的第三坐标，确定所述待测芯片相对于所述图像采集窗口的中心而具有的第二坐标，所述待测芯片的第二坐标为当所述待测芯片平移至所述图像采集窗口的中心且旋转所述待测芯片的偏转角时，所述待测芯片的坐标；根据所述待测芯片的第一坐标、第二坐标以及偏转角，将所述待测芯片移动至所述图像采集窗口的中心。
[0011]其中，所述根据所述待测芯片的第一坐标、第二坐标以及偏转角，将所述待测芯片移动至所述图像采集窗口的中心，包括：确定所述待测芯片的第一坐标到所述待测芯片的第二坐标的位移；根据所述待测芯片的第一坐标到所述待测芯片的第二坐标的位移和所述待测芯片的偏转角，移动所述待测芯片，使得所述待测芯片位于所述图像采集窗口的中心。
[0012]其中，在所述根据所述待测芯片的第一坐标和偏转角以及所述旋转中心的第一坐标，将所述待测芯片移动至所述图像采集窗口的中心的步骤之后，还包括：将所述待测芯片转移到测试机构上，对所述待测芯片的电极施加电流，以对所述待测芯片的光功率进行测试。
[0013]本申请还提供一种终端设备，包括处理器、存储器以及存储在所述存储器中且被配置为由所述处理器执行的计算机程序，所述存储器与所述处理器耦接，且所述处理器执行所述计算机程序时，实现如上述所述的校准定位方法。
[0014]本申请还提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，其中，在所述计算机程序运行时控制所述计算机可读存储介质所在的设备执行如上述所述的校准定位方法。
[0015]本申请的有益效果为：通过将样本芯片放置在载物台上进行平移和旋转，识别样本芯片平移前和旋转后的坐标以及偏转角，以确定转动机构的旋转中心在样本芯片旋转前相对于图像采集窗口的中心而具有的第一坐标；根据该转动机构的第一坐标，可以使得待
测芯片在进行校准定位时，只需要一次识别待测芯片所需的偏转角和平移前的坐标，即可确定将该待测芯片移动至图像采集窗口的中心所需的移动路径；因此，本申请一方面通过算法校准的方式，只需要对待测芯片的一次识别即可完成校准定位，提升了定位速度，当待测芯片的数量为多个时，显著提升校准效率；另一方面，降低对硬件同心度的要求，不要求图像采集窗口的中心与转动机构的旋转中心绝对同心，可以在图像采集窗口的中心与转动机构的旋转中心存在误差的情况下，利用较少地识别次数对待测芯片进行定位，使得定位后的待测芯片满足进行光电性能测试的相应条件。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本申请的技术方案，下面将对根据本申请而成的各实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体激光器芯片的校准定位方法，其特征在于，应用于半导体激光器芯片的校准定位装置，所述校准定位装置包括图像采集装置以及依次连接的平移机构、转动机构和载物台，所述载物台跟随所述转动机构转动，所述转动机构跟随所述平移机构平移；所述校准定位方法包括：将样本芯片和待测芯片放置在所述载物台上，并将所述样本芯片和所述待测芯片平移至所述图像采集装置的图像采集窗口中；识别所述样本芯片相对于所述图像采集窗口的中心而具有的第一坐标和偏转角；将所述样本芯片从所述样本芯片的第一坐标处平移到所述图像采集窗口的中心，根据所述样本芯片的偏转角旋转所述样本芯片；识别所述样本芯片在旋转后相对于所述图像采集窗口的中心而具有的第二坐标；根据所述样本芯片的偏转角、第一坐标和第二坐标，确定所述转动机构的旋转中心在所述样本芯片旋转前相对于所述图像采集窗口的中心而具有的第一坐标；依次将所述样本芯片旋转回到所述图像采集窗口的中心以及平移回到所述样本芯片的第一坐标处；识别所述待测芯片相对于所述图像采集窗口的中心而具有的第一坐标和偏转角；根据所述待测芯片的第一坐标和偏转角以及所述旋转中心的第一坐标，将所述待测芯片移动至所述图像采集窗口的中心。2.根据权利要求1所述的校准定位方法，其特征在于，所述识别所述样本芯片相对于所述图像采集窗口的中心而具有的第一坐标和偏转角的步骤，包括：获取以所述图像采集窗口的中心为原点的坐标轴，所述载物台的平移方向与所述坐标轴所在的方向对应，所述平移方向包括相互垂直的第一方向和第二方向；识别所述样本芯片的中心和所述样本芯片的发光腔的开设方向；确定所述样本芯片的中心分别沿所述第一方向和所述第二方向到所述图像采集窗口的坐标轴的距离，以确定所述样本芯片的第一坐标；确定所述发光腔的开设方向与所述第二方向之间的夹角，以确定所述样本芯片的偏转角。3.根据权利要求2所述的校准定位方法，其特征在于，所述将所述样本芯片从所述样本芯片的第一坐标处平移到所述图像采集窗口的中心，根据所述样本芯片的偏转角旋转所述样本芯片的步骤包括：将所述样本芯片的中心从所述样本芯片的第一坐标处平移到所述图像采集窗口的中心；根据所述样本芯片的偏转角旋转所述样本芯片，使得所述样本芯片的发光腔的开设方向与所述第二方向平行。4.根据权利要求2所述的校准定位方法，其特征在于，所述识别所述样本芯片的中心的步骤，包括：识别所述样本芯片的图形轮廓；根据所述样本芯片的图形轮廓，确定所述样本芯片的中心和所述发光腔的开设方向。5.根据权利要求1所述的校准定位方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：马超，李博，黄秋元，周鹏，
申请(专利权)人：武汉普赛斯电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：