发光二极管芯片的键合检测方法及装置、存储介质制造方法及图纸

本公开提供了一种发光二极管芯片的键合检测方法及装置、存储介质，属于芯片制造领域。该方法包括获取晶圆上的芯片分布信息；对晶圆上的芯片进行检测，确定出第一键合不良芯片；基于芯片分布信息，确定第二键合不良芯片，第二键合不良芯片为，晶圆上，与第一键合不良芯片的距离不超过预设距离的芯片。由于显性键合不良的芯片更容易在检测中被发现，因此第一键合不良芯片更可能是显性键合不良的芯片。由于隐性键合不良的芯片一般是围绕显性键合不良的芯片分布的，因此基于芯片分布信息确定出的第二键合不良芯片，即与第一键合不良芯片的距离不超过预设距离的芯片，有较大概率是隐性键合不良的芯片，从而能够更准确地确定出存在键合不良的芯片。合不良的芯片。合不良的芯片。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管芯片的键合检测方法及装置、存储介质


[0001]本公开涉及芯片制造领域，特别涉及一种芯片键合检测方法。

技术介绍

[0002]发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)作为光电子产业中极具影响力的新产品，具有体积小、使用寿命长、颜色丰富多彩、能耗低等特点，广泛应用于照明、显示屏、信号灯、背光源、玩具等领域。
[0003]迷你发光二极管(mini
‑
LED)体积小，一般用于制作高分辨率的显示屏。在红光mini
‑
LED芯片的制作过程中，存在键合工艺，在键合过程中，一般会产生一定数量的键合不良的芯片，需要将存在键合不良的芯片筛选出来，避免这部分芯片投入使用而引发产品缺陷。
[0004]通过筛选需要确定出键合不良的芯片，目前一般由人工通过显微镜观察进行筛选，存在一定的漏判和误判。

技术实现思路

[0005]本公开实施例提供了一种发光二极管芯片的键合检测方法及装置、存储介质，能够更准确地确定出存在键合不良的芯片。所述技术方案如下：
[0006]第一方面，本公开实施例提供了一种发光二极管芯片的键合检测方法，所述方法包括：
[0007]获取晶圆上的芯片分布信息；
[0008]对所述晶圆上的芯片进行检测，确定出第一键合不良芯片；
[0009]基于所述芯片分布信息，确定第二键合不良芯片，所述第二键合不良芯片为，所述晶圆上，与所述第一键合不良芯片的距离不超过预设距离的芯片。
[0010]可选地，所述获取晶圆上的芯片分布信息，包括：
[0011]获取制备所述晶圆的光罩上的图案；
[0012]基于所述图案确定出所述芯片分布信息。
[0013]可选地，在所述基于所述光罩上的图案确定出所述芯片分布信息之前，所述方法还包括：
[0014]基于所述晶圆的形状，获取所述光罩上与所述晶圆相对应的区域的图案。
[0015]可选地，所述预设距离为2～10个单位，所述单位为围绕所述第一键合不良芯片的芯片圈数。
[0016]第二方面，本公开实施例还提供了一种发光二极管芯片的键合检测装置，所述键合检测装置包括：
[0017]获取模块，用于获取晶圆上的芯片分布信息；
[0018]检测模块，用于对所述晶圆上的芯片进行检测，确定出第一键合不良芯片；
[0019]确定模块，用于基于所述芯片分布信息，确定第二键合不良芯片，所述第二键合不
良芯片为，所述晶圆上，与所述第一键合不良芯片的距离不超过预设距离的芯片。
[0020]可选地，所述获取模块用于采用以下方式获取所述芯片分布信息：
[0021]获取制备所述晶圆的光罩上的图案；
[0022]基于所述图案确定出所述芯片分布信息。
[0023]可选地，所述获取模块还用于：
[0024]基于所述晶圆的形状，获取所述光罩上与所述晶圆相对应的区域的图案内。
[0025]可选地，所述预设距离为2～10个单位，所述单位为围绕所述第一键合不良芯片的芯片圈数。
[0026]第三方面，本公开实施例还提供了一种发光二极管芯片的键合检测装置，该键合检测装置包括：
[0027]处理器；
[0028]用于存储处理器可执行的指令的存储器；
[0029]其中，所述处理器被配置为执行如第一方面所述的发光二极管芯片的键合检测方法。
[0030]第四方面，本公开实施例还提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质中存储有至少一条指令，所述指令由处理器加载并执行以实现如第一方面所述的发光二极管芯片的键合检测方法。
[0031]本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
[0032]通过获取晶圆上的芯片分布信息，从而能够确定出晶圆上每个芯片的位置。通过对晶圆上的芯片进行检测，能确定出存在键合不良的芯片，即第一键合不良芯片。由于显性键合不良的芯片更容易在检测中被发现，因此第一键合不良芯片更可能是显性键合不良的芯片。由于在晶圆上，隐性键合不良的芯片一般是围绕显性键合不良的芯片分布的，因此基于芯片分布信息确定出的第二键合不良芯片，即与第一键合不良芯片的距离不超过预设距离的芯片，有较大概率是隐性键合不良的芯片，从而能够更准确地确定出存在键合不良的芯片。
附图说明
[0033]为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0034]图1是本公开实施例提供的一种发光二极管芯片的键合检测方法的流程图；
[0035]图2是本公开实施例提供的一种发光二极管芯片的键合检测方法的流程图；
[0036]图3是本公开实施例提供的一种芯片的分布示意图；
[0037]图4是本公开实施例提供的一种发光二极管芯片的键合检测装置的结构框图；
[0038]图5示出了本公开一个示例性实施例提供的发光二极管芯片的键合检测装置的结构框图。
具体实施方式
[0039]为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本公开实施方式作进一步地详细描述。
[0040]图1是本公开实施例提供的一种发光二极管芯片的键合检测方法的流程图。如图1所示，该方法包括：
[0041]在步骤S11中，获取晶圆上的芯片分布信息。
[0042]在步骤S12中，对晶圆上的芯片进行检测，确定出第一键合不良芯片。
[0043]其中，第一键合不良芯片为通过检测发现的存在键合不良的芯片，并非包括晶圆上所有的键合不良的芯片。
[0044]在步骤S13中，基于芯片分布信息，确定第二键合不良芯片。
[0045]其中，第二键合不良芯片为，晶圆上，与第一键合不良芯片的距离不超过预设距离的芯片。
[0046]在实现本公开的过程中，专利技术人发现，红光mini
‑
LED在键合工艺中通常会产生两种键合不良的芯片，一种是显性键合不良的芯片，这种芯片的键合不良较为明显，在显微镜观察过程中较容易发现，另一种是隐性键合不良的芯片，这种芯片的键合不良较不明显，在显微镜观察过程中很难发现，甚至有的隐性键合不良的芯片在显微镜下观察时与正常的芯片没有区别，在使用时才会发现存在键合不良的缺陷。为了避免误判和漏判，需要尽量准确地确定出这两种键合不良的芯片。
[0047]同时专利技术人还发现，在晶圆上，隐性键合不良的芯片通常围绕显性键合不良的芯片分布。例如某一个芯片存在显性键合不良的缺陷，与该芯片相距较近，围绕该芯片分布的多个其他芯片有较大的可能存在隐性键合不良的缺陷，而且距离该显性键合不良的芯片越近的芯片，存在隐性键合不良的缺陷的可能性越高。
[0048]本公开实施例通过获取晶圆上的芯片分布信息，从而能够确定出晶圆上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管芯片的键合检测方法，其特征在于，包括：获取晶圆上的芯片分布信息；对所述晶圆上的芯片进行检测，确定出第一键合不良芯片；基于所述芯片分布信息，确定第二键合不良芯片，所述第二键合不良芯片为，所述晶圆上，与所述第一键合不良芯片的距离不超过预设距离的芯片。2.根据权利要求1所述的键合检测方法，其特征在于，所述获取晶圆上的芯片分布信息，包括：获取制备所述晶圆的光罩上的图案；基于所述图案确定出所述芯片分布信息。3.根据权利要求2所述的键合检测方法，其特征在于，在所述基于所述光罩上的图案确定出所述芯片分布信息之前，所述方法还包括：基于所述晶圆的形状，获取所述光罩上与所述晶圆相对应的区域的图案。4.根据权利要求1所述的键合检测方法，其特征在于，所述预设距离为2～10个单位，所述单位为围绕所述第一键合不良芯片的芯片圈数。5.一种发光二极管芯片的键合检测装置，其特征在于，包括：获取模块，用于获取晶圆上的芯片分布信息；检测模块，用于对所述晶圆上的芯片进行检测，确定出第一键合不良芯片；确定模块，用于基于所述芯片分...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈建南，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：