LDO驱动电路、驱动芯片和电子设备制造技术

本申请涉及LDO驱动电路、驱动芯片和电子设备，该LDO驱动电路包括误差放大器、功率驱动单元、LDO输出级电路和升压电路单元，功率驱动单元的第一电压输入端与LDO输出级电路的输出端相连接，功率驱动单元的第二电压输入端与升压电路单元的输出端电性连接，功率驱动单元的第二电压输入端和第一电压输入端之间的电压差为预设参考电源电压VDD，使得整个功率驱动单元相当于浮地，且通过升压电路单元的输出端为功率驱动单元供电，从整体上降低了常规LDO驱动电路的复杂度，有效的减小了整个驱动电路版图面积。版图面积。版图面积。

【技术实现步骤摘要】
LDO驱动电路、驱动芯片和电子设备


[0001]本申请涉及电子电路，具体涉及一种LDO驱动电路、驱动芯片和电子设备。

技术介绍

[0002]低压差线性稳压器(LDO:Low Dropout Regulator)具有电路结构简单、噪声低等优点，目前已成为电源管理芯片中的重要组成部分。功率级LDO驱动电路能够为后级电路(BUCK电路或BUCK_BOOST)提供稳定的输出电压和足够的电流，因而被广泛应用于电源管理芯片中。
[0003]对于现有功率级LDO驱动电路而言，其电路结构往往较为复杂，驱动电路版图面积过大。

技术实现思路

[0004]鉴于此，本申请提供一种LDO驱动电路、驱动芯片和电子设备，能够大大降低功率级LDO驱动电路的复杂度，有效的减少了驱动电路版图的面积。
[0005]一种LDO驱动电路，包括依次电性连接的误差放大器、功率驱动单元和LDO输出级电路，LDO输出级电路的输出端通过电压反馈单元与误差放大器的同相输入端电性连接，功率驱动单元的第一电压输入端与LDO输出级电路的输出端电性连接；
[0006]LDO驱动电路包括升压电路单元，升压电路单元的输入端与LDO输出级电路的输出端电性连接，升压电路单元的输出端与功率驱动单元的第二电压输入端电性连接，升压电路单元用于接收LDO输出级电路输出的目标电压信号，并结合预设参考电源电压生成升压电源电压信号以输出到功率驱动单元的第二电压输入端，功率驱动单元的第二电压输入端和第一电压输入端之间的电压差为预设参考电源电压。
[0007]在一个实施例中，功率驱动单元包括电性连接的栅极驱动单元和超级源随器，栅极驱动单元的第一端与误差放大器的输出端电性连接，栅极驱动单元的第二端与超级源随器的第一端电性连接，栅极驱动单元的第三端接地，栅极驱动单元的第二端还通过降压电阻与升压电路单元的输出端电性连接，超级源随器的第二端通过预设偏置电流源与LDO输出级电路的输出端电性连接，超级源随器的第三端与LDO输出级电路的控制端电性连接。
[0008]在一个实施例中，功率驱动单元包括电性连接的栅极驱动单元、第一PMOS管和超级源随器，栅极驱动单元的第一端与误差放大器的输出端电性连接，栅极驱动单元的第二端与第一PMOS管的栅极电性连接，栅极驱动单元的第三端接地；
[0009]第一PMOS管的栅极还通过降压电阻与升压电路单元的输出端电性连接，第一PMOS管的源极分别与第一偏置电流源的一端和超级源随器的第一端电性连接；
[0010]第一偏置电流源的另一端与升压电路单元的输出端电性连接，超级源随器的第二端通过第二偏置电流源与第一PMOS管的漏极电性连接，超级源随器的第三端与LDO输出级电路的控制端电性连接，第一PMOS管的漏极还与LDO输出级电路的输出端电性连接，第一PMOS管为隔离管。
[0011]在一个实施例中，栅极驱动单元包括电性连接的第一NMOS管和电压隔离保护单元，第一NMOS管的栅极与误差放大器的输出端电性连接，第一NMOS管的源极接地，第一NMOS管的漏极与电压隔离保护单元的第一端电性连接；
[0012]电压隔离保护单元的第二端与预设参考电源电性连接，电压隔离保护单元的第三端与第一PMOS管的栅极电性连接。
[0013]在一个实施例中，电压隔离保护单元为第二NMOS管，第二NMOS管的源极与第一NMOS管的漏极电性连接，第二NMOS管的栅极与预设参考电源电性连接，第二NMOS管的漏极与第一PMOS管的栅极电性连接，第一NMOS管和第一PMOS管各自的耐压值均小于第二NMOS管的耐压值。
[0014]在一个实施例中，超级源随器包括第三NMOS管和第二PMOS管，第三NMOS管的栅极与第一PMOS管的源极电性连接，第三NMOS管的漏极与第二PMOS管的栅极电性连接，第三NMOS管的源极分别与第二偏置电流源的一端和第二PMOS管的漏极电性连接；
[0015]第二偏置电流源的另一端与第一PMOS管的漏极电性连接，第二PMOS管的源极与升压电路单元的输出端电性连接，第二PMOS管的栅极还通过上拉电阻与升压电路单元的输出端电性连接，第二PMOS管的漏极还与LDO输出级电路的控制端电性连接；
[0016]第三NMOS管和第二PMOS管各自的耐压值均小于第二NMOS管的耐压值。
[0017]在一个实施例中，第三NMOS管和第二PMOS管均为隔离管。
[0018]在一个实施例中，电压反馈单元包括电性连接的第一分压电阻和第二分压电阻，第一分压电阻的一端与LDO输出级电路的输出端电性连接，第一分压电阻的另一端与误差放大器的同相输入端电性连接，第二分压电阻的一端与第一分压电阻的一端连接且另一端接地。
[0019]在一个实施例中，LDO输出级电路包括第四NMOS管，第四NMOS管的栅极与功率驱动单元的输出端电性连接，第四NMOS管的漏极用于接收输入电压信号，第四NMOS管的源极与电压反馈单元电性连接，并用于输出目标电压信号。
[0020]在一个实施例中，升压电路单元采用电荷泵单元。
[0021]此外，还提供一种驱动芯片，驱动芯片包括上述LDO驱动电路。
[0022]此外，还提供一种电子设备，电子设备包括上述驱动芯片。
[0023]上述LDO驱动电路，包括依次电性连接的误差放大器、功率驱动单元和LDO输出级电路，LDO输出级电路的输出端通过电压反馈单元与误差放大器的同相输入端电性连接，功率驱动单元的第一电压输入端与LDO输出级电路的输出端电性连接，LDO驱动电路包括升压电路单元，升压电路单元的输入端与LDO输出级电路的输出端电性连接，升压电路单元的输出端与功率驱动单元的第二电压输入端电性连接，升压电路单元用于接收LDO输出级电路输出的目标电压信号，并结合预设参考电源电压生成升压电源电压信号以输出到功率驱动单元的第二电压输入端，功率驱动单元的第二电压输入端和第一电压输入端之间的电压差为预设参考电源电压，其中，上述功率驱动单元的第一电压输入端与升压电路单元的输入端相连接，上述功率驱动单元的第二电压输入端与升压电路单元的输出端电性连接，功率驱动单元的第二电压输入端和第一电压输入端之间的电压差为预设参考电源电压，使得整个功率驱动单元相当于浮地，浮地电压大小即为上述目标电压信号的电压大小，且通过升压电路单元的输出端为功率驱动单元供电，从整体上降低了常规LDO驱动电路的复杂度，有
效的减小了整个驱动电路版图面积。
附图说明
[0024]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0025]图1是本申请提供的一种LDO驱动电路的电路结构框图；
[0026]图2是本申请提供的一种功率驱动单元的电路结构示意图；
[0027]图3是本申请提供的另一种功率驱动单元的电路本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LDO驱动电路，其特征在于，包括依次电性连接的误差放大器、功率驱动单元和LDO输出级电路，所述LDO输出级电路的输出端通过电压反馈单元与所述误差放大器的同相输入端电性连接，所述功率驱动单元的第一电压输入端与所述LDO输出级电路的输出端电性连接；所述LDO驱动电路包括升压电路单元，所述升压电路单元的输入端与所述LDO输出级电路的输出端电性连接，所述升压电路单元的输出端与所述功率驱动单元的第二电压输入端电性连接，所述升压电路单元用于接收所述LDO输出级电路输出的目标电压信号，并结合预设参考电源电压生成升压电源电压信号以输出到所述功率驱动单元的第二电压输入端，所述功率驱动单元的第二电压输入端和第一电压输入端之间的电压差为所述预设参考电源电压。2.根据权利要求1所述的LDO驱动电路，其特征在于，所述功率驱动单元包括电性连接的栅极驱动单元和超级源随器，所述栅极驱动单元的第一端与所述误差放大器的输出端电性连接，所述栅极驱动单元的第二端与所述超级源随器的第一端电性连接，所述栅极驱动单元的第三端接地，所述栅极驱动单元的第二端还通过降压电阻与所述升压电路单元的输出端电性连接，所述超级源随器的第二端通过预设偏置电流源与所述LDO输出级电路的输出端电性连接，所述超级源随器的第三端与所述LDO输出级电路的控制端电性连接。3.根据权利要求1所述的LDO驱动电路，其特征在于，所述功率驱动单元包括电性连接的栅极驱动单元、第一PMOS管和超级源随器，所述栅极驱动单元的第一端与所述误差放大器的输出端电性连接，所述栅极驱动单元的第二端与所述第一PMOS管的栅极电性连接，所述栅极驱动单元的第三端接地；所述第一PMOS管的栅极还通过降压电阻与所述升压电路单元的输出端电性连接，所述第一PMOS管的源极分别与第一偏置电流源的一端和所述超级源随器的第一端电性连接；所述第一偏置电流源的另一端与所述升压电路单元的输出端电性连接，所述超级源随器的第二端通过第二偏置电流源与所述第一PMOS管的漏极电性连接，所述超级源随器的第三端与所述LDO输出级电路的控制端电性连接，所述第一PMOS管的漏极还与所述LDO输出级电路的输出端电性连接；所述第一PMOS管为隔离管。4.根据权利要求2所述的LDO驱动电路，其特征在于，所述栅极驱动单元包括电性连接的第一NMOS管和...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟威威，宋志军，吴传奎，呙顺乐，
申请(专利权)人：上海艾为电子技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：