一种MicroLED的封装方法技术

本发明专利技术提供了一种Micro LED的封装方法，包括：在所述LED芯片上键合一蓝宝石层；在所述LED芯片上形成一封装层；在所述封装层上形成一绝缘层；裸露部分所述LED芯片电极；在所述绝缘层上方蒸镀形成重新布线层并使其与LED芯片电极连通；在重新布线层上形成保护层，裸露部分重新布线层金属，在所述保护层上蒸镀形成互联焊盘并使互联焊盘与重新布线层金属连通，本发明专利技术解决了现有技术中在对Micro LED进行封装时，由于热胀冷缩原理，可能会导致LED芯片不在同一水平面上，使得LED芯片发出的光达不到预期效果，从而导致该颗像素点无法使用，降低了产品良率的技术问题。产品良率的技术问题。产品良率的技术问题。

【技术实现步骤摘要】
一种Micro LED的封装方法


[0001]本专利技术属于半导体LED的
，具体地涉及一种Micro LED的封装方法。

技术介绍

[0002]电子显示屏是直接透过RGB 三色LED来混色，在色彩显示度上，相对传统的液晶LED面板显示效果更好，将RGB三色的LED芯片封装来进行混色，三颗不同颜色的芯片作为一个像素点来使用，为了让显示屏的分辨率越来越高只能采取缩小像素点间距即尽可能缩小芯片尺寸来达成目的。
[0003]RGB三色混色作为一个像素点不但能用于电子显示屏，还可以用于户内的显示器显示屏的应用，所以三色LEN混色更具有竞争力，LED电子显示屏器件的封装方式有点阵模块、直插式、亚表贴、表贴三合一、COB、Micro LED等等。从早期主要用于户外到现在可用于户内小间距的兴起，从低分辨率朝向宽色域、高分辨率的演变。不同的封装方式推动了LED电子显示屏器的进步，同时也是封装技术不断提升的过程。
[0004]在对Micro LED进行封装时，由于热胀冷缩原理，可能会导致LED芯片不在同一水平面上，使得LED芯片发出的光达不到预期效果，从而导致该颗像素点无法使用，降低了产品良率。

技术实现思路

[0005]为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种Micro LED的封装方法，用于解决现有技术中由于热胀冷缩原理，可能会导致LED芯片不在同一水平面上，使得LED芯片发出的光达不到预期效果，从而导致该颗像素点无法使用，降低了产品良率的技术问题。
[0006]该专利技术提供以下技术方案，一种Micro LED的封装方法，所述封装方法包括以下步骤：步骤一、提供一可剥离基底以及若干组LED芯片，通过分选机将若干组所述LED芯片按照矩形阵列分布，以使LED芯片电极朝向所述可剥离基底的一侧放置，其中，一组所述LED芯片包括一个绿光G LED芯片、一个蓝光B LED芯片以及一个红光 R LED 芯片；步骤二、在所述LED芯片以及所述可剥离基底上沉积一粘附层，在所述LED芯片上的所述粘附层上键合一蓝宝石层；步骤三、将所述可剥离基底以及在所述可剥离基底上的所述粘附层剥离去除，并将所述蓝宝石层翻转，以使所述LED芯片电极朝上，再在所述LED芯片上形成一包裹所述LED芯片四周的封装层；步骤四、在所述封装层上形成一绝缘层；步骤五、在所述绝缘层上方进行光刻形成第一掩膜图案，对所述绝缘层进行等离子蚀刻以使裸露部分所述LED芯片电极，蚀刻后，对所述绝缘层进行去胶处理；步骤六、在所述绝缘层上方进行一道重新布线层的光刻形成第二掩膜图案，按照所述第二掩膜图案在所述绝缘层上方蒸镀形成重新布线层并使重新布线层与裸露部分所
述LED芯片电极连通，再进行去胶处理；步骤七、在所述重新布线层上形成一保护层，在所述保护层上进行光刻形成第三掩膜图案，并对所述保护层进行等离子体蚀刻以使裸露部分所述重新布线层金属，再进行去胶处理；步骤八、在所述保护层上进行光刻，以及在所述保护层上蒸镀形成互联焊盘，并使所述互联焊盘与裸露部分所述重新布线层金属连通，然后进行去胶处理；步骤九、按每组所述LED芯片作为一个整体进行切割，其中，每组所述LED芯片上均有与其对应的所述重新布线层以及所述互联焊盘。
[0007]相比现有技术，本申请的有益效果为：本申请中的蓝宝石层可透光且热膨胀系数低，在后续的工艺过程中不易变形，在本申请封装过程中，环境温度过高容易导致热胀冷缩，从而导致掩膜图案完成后达不到预期效果，采用蓝宝石层则可以很好的解决这个问题，采用蓝宝石层，避免因热胀冷缩而导致LED芯片不在同一水平面，发出的光达不到预期效果的情况，可提高像素点的可使用率，同时提高产品良率。
[0008]较佳的，所述可剥离基底为玻璃衬底、金属衬底、半导体衬底、聚合物衬底及陶瓷衬底的其中一种。
[0009]较佳的，所述封装层的材料为黑胶。
[0010]较佳的，所述绝缘层通过PECVD化学气相沉积或真空蒸镀的方式形成于所述LED芯片的上方；所述PECVD化学气相沉积具体为：在温度为230℃下，通过化学气相沉积N2O和SiH4在N2的气氛下，通过控制流量来产生SiO2层沉积在所述LED芯片上方，以形成绝缘层；所述真空蒸镀具体为：在温度300℃~400℃、腔体真空度达到1*10
‑7Pa下，把SiO2靶材溅射到所述LED芯片上方，以形成绝缘层。
[0011]较佳的，所述绝缘层与所述保护层材料均为SiN、SiO2、Al2O3的其中一种，所述绝缘层的厚度小于所述保护层的厚度，所述绝缘层的厚度为2000A
‑
8000A，所述保护层的厚度为8001A
ꢀ‑
16000A。
[0012]较佳的，所述重新布线层与所述互联焊盘由金属材质制成。
[0013]较佳的，在所述步骤五中，在所述绝缘层上方进行光刻的条件为：4μm厚的负胶，曝光量为300mj，显影时间为90s，120℃温度下烘干120S。
[0014]较佳的，所述重新布线层包括第一连接单元、第二连接单元、第三连接单元以及第四连接单元，所述第一连接单元与所述绿光G LED芯片、蓝光B LED芯片、红光 R LED 芯片的正极或负极连接，所述第二连接单元、第三连接单元、第四连接单元分别与所述绿光G LED芯片、蓝光B LED芯片、红光 R LED 芯片的负极或正极连接。
[0015]较佳的，所述互联焊盘包括第一焊点、第二焊点、第三焊点以及第四焊点，所述第一焊点、第二焊点、第三焊点、第四焊点与所述第一连接单元、第二连接单元、第三连接单元、第四连接单元一一对应连通。
[0016]较佳的，在所述步骤九前，所述封装方法还包括：对所述蓝宝石层进行研磨减薄处理。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0018]图1为本专利技术实施例提供的Micro LED的封装方法的步骤一产生的半成品示意图；图2为本专利技术实施例提供的Micro LED的封装方法的步骤二产生的半成品示意图；图3为本专利技术实施例提供的Micro LED的封装方法的步骤三产生的半成品示意图；图4为本专利技术实施例提供的Micro LED的封装方法的步骤四产生的半成品示意图；图5为本专利技术实施例提供的Micro LED的封装方法的步骤五产生的半成品示意图；图6为本专利技术实施例提供的Micro LED的封装方法的步骤六产生的半成品示意图；图7为本专利技术实施例提供的Micro LED的封装方法的步骤七产生的半成品示意图；图8为本专利技术实施例提供的Micro LED的封装方法的步骤八产生的半成品示意图；图9为本专利技术实施例提供的Micro LED的封装方法的步骤九产生的成品示意图；图10为本专利技术实施例提供的切割后的Micro LED结构示意图。
[0019]附图标记说明：可本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Micro LED的封装方法，其特征在于，所述封装方法包括以下步骤：步骤一、提供一可剥离基底以及若干组LED芯片，通过分选机将若干组所述LED芯片按照矩形阵列分布，以使LED芯片电极朝向所述可剥离基底的一侧放置，其中，一组所述LED芯片包括一个绿光G LED芯片、一个蓝光B LED芯片以及一个红光 R LED 芯片；步骤二、在所述LED芯片以及所述可剥离基底上沉积一粘附层，在所述LED芯片上的所述粘附层上键合一蓝宝石层；步骤三、将所述可剥离基底以及在所述可剥离基底上的所述粘附层剥离去除，并将所述蓝宝石层翻转，以使所述LED芯片电极朝上，再在所述LED芯片上形成一包裹所述LED芯片四周的封装层；步骤四、在所述封装层上形成一绝缘层；步骤五、在所述绝缘层上方进行光刻形成第一掩膜图案，对所述绝缘层进行等离子蚀刻以使裸露部分所述LED芯片电极，蚀刻后，对所述绝缘层进行去胶处理；步骤六、在所述绝缘层上方进行一道重新布线层的光刻形成第二掩膜图案，按照所述第二掩膜图案在所述绝缘层上方蒸镀形成重新布线层并使重新布线层与裸露部分所述LED芯片电极连通，再进行去胶处理；步骤七、在所述重新布线层上形成一保护层，在所述保护层上进行光刻形成第三掩膜图案，并对所述保护层进行等离子体蚀刻以使裸露部分所述重新布线层金属，再进行去胶处理；步骤八、在所述保护层上进行光刻，以及在所述保护层上蒸镀形成互联焊盘，并使所述互联焊盘与裸露部分所述重新布线层金属连通，然后进行去胶处理；步骤九、按每组所述LED芯片作为一个整体进行切割，其中，每组所述LED芯片上均有与其对应的所述重新布线层以及所述互联焊盘。2.根据权利要求1所述的Micro LED的封装方法，其特征在于，所述可剥离基底为玻璃衬底、金属衬底、半导体衬底、聚合物衬底及陶瓷衬底的其中一种。3.根据权利要求1所述的Micro LED的封装方法，其特征在于，所述封装层的材料为黑胶。4.根据权利要求1所述的Micro LED的封装方法，其特征在于，所述绝缘层通过PECVD化学气相沉积或真空蒸镀的方式形成于...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘伟，简弘安，胡家辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：