一种提升高频阻抗的磁芯结构制造技术

本实用新型专利技术公开了磁芯结构技术领域的一种提升高频阻抗的磁芯结构，包括上壳体和下壳体，所述上壳体和下壳体均为椭圆形，所述上壳体和下壳体内为中空设置，所述上壳体和下壳体的中部均设置有椭圆形的穿线槽，所述上壳体和下壳体内壁均固定有内卡块。本实用新型专利技术在椭圆形的上壳体和下壳体内设置有椭圆形的穿线槽，上壳体和下壳体内部通过对应的内卡块和内卡槽进行内壁卡接，上壳体和下壳体外部通过对应的外卡块和外卡槽进行外壁卡接，两个圆弧形的上壳体和下壳体组成完整的椭圆形磁芯，在磁芯的较长边侧可缠绕更多箍线圈，在不重叠绕制的情况下，可以使高频干扰抑制效果更好。可以使高频干扰抑制效果更好。可以使高频干扰抑制效果更好。

【技术实现步骤摘要】
一种提升高频阻抗的磁芯结构


[0001]本技术涉及磁芯结构
，具体为一种提升高频阻抗的磁芯结构。

技术介绍

[0002]共模电感也叫共模扼流圈，常用于电脑的开关电源中过滤共模的电磁干扰信号。共模电感也是起EMI滤波的作用，共模电感线路缠绕在磁芯上。
[0003]但现有的高频阻抗的磁芯结构大多为圆形，缠绕线路空间有限，高频干扰抑制效果不佳，阻抗性能频率较低，基于此，本技术设计了一种提升高频阻抗的磁芯结构，以解决上述问题。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种提升高频阻抗的磁芯结构，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种提升高频阻抗的磁芯结构，包括上壳体和下壳体，所述上壳体和下壳体均为椭圆形，所述上壳体和下壳体内为中空设置，所述上壳体和下壳体的中部均设置有椭圆形的穿线槽，所述上壳体和下壳体内壁均固定有内卡块，所述上壳体和下壳体内部均设置有内卡槽，所述内卡块卡接在内卡槽内，所述上壳体和下壳体外壁均固定有外卡块，所述上壳体和下壳体外部均设置有外卡槽，所述外卡块卡接在外卡槽内。
[0006]优选的，所述上壳体和下壳体的内外边缘均设置圆弧形倒角。
[0007]优选的，所述内卡块和内卡槽均为U形，所述内卡块和内卡槽均为上壳体和下壳体内壁长度的一半。
[0008]优选的，所述外卡块和外卡槽均为U形，所述外卡块和外卡槽均为上壳体和下壳体外壁长度的一半。
[0009]优选的，所述上壳体和下壳体的两侧均固定连接有两组挡板，两组所述挡板对称设置在上壳体和下壳体的两侧。
[0010]优选的，两组所述挡板为V字形分布，所述挡板垂直设置在上壳体和下壳体上。
[0011]与现有技术相比，本技术的有益效果是：
[0012](1)本技术在椭圆形的上壳体和下壳体内设置有椭圆形的穿线槽，上壳体和下壳体内部通过对应的内卡块和内卡槽进行内壁卡接，上壳体和下壳体外部通过对应的外卡块和外卡槽进行外壁卡接，两个圆弧形的上壳体和下壳体组成完整的椭圆形磁芯，U形设置的内卡块、内卡槽外卡块、外卡槽匹配对位卡接，安装连接便捷，在磁芯的较长边侧可缠绕更多箍线圈，在不重叠绕制的情况下，可以使高频干扰抑制效果更好，使用相同的材料和相同体积下阻抗性能可由原环形磁芯在1MHz
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10MHz抑制效果提升至1M
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50MHz以上；
[0013](2)本技术在上壳体和下壳体上连接有两组挡板，通过挡板便于对线圈进行限位，V形设的两组挡板可让两股线圈等距间隔，保证线圈的平整缠绕，使用效果好。
附图说明
[0014]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0015]图1为本技术提升高频阻抗的磁芯结构的立体结构图；
[0016]图2为本技术提升高频阻抗的磁芯结构的仰视立体结构图；
[0017]图3为本技术提升高频阻抗的磁芯结构的整体爆炸结构图。
[0018]附图中，各标号所代表的部件列表如下：
[0019]1、上壳体；2、下壳体；3、穿线槽；4、内卡块；5、内卡槽；6、外卡块；7、外卡槽；8、挡板。
具体实施方式
[0020]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。
[0021]请参阅图1
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图3，本技术提供一种技术方案：一种提升高频阻抗的磁芯结构，包括上壳体1和下壳体2，上壳体1和下壳体2均为椭圆形，上壳体1和下壳体2内为中空设置，上壳体1和下壳体2 的中部均设置有椭圆形的穿线槽3，上壳体1和下壳体2内壁均固定有内卡块4，上壳体1和下壳体2内部均设置有内卡槽5，内卡块4 卡接在内卡槽5内，上壳体1和下壳体2外壁均固定有外卡块6，上壳体1和下壳体2外部均设置有外卡槽7，外卡块6卡接在外卡槽7 内，上壳体1和下壳体2的内外边缘均设置圆弧形倒角，内卡块4和内卡槽5均为U形，内卡块4和内卡槽5均为上壳体1和下壳体2 内壁长度的一半，外卡块6和外卡槽7均为U形，外卡块6和外卡槽7均为上壳体1和下壳体2外壁长度的一半。
[0022]其中，
[0023]请参阅图1
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图3，上壳体1和下壳体2的两侧均固定连接有两组挡板8，两组挡板8对称设置在上壳体1和下壳体2的两侧，两组挡板8为V字形分布，挡板8垂直设置在上壳体1和下壳体2上。
[0024]其中，在上壳体1和下壳体2上连接有两组挡板8，通过挡板8 便于对线圈进行限位，V形设的两组挡板8可让两股线圈等距间隔，保证线圈的平整缠绕，使用效果好。
[0025]整体的工作原理为，在椭圆形的上壳体1和下壳体2内设置有椭圆形的穿线槽3，上壳体1和下壳体2内部通过对应的内卡块4和内卡槽5进行内壁卡接，上壳体1和下壳体2外部通过对应的外卡块6 和外卡槽7进行外壁卡接，两个圆弧形的上壳体1和下壳体2组成完整的椭圆形磁芯，U形设置的内卡块4、内卡槽5外卡块6、外卡槽 7匹配对位卡接，安装连接便捷，在磁芯的较长边侧可缠绕更多箍线圈，在不重叠绕制的情况下，可以使高频干扰抑制效果更好，使用相同的材料和相同体积下阻抗性能可由原环形磁芯在1MHz
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10MHz抑制效果提升至1M
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50MHz以上，在上壳体1和下壳体2上连接有两组挡板8，通过挡板8便于对线圈进行限位，V形设的两组挡板8可让两股线圈等距间隔，保证线圈的平整缠绕，使用效果好。
[0026]在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“示例”、“具体示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本技术的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
[0027]以上公开的本技术优选实施例只是用于帮助阐述本技术。优选实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该技术仅为所述的具体实施方式。显然，根据本说明书的内容，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本技术的原理和实际应用，从而使所属
技术人员能很好地理解和利用本技术。本技术仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提升高频阻抗的磁芯结构，包括上壳体(1)和下壳体(2)，其特征在于：所述上壳体(1)和下壳体(2)均为椭圆形，所述上壳体(1)和下壳体(2)内为中空设置，所述上壳体(1)和下壳体(2)的中部均设置有椭圆形的穿线槽(3)，所述上壳体(1)和下壳体(2)内壁均固定有内卡块(4)，所述上壳体(1)和下壳体(2)内部均设置有内卡槽(5)，所述内卡块(4)卡接在内卡槽(5)内，所述上壳体(1)和下壳体(2)外壁均固定有外卡块(6)，所述上壳体(1)和下壳体(2)外部均设置有外卡槽(7)，所述外卡块(6)卡接在外卡槽(7)内。2.根据权利要求1所述的一种提升高频阻抗的磁芯结构，其特征在于：所述上壳体(1)和下壳体(2)的内外边缘均设置圆弧形倒角。3.根据权利要求1所述的一种提升...

【专利技术属性】
技术研发人员：何越欢，陆军，鲁保健，
申请(专利权)人：上海燊阳电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：