【技术实现步骤摘要】
用于检查半导体样本的图像生成
[0001]本公开的主题大体上涉及检查半导体样本的领域，并且更具体地，涉及可用于检查半导体样本的图像的生成。
技术介绍
[0002]对于与制造器件的超大规模集成相关联的高密度和高性能的当下需求需要亚微米的特征、提高的晶体管和电路速度以及改良的可靠性。随着半导体工艺发展，诸如线宽之类的图案尺寸和其他类型的临界尺寸持续缩小。这样的需求需要形成具有高精确度和一致性的器件特征，其进而使得对制造过程的谨慎监控，包括当器件还是半导体晶片形式时对器件的自动化检查成为必要。
[0003]可以在待检查的样品的制造期间或之后使用通过非破坏性检查工具来提供检查。检查通常涉及通过将光或电子引导向晶片和检测来自晶片的光或电子来生成用于样本的某一输出(例如，图像、信号等等)。各种非破坏性检查工具包括，以非限制性示例举例，扫描电子显微镜、原子力显微镜、光学检验工具等等。
[0004]检查过程可以包括多个检查步骤。在制造过程期间，检查步骤可以被执行多次，例如在某些层的制造或处理之后等等。另外或替代地，各检查步骤...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种检查半导体样本的计算机化系统，所述系统包括处理和存储器电路系统(PMC)，所述处理和存储器电路系统(PMC)被配置成：获得所述半导体样本的区域的帧序列，所述帧序列由被配置成从多个方向扫描所述区域的电子束工具获取，所述帧序列包括多个帧组，其中每组帧从相应方向获取；以及配准所述多个帧组，并且基于所述配准的结果生成所述半导体样本的图像，包括：响应于在从每个方向获取的所述帧组之间执行第一配准的确定，针对每个方向，在从所述方向获取的所述帧组中之间执行所述第一配准，并且将所述配准的帧组组合以生成第一复合帧，从而产生分别对应于所述多个方向的多个第一复合帧；以及在所述多个第一复合帧之间执行第二配准，并且将所述配准的多个第一复合帧组合以生成所述半导体样本的所述区域的所述图像；其中所述生成的图像相较于从所述多个方向中的给定方向被扫描的帧具有减小的图像伪影，并且其中所述图像可用于所述半导体样本的检查。2.如权利要求1所述的计算机化系统，其中配准所述多个帧组和生成所述半导体样本的图像进一步包括：响应于不执行所述第一配准的确定，针对每个方向，将从所述方向获取的所述帧组组合以生成第二复合帧，从而产生分别对应于所述多个方向的多个第二复合帧；以及在所述多个第二复合帧之间执行所述第二配准，并且将所述配准的多个第二复合帧组合以生成所述半导体样本的所述图像。3.如权利要求1所述的计算机化系统，进一步包括所述电子束工具。4.如权利要求1所述的计算机化系统，其中通过从所述多个方向顺序地扫描所述区域和在每次扫描期间从每个方向获得一个或多个帧来获取所述帧序列。5.如权利要求3所述的计算机化系统，其中所述电子束工具被配置成通过调整在所述电子束工具的扫描过程与成像过程之间的同步来补偿在从不同方向获取的帧之间的偏移中的至少部分。6.如权利要求1所述的计算机化系统，其中所述确定是基于以下因素中的至少一个：被包括在所述帧组中的帧的数量，以及待检查样本的层和/或材料。7.如权利要求1所述的计算机化系统，其中执行所述第一配准以校正由所述电子束工具的电子束与所述半导体样本之间的一个或多个物理效应导致的在从每个方向获取的所述帧组之间的漂移。8.如权利要求7所述的计算机化系统，其中所述一个或多个物理效应包括热膨胀、充电效应和工具公差。9.如权利要求1所述的计算机化系统，其中所述第一配准包括使用归一化互相关函数在所述帧组之间执行图案匹配。10.如权利要求9所述的计算机化系统，其中在所述图案匹配期间在当前帧中使用的搜索范围基于在所述当前帧的至少一个先前帧中标识的至少一个先前漂移。11.如权利要求1所述的计算机化系统，其中执行所述第二配准以校正由从所述多个方向扫描所述区域导致的在所述多个第一复合帧之间的偏移。12.如权利要求11所述的计算机化系统，其中在所述第二配准中执行的图案匹配期间在当前帧中使用的搜索方向基于在获取所述当前帧时的扫描方向。13.如权利要求1所述的计算机化系统，其中所述多个方向包括两对或更多对相反方
向，并且其中所述执行第二配准包括：针对每个给定对的相反方向，配准与所述给定对中的相反方向相对应的两个第一复合帧，并将所述配准的两个第一复合帧组合以获得复合帧，从而产生对应于所述两对或更多对相反方向的两个或更多个复合帧；以及配准所述两个或更多个复合帧，并将所述配准的两个或更多个复合帧组合以生成所述半...
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