本发明专利技术提供了一种施密特触发器电路及相关电子电路和电子设备，其中施密特触发器电路，包括电压输入端、迟滞电平产生电路单元、翻转电路单元以及反相电路单元；所述翻转电路单元，具有固定的上升翻转电压和固定的下降翻转电压，当所述翻转电路单元接入的电压先高于上升翻转电压再低于下降翻转电压时，所述翻转电路单元的输出端电平从低到高再从高到低二次翻转；所述迟滞电平产生电路单元，用于当所述翻转电路单元接入的电压超过上升翻转电压时，产生一迟滞电流作用于所述翻转电路单元，产生电压迟滞；所述反相电路单元，用于对所述翻转电路单元的输出端电平取反。本发明专利技术设计的电路可兼顾上升和下降翻转电压的固定和生产成本。可兼顾上升和下降翻转电压的固定和生产成本。可兼顾上升和下降翻转电压的固定和生产成本。
【技术实现步骤摘要】
施密特触发器电路及相关的电子电路和电子设备
[0001]本专利技术涉及集成电路领域，尤其涉及一种施密特触发器电路及相关的电子电路和电子设备。
技术介绍
[0002]施密特翻转器可以用于波形变换、脉冲整形、脉冲鉴幅。施密特翻转器常常又称为迟滞比较器、滞回比较器，它的主要用途是波形整形、变换、比较、鉴幅等，其抗干扰的能力在各类比较器中首屈一指。在其他各类比较器中，当输入电压在阈值电压附近有任何微小变化时，输出电压都会出现跃变，不论这种微小变化是来源于输入信号还是外部干扰.施密特翻转器具有滞回特性，即具有惯性，因而也就具有一定的抑制干扰的能力。
[0003]施密特翻转电路刚开始的名称是来自于图1所示的电路结构。如图1所示，通过两个CMOS反相器G1、G2以及两个电阻R1、R2所构成的施密特翻转电路。从图1可以发现，两个CMOS反相器通过串接相连，通过分压电阻把输出端的电压反馈给输入端，便组成了带有施密特翻转特性的电路。反相器的翻转电平通常为1/2电源电压，通过反相器的翻转电平推算出翻转器的上升翻转电压和下降翻转电压均与电源电压相关。
[0004]现有技术中缺乏有效的可以使上升翻转电压和下降翻转电压固定，不随电源电压变化的方案。
技术实现思路
[0005]本专利技术提供了一种施密特触发器电路及相关的电子电路和电子设备，可以在改变电源电压时，使得上升翻转电压和下降翻转电压不随电源电压改变而改变。
[0006]根据本专利技术的第一方面，提供了一种施密特触发器电路，包括电压输入端、迟滞电平产生电路单元、翻转电路单元以及反相电路单元；
[0007]所述翻转电路单元，被配置为具有一固定的上升翻转电压和一固定的下降翻转电压，所述翻转电路单元用于接收所述电压输入端的输入电压，当所述电压输入端输入的电压由低电平开始增大至超过上升翻转电压时，所述翻转电路单元的输出端电平进行翻转，当所述电压输入端输入的电压从超过上升翻转电压开始下降至下降翻转电压时，所述翻转电路单元的输出端电平进行再次翻转；
[0008]所述迟滞电平产生电路，用于当所述电压输入端的输入电压超过上升翻转电压的情况下，产生一迟滞电压作用于所述翻转电路单元，使所述下降翻转电压小于所述上升翻转电压，产生电压迟滞；
[0009]所述反相电路单元，用于对所述翻转电路单元的输出端电平取反后输出；
[0010]所述翻转电路单元的第一端用于接收所述输入电压，且所述翻转电路单元的第一端接所述迟滞电平产生电路单元的第一端，所述翻转电路单元的第三端接地，所述翻转电路单元的输出端接所述反相电路单元的输入端；
[0011]所述迟滞电平产生电路单元的第三端接所述电源端；
[0012]所述反相电路单元的的第一端接地，所述反相电路单元的输出端接电压输出端。
[0013]可选的，所述翻转电路单元包括第一翻转MOS管及上拉电阻单元；
[0014]所述第一翻转MOS管的栅极作为所述翻转电路单元的第一端，所述第一翻转MOS管的第一端作为所述翻转电路单元的第三端，所述第一翻转MOS管的第二端作为所述翻转电路单元的输出端，所述第一翻转MOS管的第二端接所述上拉电阻单元的第一端；
[0015]所述上拉电阻单元的第二端作为所述翻转电路单元的第二端。
[0016]可选的，所述上拉电阻单元包括第一上拉电阻及第二上拉电阻；
[0017]所述第一上拉电阻的第一端连接所述第二上拉电阻的第二端；
[0018]所述第二上拉电阻的第二端作为所述上拉电阻单元的第二端，所述第二上拉电阻的第一端作为所述上拉电阻单元的第一端。
[0019]可选的，所述翻转电路单元还包括分压单元；
[0020]所述分压单元包括第一分压电阻及第二分压电阻；
[0021]所述第一分压电阻的第一端接所述电压输入端，所述第一分压电阻的第二端接所述第一翻转MOS管的栅极；
[0022]所述第二分压电阻的第一端接所述第一翻转MOS管的栅极，所述第二分压电阻的第二端接所述第一翻转MOS管的第一端。
[0023]可选的，所述第一翻转MOS管为NMOS管。
[0024]可选的，所述迟滞电平产生电路单元包括第一迟滞电阻、第一迟滞MOS管、第二迟滞MOS管及第三迟滞MOS管；
[0025]所述第一迟滞电阻的第一端作为所述迟滞电平产生电路单元的第三端，所述第一迟滞电阻的第二端接所述第一迟滞MOS管的第一端；
[0026]所述第一迟滞MOS管的第二端作为所述迟滞电平产生电路单元的第一端，所述第一迟滞MOS管的第栅极接所述第三迟滞MOS管的栅极；
[0027]所述第三迟滞MOS管的第二端连接所述第三迟滞MOS管的栅极，所述第三迟滞MOS管的第二端作为所述迟滞电平产生电路单元的第二端，所述第三迟滞MOS管的第一端接所述第二迟滞MOS管的第二端；
[0028]所述第二迟滞MOS管的第二端接所述第二迟滞MOS管的栅极，所述第二迟滞MOS管的第一端接所述第一迟滞电阻的第一端。
[0029]可选的，所述第一迟滞MOS管和所述第三迟滞MOS管的宽长比一样。
[0030]可选的，所述第二迟滞MOS管的宽长比和所述第二上拉电阻的阻值满足所述第二迟滞MOS管上流经的电流在μA级。
[0031]可选的，所述第一迟滞MOS管、所述第二迟滞MOS管及所述第三迟滞MOS管均为PMOS管。
[0032]可选的，所述反相电路单元，包括第一反相MOS管以及第二反相MOS管；
[0033]所述第一反相MOS管的栅极作为所述反相电路单元的输入端，所述第一反相MOS管的栅极接所述第二反相MOS管的栅极，所述第一反相MOS管的第一端作为所述反相电路单元的第一端，所第一反相MOS管的第二端作为所述反相电路单元的输出端，所述第一反相MOS管的第二端接所述第二反相MOS管的第二端。
[0034]可选的，所述第一反相MOS管为NMOS管，所述第二反相MOS管为PMOS管。
[0035]根据本专利技术的第二方面，提供了一种电子电路，包含本专利技术第一方面及可选方案所提供的施密特触发器电路。
[0036]根据本专利技术的第三方面，提供了一种电子设备，包含本专利技术第二方面及可选方案所提供的电子电路。
[0037]本专利技术提供的施密特触发器电路具有的技术效果为上升翻转电压和下降翻转电压不随电源电压的变化而变化。
[0038]进一步，可以通过改变电路中对应电阻的阻值比使上升翻转电压和下降翻转电压的大小可调。
附图说明
[0039]下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。
[0040]图1是初始的施密特触发器电路的电路结构示意图；
[0041]图2是接入正反馈比较器的施密特触发器电路的电路结构示意图；
[0042]图3是接入两个三极管的施密特触发器电路的电路结构示意图；
[0043]图4是本专利技术实施例提供的施密特触发器电路的电路结构框图；
[0044]图本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种施密特触发器电路，其特征在于，包括：电压输入端、迟滞电平产生电路单元、翻转电路单元以及反相电路单元；所述翻转电路单元，被配置为具有一固定的上升翻转电压和一固定的下降翻转电压，所述翻转电路单元用于接收所述电压输入端的输入电压，当所述电压输入端输入的电压由低电平开始增大至超过上升翻转电压时，所述翻转电路单元的输出端电平进行翻转，当所述电压输入端的输入电压从超过上升翻转电压开始下降至下降翻转电压时，所述翻转电路单元的输出端电平进行再次翻转；所述迟滞电平产生电路单元，用于在所述输入电压超过上升翻转电压的情况下，产生一迟滞电压作用于所述翻转电路单元，使所述下降翻转电压小于所述上升翻转电压，产生电压迟滞；所述反相电路单元，用于对所述翻转电路单元的输出端电平取反后输出。2.根据权利要求1所述的施密特触发器电路，其特征在于，所述翻转电路单元的第一端用于接收所述输入电压，且所述翻转电路单元的第一端接所述迟滞电平产生电路单元的第一端，所述翻转电路单元的第三端接地，所述翻转电路单元的输出端接所述反相电路单元的输入端；所述迟滞电平产生电路单元的第三端接所述电源端；所述反相电路单元的的第一端接地，所述反相电路单元的输出端接电压输出端。3.根据权利要求1或2所述的施密特触发器电路，其特征在于，所述翻转电路单元包括第一翻转MOS管及上拉电阻单元；所述第一翻转MOS管的栅极作为所述翻转电路单元的第一端，所述第一翻转MOS管的第一端作为所述翻转电路单元的第三端，所述第一翻转MOS管的第二端作为所述翻转电路单元的输出端，所述第一翻转MOS管的第二端接所述上拉电阻单元的第一端；所述上拉电阻单元的第二端作为所述翻转电路单元的第二端接所述迟滞电平产生电路的第二端。4.根据权利要求3所述的施密特触发器电路，其特征在于，所述上拉电阻单元包括第一上拉电阻及第二上拉电阻；所述第一上拉电阻的第一端连接所述第二上拉电阻的第二端；所述第二上拉电阻的第二端作为所述上拉电阻单元的第二端，所述第二上拉电阻的第一端作为所述上拉电阻单元的第一端。5.根据权利要求3所述的施密特触发器电路，其特征在于，所述翻转电路单元还包括分压单元；所述分压单元包括第一分压电阻及第二分压电阻；所述第一分压电阻的第一端接所述电压输入端，所述第一分压电阻的第二端接所述第一翻转MOS管的栅极；所述第二分压电阻的第一端接所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：王飞，郑鲲鲲，
申请(专利权)人：广东鸿翼芯汽车电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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