气浴装置制造方法及图纸

本发明专利技术属于光刻技术领域，尤其涉及一种气浴装置。本发明专利技术的气浴装置，包括：整流喷射单元，整流喷射单元的第一面上分别设置有用于喷射气流的第一环形喷射口和第二环形喷射口，第二环形喷射口围绕第一环形喷射口的外周设置，第一环形喷射口的内侧设置有用于容纳的读数头的安装区域，其中，第一环形喷射口与第二环形喷射口喷射的气流的流速不同。本发明专利技术的气浴装置是一种局部气浴装置，是针对读数头及其光路所包络区域进行二次的环境控制手段，通过两个喷射口分别喷射不同流速的气流，从而形成内外两层气流，在读数头周围产生一个相对静压的区域，可有效抵挡运动台高速运动产生的扰动气流影响，保证平面光栅系统的测量精度。保证平面光栅系统的测量精度。保证平面光栅系统的测量精度。

【技术实现步骤摘要】
气浴装置


[0001]本专利技术属于光刻
，尤其涉及一种气浴装置。

技术介绍

[0002]光刻机是一种超精密的多学科融合的工业化产物，是半导体材料加工制造的核心工具。平面光栅测量分系统作为光刻机的核心部件，承担着为双工件台、调平调焦系统、硅片对准系统等分系统提供位置测量反馈的重任。其中，光栅尺的读数头安装在运动台上并跟随运动台一起运动，在曝光工作时运动台按照预定轨迹扫描运动，运动台的位置不断变化导致读数头的位置也不断变化，读数头的管路需要始终被气浴覆盖，从而保证测量系统的工作环境稳定。
[0003]整机气浴装置是目前环境控制领域的通用选项，通常采用多通道输入，均匀气体输入的方式，提供一种稳定、均匀、洁净的工作环境，但运动台的高速运动打破了这种稳定而均匀的局部环境，即便读数头与光栅尺之间的光路仅有几毫米，运动台的高速运动仍会造成读数头光路中形成较大的温度梯度及压力梯度，使读数头存在受气流扰动的影响问题，影响了平面光栅系统的测量精度。
[0004]由于光刻机设备内部空间紧凑，统一供气无法解决局部扰动气流的影响及核心光学部件测量精度下降等问题，因此需要专利技术一种局部气浴装置对核心部件进行环境控制以提高测量精度。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供一种气浴装置，用于解决读数头因运动台高速运动受气流扰动影响的问题，避免平面光栅系统因受到不同温度及压力等环境变化所造成的系统性测量误差。
[0006]本专利技术的气浴装置包括：整流喷射单元，
[0007]所述整流喷射单元的第一面上分别设置有用于喷射气流的第一环形喷射口和第二环形喷射口，所述第二环形喷射口围绕所述第一环形喷射口的外周设置，所述第一环形喷射口的内侧设置有用于容纳的读数头的安装区域，
[0008]其中，所述第一环形喷射口与所述第二环形喷射口喷射的气流的流速不同。
[0009]在一个实施方式中，所述第一环形喷射口的径向宽度小于所述第二环形喷射口的径向宽度。
[0010]在一个实施方式中，所述第一环形喷射口内填充有多孔介质。
[0011]在一个实施方式中，所述第二环形喷射口的径向宽度小于所述第一环形喷射口的径向宽度。
[0012]在一个实施方式中，所述第二环形喷射口内填充有多孔介质。
[0013]在一个实施方式中，所述第二环形喷射口向外倾斜地延伸。
[0014]在一个实施方式中，所述整流喷射单元包括层叠设置的缓冲层和喷射层，
[0015]所述缓冲层内设有缓冲腔，所述缓冲层与所述喷射层相邻的表面上分别设有与所
述缓冲腔连通的第一环形缓冲出口和第二环形缓冲出口，所述第二环形缓冲出口围绕所述第一环形缓冲出口的外周设置，
[0016]所述第一环形喷射口和所述第二环形喷射口设置在所述喷射层上，所述第一环形缓冲出口与所述第一环形喷射口相连，所述第二环形缓冲出口与所述第二环形喷射口相连。
[0017]在一个实施方式中，所述第一环形缓冲出口和所述第二环形缓冲出口中均填充有多孔介质。
[0018]在一个实施方式中，还包括：热交换单元，
[0019]所述热交换单元设置在运动台的水冷散热部件上，以使输入所述热交换单元中的气体与所述水冷散热部件内的换热液体进行热交换，
[0020]所述热交换单元与所述整流喷射单元相连，以使经过热交换后的气体输入所述整流喷射单元。
[0021]在一个实施方式中，所述热交换单元包括换热板，
[0022]所述换热板的内部设置有换热流道，所述换热板设置在所述水冷散热部件上，所述换热流道的出口端通过连接管道与所述整流喷射单元相连，所述连接管道内填充有多孔介质。
[0023]与现有技术相比，本专利技术的优点在于：本专利技术的气浴装置是一种局部气浴装置，是针对读数头及其光路区域进行的二次环境控制手段，内侧的第一环形喷射口和外侧的第二环形喷射口分别喷射不同流速的气流，从而形成内外两层气流，在读数头周围产生一个相对静压的区域，可有效抵挡运动台高速运动产生的扰动气流影响，保证平面光栅系统的测量精度。
附图说明
[0024]在下文中将基于实施例并参考附图来对本专利技术进行更详细的描述。
[0025]图1是本专利技术的一个实施例中的气浴装置的结构示意图；
[0026]图2是本专利技术的一个实施例中的热交换单元和连接管道的结构示意图；
[0027]图3是本专利技术的一个实施例中的整流喷射单元的缓冲层的结构示意图；
[0028]图4是本专利技术的一个实施例中的整流喷射单元的喷射层的结构示意图；
[0029]图5是本专利技术的另一个实施例中的整流喷射单元的喷射层的结构示意图。
[0030]其中，图4和图5中，曲线表示相对高速的“紊流”，直线表示相对低速的“层流”。
[0031]附图标记：
[0032]1、整流喷射单元；2、热交换单元；3、连接管道；4、读数头；
[0033]5、平面光栅；6、多孔介质；7、输入气管；
[0034]11、喷射层；12、缓冲层；
[0035]111、第一环形喷射口；112、第二环形喷射口；
[0036]121、缓冲腔；122、第一环形缓冲出口；
[0037]123、第二环形缓冲出口；124、缓冲入口；
[0038]21、换热板；211、换热入口；
[0039]41、光路区域。
具体实施方式
[0040]下面将结合附图对本专利技术作进一步说明。
[0041]如图1
‑
5中所示，本专利技术的气浴装置，包括：整流喷射单元1。整流喷射单元1的第一面上分别设置有用于喷射气流的第一环形喷射口111和第二环形喷射口112，第二环形喷射口112围绕第一环形喷射口111的外周设置，第一环形喷射口111的内侧设置有用于容纳的读数头4的安装区域。
[0042]其中，第一环形喷射口111与第二环形喷射口112喷射的气流的流速不同。
[0043]本专利技术的气浴装置是一种局部气浴装置，是针对读数头4及其光路区域41进行的二次环境控制手段，内侧的第一环形喷射口111和外侧的第二环形喷射口112分别喷射不同流速的气流，从而形成内外两层气流，在读数头4周围产生一个相对静压的区域，可有效抵挡运动台高速运动产生的扰动气流影响，保证平面光栅测量系统的测量精度。
[0044]具体来说，气浴装置的两个环形喷射口均环绕读数头4设置，且内侧的第一环形喷射口111和外侧的第二环形喷射口112分别喷射不同流速的气流，形成内外两层气流，从而将读数头4的光路区域41包络在其中。两层气流中，一层气流为相对低速的“层流”，另一层为相对高速的“紊流”，外层的气流直接抵挡运动台高速运动产生的扰动气流，而使内层的气流保持一定的稳定性及均匀性，进而使内层的气流包围的读数头4的光路区域41处于相对静压的区域，从而能够有效降低因运动台高速运动所带来的温度及压力的影响。同时，内层的气流能够对其所包络区域进行填充，维持内部压力梯度。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种气浴装置，其特征在于，包括：整流喷射单元，所述整流喷射单元的第一面上分别设置有用于喷射气流的第一环形喷射口和第二环形喷射口，所述第二环形喷射口围绕所述第一环形喷射口的外周设置，所述第一环形喷射口的内侧设置有用于容纳的读数头的安装区域，其中，所述第一环形喷射口与所述第二环形喷射口喷射的气流的流速不同。2.根据权利要求1所述的气浴装置，其特征在于，所述第一环形喷射口的径向宽度小于所述第二环形喷射口的径向宽度。3.根据权利要求2所述的气浴装置，其特征在于，所述第一环形喷射口内填充有多孔介质。4.根据权利要求1所述的气浴装置，其特征在于，所述第二环形喷射口的径向宽度小于所述第一环形喷射口的径向宽度。5.根据权利要求4所述的气浴装置，其特征在于，所述第二环形喷射口内填充有多孔介质。6.根据权利要求1
‑
5中任一项所述的气浴装置，其特征在于，所述第二环形喷射口向外倾斜地延伸。7.根据权利要求1
‑
5中任一项所述的气浴装置，其特征在于，所述整流喷射单元包括层叠设置的缓冲层和喷射层，所述缓冲层内设有缓冲...

【专利技术属性】
技术研发人员：焦健，李怀斌，付大为，
申请(专利权)人：北京华卓精科科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：