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本实用新型公开了磁芯结构技术领域的一种提升高频阻抗的磁芯结构，包括上壳体和下壳体，所述上壳体和下壳体均为椭圆形，所述上壳体和下壳体内为中空设置，所述上壳体和下壳体的中部均设置有椭圆形的穿线槽，所述上壳体和下壳体内壁均固定有内卡块。本实用新型...
该专利属于上海燊阳电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海燊阳电子科技有限公司授权不得商用。

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