离子阱的磁屏蔽箱制造技术

本实用新型专利技术公开了一种离子阱的磁屏蔽箱，所述离子阱的磁屏蔽箱包括：底座，所述底座具有安装腔，所述安装腔的一端敞开且形成敞开口，所述安装腔用于安装离子阱以及对所述离子阱抽真空的真空泵；顶盖，所述顶盖与所述底座相连且用于封闭所述敞开口；其中，所述顶盖和/或所述底座为双层结构。本实用新型专利技术实施例的离子阱的磁屏蔽箱，通过设置底座具有安装腔，使得离子阱和真空泵可以安装在安装腔内，并通过顶盖进行封闭，且设置底座和顶盖具有双层结构，使得底座和顶盖具有良好的磁屏蔽性能，有效降低了外界磁场对真空腔内离子的影响，且磁屏蔽箱整体结构简单，成本较低。成本较低。成本较低。

【技术实现步骤摘要】
离子阱的磁屏蔽箱


[0001]本技术涉及屏蔽设备领域，尤其是涉及一种离子阱的磁屏蔽箱。

技术介绍

[0002]离子的稳定囚禁是实现离子阱量子计算的基本条件，除了超高真空、恒温条件外，囚禁的离子对地球磁场及腔体外环境中其它的杂散磁场也极其敏感，地球磁场强度约50μT，离子的稳定囚禁则需要提供10PT的稳定磁场环境，这是极其严格的磁屏蔽要求。现有的磁屏蔽箱的屏蔽效果较差，对量子计算的误差影响较大，或是结构过于复杂，导致成本过高，存在改进的空间。

技术实现思路

[0003]本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本技术的一个目的在于提出一种离子阱的磁屏蔽箱，设置有两层磁屏蔽结构，大大降低了外界磁场对真空腔的干扰，提高了离子控制的准确性。
[0004]根据本技术实施例的离子阱的磁屏蔽箱，包括：底座，所述底座具有安装腔，所述安装腔的一端敞开且形成敞开口，所述安装腔用于安装离子阱以及对所述离子阱抽真空的真空泵；顶盖，所述顶盖与所述底座相连且用于封闭所述敞开口；其中，所述顶盖和/或所述底座为双层结构。
[0005]根据本技术实施例的离子阱的磁屏蔽箱，通过设置底座具有安装腔，使得离子阱和真空泵可以安装在安装腔内，并通过顶盖进行封闭，且设置底座和顶盖具有双层结构，使得底座和顶盖具有良好的磁屏蔽性能，有效降低了外界磁场对真空腔内离子的影响，且磁屏蔽箱整体结构简单，成本较低。
[0006]根据本技术一些实施例的离子阱的磁屏蔽箱，所述底座包括外层板、中间夹板和内层板，所述外层板套设于所述内层板外，所述中间夹板支撑连接于所述外层板与所述内层板之间。
[0007]根据本技术一些实施例的离子阱的磁屏蔽箱，所述外层板与所述内层板均构造为盒状且均具有内周壁和内底壁，所述中间夹板设于所述外层板的内周壁与所述内层板的内周壁之间和/或所述外层板的内底壁与所述内层板的内底壁之间，所述离子阱与所述真空泵适于安装于所述内层板的内底壁；其中所述外层板和所述内层板均为磁屏蔽材料制成，所述中间夹板为硬质材料制成。
[0008]根据本技术一些实施例的离子阱的磁屏蔽箱，所述外层板的内周壁设有外维修口，所述内层板的内周壁设有内维修口，所述内维修口与所述外维修口正对设置；其中，所述内维修口和/或所述外维修口处安装有密封盖。
[0009]根据本技术一些实施例的离子阱的磁屏蔽箱，所述密封盖包括内密封盖和外密封盖，所述内密封盖安装于所述内维修口处，所述外密封盖安装于所述外维修口处。
[0010]根据本技术一些实施例的离子阱的磁屏蔽箱，所述内维修口的开口宽度小于
所述外维修口的开口宽度，所述内密封盖的边沿处设有第一避让口，所述外密封盖的边沿处设有第二避让口，所述第一避让口与所述第二避让口在内外方向上错开分布，所述第一避让口和所述第二避让口均用于穿设连接线束。
[0011]根据本技术一些实施例的离子阱的磁屏蔽箱，所述顶盖包括内层盖板和外层盖板，所述外层盖板套设于所述内层盖板外，且所述外层盖板与所述内层盖板之间限定出插接间隙，所述底座的上侧边沿插接至所述插接间隙内且与所述外层盖板与所述内层盖板连接固定。
[0012]根据本技术一些实施例的离子阱的磁屏蔽箱，所述顶盖还包括加强板，所述加强板安装于所述内层盖板的内侧，且所述加强板沿所述内层盖板的周向延伸设置。
[0013]根据本技术一些实施例的离子阱的磁屏蔽箱，还包括：连接件，所述连接件依次贯穿所述加强板、所述内层盖板、所述底座的上侧和所述外层盖板进行连接。
[0014]根据本技术一些实施例的离子阱的磁屏蔽箱，所述顶盖设有观察口，所述观察口在所述顶盖的上表面凸出设置，所述观察口处设有可拆卸的活动帽；和/或，所述顶盖设有透光部和避让部，所述透光部与所述离子阱沿竖向正对设置，所述避让部用于避让所述真空泵。
[0015]本技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。
附图说明
[0016]本技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0017]图1是根据本技术实施例的磁屏蔽箱的结构示意图；
[0018]图2是根据本技术实施例的磁屏蔽箱的结构示意图(拆除外层盖板)；
[0019]图3是根据本技术实施例的磁屏蔽箱中底座的轴测图；
[0020]图4是根据本技术实施例的磁屏蔽箱中底座的俯视图；
[0021]图5是图4中A处的局部放大图；
[0022]图6是根据本技术实施例的磁屏蔽箱的结构示意图(拆除外密封盖)；
[0023]图7是根据本技术实施例的磁屏蔽箱的结构示意图(拆除外密封盖和内密封盖)；
[0024]图8是根据本技术实施例的磁屏蔽箱中顶盖的结构示意图。
[0025]附图标记：
[0026]磁屏蔽箱100，
[0027]底座1，安装腔11，外层板12，外维修口121，中间夹板13，内层板14，内维修口141，内密封盖15，外密封盖16，
[0028]顶盖2，内层盖板21，外层盖板22，加强板23，观察口24，活动帽25，透光部26，避让部27，离子阱3，真空腔31，真空泵4，连接件5。
具体实施方式
[0029]下面详细描述本技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始
至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。
[0030]下面参考图1
‑
图8描述根据本技术实施例的离子阱的磁屏蔽箱100，通过将底座1和顶盖2构造为具有双层结构，使得磁屏蔽箱100具有良好的磁屏蔽效果，减少了外界磁场对真空腔31的影响。
[0031]如图1所示，如图1所示，根据本技术实施例的离子阱的磁屏蔽箱100，包括：底座1和顶盖2。
[0032]底座1具有安装腔11，安装腔11的一端敞开且形成敞开口，安装腔11用于安装离子阱3以及对离子阱3抽真空的真空泵4。也就是说，如图1所示，可以将底座1构造矩形盒状，底座1形成有安装腔11，安装腔11朝上敞开以形成敞开口，安装腔11内安装有离子阱3和真空泵4，离子阱3形成有真空腔31，真空腔31与安装腔11完全隔开，真空泵4与真空腔31连通且用于对真空腔31进行抽真空。
[0033]其中，真空腔31内安装有磁场发生装置、可变电场发生装置和恒定电场发生装置，同时，真空腔31的上侧安装成像装置以形成透光面，光场发生装置安装在真空腔31外，且用于透过成像装置向真空腔31内照射光场。磁场发生装置用于产生约束磁场，可变电场发生装置用于根据光场产生对应的可变约束电场，且恒定电场发生装置用于产生与该可变约束电场方向相反的恒定约束电场本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种离子阱的磁屏蔽箱，其特征在于，包括：底座(1)，所述底座(1)具有安装腔(11)，所述安装腔(11)的一端敞开且形成敞开口，所述安装腔(11)用于安装离子阱(3)以及对所述离子阱(3)抽真空的真空泵(4)；顶盖(2)，所述顶盖(2)与所述底座(1)相连且用于封闭所述敞开口；其中，所述顶盖(2)和/或所述底座(1)为双层结构。2.根据权利要求1所述的离子阱的磁屏蔽箱，其特征在于，所述底座(1)包括外层板(12)、中间夹板(13)和内层板(14)，所述外层板(12)套设于所述内层板(14)外，所述中间夹板(13)支撑连接于所述外层板(12)与所述内层板(14)之间。3.根据权利要求2所述的离子阱的磁屏蔽箱，其特征在于，所述外层板(12)与所述内层板(14)均构造为盒状且均具有内周壁和内底壁，所述中间夹板(13)设于所述外层板(12)的内周壁与所述内层板(14)的内周壁之间和/或所述外层板(12)的内底壁与所述内层板(14)的内底壁之间，所述离子阱(3)与所述真空泵(4)适于安装于所述内层板(14)的内底壁；其中所述外层板(12)和所述内层板(14)均为磁屏蔽材料制成，所述中间夹板(13)为硬质材料制成。4.根据权利要求3所述的离子阱的磁屏蔽箱，其特征在于，所述外层板(12)的内周壁设有外维修口(121)，所述内层板(14)的内周壁设有内维修口(141)，所述内维修口(141)与所述外维修口(121)正对设置；其中，所述内维修口(141)和/或所述外维修口(121)处安装有密封盖。5.根据权利要求4所述的离子阱的磁屏蔽箱，其特征在于，所述密封盖包括内密封盖(15)和外密封盖(16)，所述内密封盖(15)安装于所述内维修口(141)...

【专利技术属性】
技术研发人员：李晓刚，郑大才，刘志超，吴亚，
申请(专利权)人：国仪量子合肥技术有限公司，
类型：新型
国别省市：